- •Технологія одержання і застосування плівКових матеріалів
- •Проценко і.Ю., Шумакова н.І.
- •© І.Ю.Проценко, н.І Шумакова, 2008
- •Передмова...................................................................................... 7
- •Конструкції термовипарників та їх застосування……… 19
- •Передмова
- •1 Основи термодинаміки та кінетичної теорії газів
- •Рівноважний тиск пари
- •1.2 Розподіл атомів пари за швидкостями
- •1.3 Механізми випаровування рідин та твердих тіл
- •2 Конструкції термовипарників та їх застосування
- •2.1 Загальна інформація
- •2.2 Випаровування із дротів та металевої фольги
- •2.3 Випаровування із тиглів, матеріали тиглів
- •2.4 Випаровування матеріалів електронно-променевими методами
- •3 Вакуумно-плазмова технологія
- •4 Плазмові випарники
- •4.1 Випарники з випаровуванням матеріалу катода
- •4.2 Вакуумно-дугові випарники
- •4.3 Випарники з випаровуванням матеріалу анода
- •4.4 Електронно-променеві випарники
- •5 Метод іонного та реактивного розпилення
- •5.1 Іонне розпилення
- •5.2 Реактивне розпилення
- •6 Особливості випаровування сплавів та хімічних сполук
- •7 Методи контролю товщини плівок
- •7.1 Мікрозважування
- •7.2 Метод кварцового резонатора
- •7.3 Оптичні методи
- •7.4 Інші методи
- •8 Характеристика елемента карбону
- •9 Класифікація алотропів карбону
- •10 Фізичні властивості алотропів карбону
- •11 “Метастабільність алмазу” та шляхи його одержання
- •12 Хімічний синтез алмазу
- •13 До історії розвитку хімічного синтезу алмазу
- •14 Методи одержання алмазоподібних плівок
- •14.1 Термохімічні методи осадження
- •14.2 Електророзрядні методи
- •14.3 Комбіновані розряди
- •14.4 Методи одержання апп на атмосфері
- •15 Методи одержання гідрогенезованих
- •16 Методи одержання ультрадисперсних алмазів (уда) і наноалмазів (на)
- •17 Методи одержання
- •18 Хімічний склад і кристалічна структура
- •18.1 Нітрид титану
- •18.2 Карбід вольфраму
- •Задачі та вправи
- •19 Уявлення про адатом, кластер та критичний зародок
- •20 Залежність розміру критичного зародка від матеріалу плівки та підкладки
- •21 Механізми конденсації плівок, їх узагальнена діаграма
- •22 Чотири стадії росту плівки
- •22.1 Утворення острівців
- •22.2 Коалесценція острівців
- •22.3 Утворення каналів
- •22.4 Утворення суцільної плівки
- •23 Критична товщина і критична температура конденсації
- •24 Утворення дефектів у процесі росту плівки
- •24.1 Дислокації
- •24.2 Межі зерен
- •24.3 Шорсткість та пористість конденсатів
- •25 Епітаксіальний ріст плівок
- •25.1 Зародження епітаксіальних частинок
- •25.2 Механізми епітаксіального росту
- •26 Змінювання параметра решітки, псевдоморфний ріст плівок
- •27 Види спряжень кристалів при епітаксіальному рості
- •28 Субструктура полікристалічних плівок
- •29 Нанокристалічні та аморфні матеріали
- •30 Внутрішні макронапруження в конденсатах
- •30.1 Вплив температури підкладки
- •30.2 Причина виникнення макронапружень у
- •30.3 Вплив товщини плівок, швидкості конденсації та термообробки
- •30.4 Розрахунок величини st
- •30.5 Методи вимірювання s
- •Вплив іонного бомбардування підкладки на властивості плівок
- •32 Процес старіння в тонких плівках
- •Датчики температури із платини та нікелю
- •Термопари
- •Терморезистори із від’ємним і додатним
- •Кремнієві датчики
- •37 Датчики на основі металевої плівки
- •38 Термокондуктометричні та термохімічні
- •39 Тонкоплівкові газові датчики
- •40 Датчики вологості
- •41 Уявлення про тензоефект
- •42 Перетворення деформації тензорезистором
- •43 Передача деформації чутливому елементу
- •44 Металеві тензодатчики
- •45 Напівпровідникові та полімерні тензорезистори
- •46 Магніторезистивні датчики
- •47 Датчики Холла
- •Технологія одержання і застосування плівкових матеріалів
42 Перетворення деформації тензорезистором
Як відмічалося, зміна опору при деформації тензорезистора у загальному випадку визначається рівнянням (3.13’’), в якому коефіцієнт перетворення Кпр є функцією пружних та резистивних властивостей чутливого елемента. У теорії тензометрії допускається, що в інтервалі невеликих деформацій Кпрт не залежить від деформації. Якщо матеріал масивного тензорезистора однорідний (питомий опір однаковий в усіх точках), то рівняння (3.12’’) можна проінтегрувати:
й отримати такі співвідношення:
або , (3.15)
де Rп, Rк та lп, lк – початкове і кінцеве значення опору і довжини тензорезистора; - істинна деформація чутливого елемента (при рівномірній деформації від lп до lк знак середнього можна опустити, тобто ч), - функція перетворення деформації.
Із (3.15) випливає таке співвідношення:
. (3.15’)
Дане співвідношення є рівнянням перетворення відносної лінійної деформації чутливого елемента у відносну зміну його електричного опору. В загальному випадку рівняння (3.15’) нелінійне, але при малих значеннях Кпрт його можна лінеаризувати, оскільки
(3.16)
Скориставшись (3.16), рівняння (3.15’) можна записати так:
.
Функцію перетворення деформації (3.15’) можна записати через , якщо врахувати співвідношення (3.14):
. (3.15’’)
Із (3.15’’) знаходимо як функцію (), тобто
.*) (3.17)
Важливість цієї формули полягає в тому, що, знаючи величину тензочутливості К для резистора і заміряючи , можна розрахувати величину деформації для елементів різних конструкцій.
43 Передача деформації чутливому елементу
тензорезистора
Передача деформації до масивного тензорезистора характеризується функцією розподілу деформації ч вздовж довжини (бази) чутливого елемента. Середня деформація визначається таким рівнянням:
,
а деформація конструкції, як уже відмічалося, пов’язана із співвідношенням
* )Враховано, що при x<<1 ln(1+x)x.
= /Кпер.ч .
Таким чином, для знаходження Кпер.ч необхідно знати за умови, що задається експериментально. У свою чергу, для розрахунку необхідно знайти функцію ч(x). Це досить складна задача, і вона розв’язується лише для простих випадків форми тензорезистора (нитка, дротяний у вигляді петлі, фольговий, напівпровідниковий стержень). Найбільш простим тензорезистором є наклеєна на балку металева нитка довжиною l. Для розрахунків ч(x) враховується багато різних припущень, а саме:
у шарі зв’язуючої речовини виникають лише зсувні (дотичні) напруження, у той час як у чутливому елементі і в балці – тільки нормальні;
на кінцях резистора деформація ч береться рівною нулю, що є лише приблизно правильно;
зв’язуюча речовина є лінійно в’язкопружним тілом.
Розв’язок цієї деформаційної задачі має такий вигляд:
. (3.18)
Відповідно формула для Кпер.ч запишеться так:
, (3.19)
де b – коефіцієнт, який виражається через модулі зсуву зв’язуючої речовини і пружності чутливого елемента та площу його поперечного перерізу. Відмітимо, що для зазначених вище видів тензорезисторів співвідношення для та Кпер.ч мають вигляд, аналогічний до (3.18) і (3.19).
Ми розглянули випадок, коли деформація від конструкції до чутливого елемента здійснюється через зв’язуючу речовину. Це стосується тензорезисторів, які мають підкладку із клею (тензодатчики, 1-П, ФК, ФКПА та ін.). Але в тензометрії застосовуються також тензодатчики на підкладках із паперу, азбесту, склотканини тощо. У цьому випадку необхідно застосовувати схему послідовної передачі деформації від деталі через шар зв’язуючої речовини до підкладки, від підкладки через шар зв’язуючої речовини до чутливого елемента. Тоді коефіцієнт тензочутливості за аналогією до (3.14) можна записати так:
К = Кпер.п Кпер.ч Кпрт , (3.14’)
де Кпер.п – коефіцієнт передачі деформації від деталі до підкладки. Все сказане вище має місце і в тому випадку, коли використовується металева підкладка (тензодатчики НМТ-430, ТТ-60), яка приварюється до деталі.