- •Технологія одержання і застосування плівКових матеріалів
- •Проценко і.Ю., Шумакова н.І.
- •© І.Ю.Проценко, н.І Шумакова, 2008
- •Передмова...................................................................................... 7
- •Конструкції термовипарників та їх застосування……… 19
- •Передмова
- •1 Основи термодинаміки та кінетичної теорії газів
- •Рівноважний тиск пари
- •1.2 Розподіл атомів пари за швидкостями
- •1.3 Механізми випаровування рідин та твердих тіл
- •2 Конструкції термовипарників та їх застосування
- •2.1 Загальна інформація
- •2.2 Випаровування із дротів та металевої фольги
- •2.3 Випаровування із тиглів, матеріали тиглів
- •2.4 Випаровування матеріалів електронно-променевими методами
- •3 Вакуумно-плазмова технологія
- •4 Плазмові випарники
- •4.1 Випарники з випаровуванням матеріалу катода
- •4.2 Вакуумно-дугові випарники
- •4.3 Випарники з випаровуванням матеріалу анода
- •4.4 Електронно-променеві випарники
- •5 Метод іонного та реактивного розпилення
- •5.1 Іонне розпилення
- •5.2 Реактивне розпилення
- •6 Особливості випаровування сплавів та хімічних сполук
- •7 Методи контролю товщини плівок
- •7.1 Мікрозважування
- •7.2 Метод кварцового резонатора
- •7.3 Оптичні методи
- •7.4 Інші методи
- •8 Характеристика елемента карбону
- •9 Класифікація алотропів карбону
- •10 Фізичні властивості алотропів карбону
- •11 “Метастабільність алмазу” та шляхи його одержання
- •12 Хімічний синтез алмазу
- •13 До історії розвитку хімічного синтезу алмазу
- •14 Методи одержання алмазоподібних плівок
- •14.1 Термохімічні методи осадження
- •14.2 Електророзрядні методи
- •14.3 Комбіновані розряди
- •14.4 Методи одержання апп на атмосфері
- •15 Методи одержання гідрогенезованих
- •16 Методи одержання ультрадисперсних алмазів (уда) і наноалмазів (на)
- •17 Методи одержання
- •18 Хімічний склад і кристалічна структура
- •18.1 Нітрид титану
- •18.2 Карбід вольфраму
- •Задачі та вправи
- •19 Уявлення про адатом, кластер та критичний зародок
- •20 Залежність розміру критичного зародка від матеріалу плівки та підкладки
- •21 Механізми конденсації плівок, їх узагальнена діаграма
- •22 Чотири стадії росту плівки
- •22.1 Утворення острівців
- •22.2 Коалесценція острівців
- •22.3 Утворення каналів
- •22.4 Утворення суцільної плівки
- •23 Критична товщина і критична температура конденсації
- •24 Утворення дефектів у процесі росту плівки
- •24.1 Дислокації
- •24.2 Межі зерен
- •24.3 Шорсткість та пористість конденсатів
- •25 Епітаксіальний ріст плівок
- •25.1 Зародження епітаксіальних частинок
- •25.2 Механізми епітаксіального росту
- •26 Змінювання параметра решітки, псевдоморфний ріст плівок
- •27 Види спряжень кристалів при епітаксіальному рості
- •28 Субструктура полікристалічних плівок
- •29 Нанокристалічні та аморфні матеріали
- •30 Внутрішні макронапруження в конденсатах
- •30.1 Вплив температури підкладки
- •30.2 Причина виникнення макронапружень у
- •30.3 Вплив товщини плівок, швидкості конденсації та термообробки
- •30.4 Розрахунок величини st
- •30.5 Методи вимірювання s
- •Вплив іонного бомбардування підкладки на властивості плівок
- •32 Процес старіння в тонких плівках
- •Датчики температури із платини та нікелю
- •Термопари
- •Терморезистори із від’ємним і додатним
- •Кремнієві датчики
- •37 Датчики на основі металевої плівки
- •38 Термокондуктометричні та термохімічні
- •39 Тонкоплівкові газові датчики
- •40 Датчики вологості
- •41 Уявлення про тензоефект
- •42 Перетворення деформації тензорезистором
- •43 Передача деформації чутливому елементу
- •44 Металеві тензодатчики
- •45 Напівпровідникові та полімерні тензорезистори
- •46 Магніторезистивні датчики
- •47 Датчики Холла
- •Технологія одержання і застосування плівкових матеріалів
18.2 Карбід вольфраму
Систематичні дослідження умов утворення плівкових карбідів вольфраму (-W2C, - W2C і WC) та їх кристалічної структури проведені В.М. Ієвлєвим та ін.
Синтез карбідів здійснювався шляхом термовідпалювання або при фотонній обробці (ФО) плівкових систем W/C, C/W/C, C/W/W/C. Кристалічна структура і фазовий склад досліджувалися методами ПЕМ та рентгенографії. Товщина багатошарових зразків мала такі значення: 0,1 (W/C, C/W/C) та 0,5 мкм (W/C та C/W/W/C). Аналіз елементного складу здійснювався методом ОЕС.
Таблиця 1.10 – Питомий опір і мікротвердість деяких
нітридів
Нітрид |
Метод отриман-ня |
108, Омм |
Метод отриман-ня |
Н, ГПа |
Тов-щина, мкм |
TixN (x2) |
МР |
200 |
- |
- |
- |
TiN0,86 |
Електрон-ний циклотронний резонанс |
45 |
Іонно-дуговий розряд |
21,20,5; 28 |
20-25 5 |
TiN0,98 |
АРР |
110 |
МР |
24 |
5 |
TiN1,06 |
АРР |
82 |
Вакуум-не осад-ження |
32,43,7 |
5 |
TiNx (x1) (монокр.) |
МР |
18 |
- |
- |
- |
Оскільки фазові перетворення при двох методах відпалювання майже ідентичні, то можна говорити лише про субструктурні відміни при двох методах термообробки. Наведені в таблиці 1.11 дані дозволяють зрозуміти, у чому полягають відмінності фазового складу при ФО чи при швидкому термічному відпалюванні.
Таким чином, при ФО фаза WO3 не утворюється, а при швидкій термообробці (в 2с) фаза ОЦК W не повністю карбідизується, хоча при збільшенні в до 10 с з’являється карбід WC разом із W2С (відмітимо, що при ФО вдається синтезувати однофазний нанокристалічний карбід WC).
Таблиця 1.11 – Фазовий склад при термо- і фотонній
обробці
Багато-шарова система |
Режим синтезу, Джсм-2 |
Фазо-вий склад |
Тп, К |
Час від-палю-вання, с |
Фазовий склад |
W/C |
260 450 450 |
W2C W2C WC |
- |
- |
- |
C/W/C |
- |
- |
970 1270 1350 1350 |
2 2 2 10 |
W W+WO3 W+W2C W2C+WC |
C/W/.../W/C |
200 260 260 |
W2C W2C WC |
- |
- |
- |
Рентгенографічні дослідження дозволяють визначити тип і параметри решітки карбідних фаз. Фаза W2С має дві поліморфні модифікації із орторомбічною (часто її називають ромбічною) решіткою (а = 0,472; b = 0,603 та c=0,518 нм) та гексагональною (а = 0,299 та c = 0,472 нм). Оскільки у цих двох фазах міжплощинні відстані практичного однакові, то їх ідентифікацію необхідно здійснювати шляхом додаткового аналізу інтенсивностей дифракційних ліній. Карбід WC має гексагональну решітку з параметрами а = 0,291 та с = 0,284 нм.
Якщо узагальнити результати досліджень, то можна одержати таку послідовність утворення карбідних фаз:
W + C W + C + W2С C + W + W2С + WС WС.
Водночас у товстих плівкових системах спостерігаються деякі відхилення від цієї схеми.