- •1. Первичные преобразователи (датчики)
- •Измерения. Основные понятия
- •Метрологические характеристики
- •2. Схемы формирования сигналов пассивных датчиков
- •Потенциометрические схемы с резистивными датчиками
- •Дифференциальное включение датчиков
- •Использование мостовых схем
- •Расчёт мостового чувствительного элемента
- •Емкостные преобразователи перемещений
- •3. Разомкнутая и замкнутая структура измерительных устройств для датчиков
- •4. О физических свойствах веществ и эффектах в них, использованных в изделиях мст. Понятие тензора
- •О тензорном описании физических свойств кристаллов
- •Тензорное описание воздействий на кристалл (электрические, механические и тепловые воздействия) Электрическое воздействие
- •Механические воздействия
- •Тепловое расширение
- •5. Взаимная связь физических свойств и явлений в кристаллах
- •Пироэлектрический эффект
- •Пьезоэлектрический эффект
- •Историческая справка
- •Пьезоэлектрические материалы
- •6. Тензорезисторы
- •Конструкции тензорезисторов
- •7. Микросистемные датчики давления
- •8. Датчики ускорения, вибрации, удара, положения
- •Акселерометры
- •9. Вибрационные гироскопы
- •О применении микроакселерометров и гироскопов
- •10. Субмикронные магнитные сенсоры
- •Гигантское магнитное сопротивление (гмс)
- •11. Микросенсоры расхода (газа, жидкости)
- •12. Микронасосы
- •Клапанные микронасосы
- •Пьезоэлектрический возбудитель
- •Двухклапанный поршневой насос
- •Термопневматический микронасос
- •Бесклапанные микронасосы
- •Электрические микронасосы
- •13. Термоэлектрические сенсоры температуры
- •2. Резистивные сенсоры температуры
- •3. Полупроводниковые сенсоры температуры
- •4. Пьезоэлектрические датчики температуры
- •5. Использование сенсоров температуры в комбинации с другими преобразователями
- •5.1. Каталические сенсоры концентрации газов
- •5.2. Тепловые расходомеры
- •5.3. Акселерометры с нагревом газа
- •6. Бесконтактное измерение температуры
- •6.2. Принцип действия приемников теплового излучения
- •6.3. Сенсоры излучения на основе термоэлектрического и терморезистивного эффектов
- •6.4. Пироэлектрические датчики ик - излучения
- •6.5. Термопневматические детекторы
- •14. Характерные черты кристаллической структуры и виды химических связей
- •2. Описание структуры кристаллов. Пространственная решетка
- •3. Структура алмаза
- •4. Связь свойств кристаллов кремния со структурой его кристаллической решетки
- •5. Механические свойства монокристаллического кремния
- •6. Травление – один из способов формообразования при изготовлении элементов мст
Тепловое расширение
Отмечено, что деформация – полевой тензор, но если внешнее воздействие изотропно, а тело анизотропно, то деформация будет согласовываться со структурой кристалла. Пусть происходит однорядное изменение температуры (скалярное воздействие), тогда все компоненты тензора деформаций будет(в первом приближении) пропорциональны малому изменению температуры Δt
δij = αij Δt,
где коэффициенты теплового расширения αij – постоянные, образующие материальный тензор второго ранга,
α11 α12 α13
α21 α22 α23
α31 α32 α33.
Здесь α11, α22, α33 - главные коэффициенты теплового расширения вдоль осей x1, x2 ,x3.
Т. о. деформация по осям составит
δ11 = α11 Δt
δ22 = α22 Δt
δ33 = α33 Δt.
Важно отметить, что кристалл расширяется неодинаково вдоль трех главных осей. Если из кристалла вырезать шар, то в результате теплового расширения он превратится в трехосный эллипсоид.
5. Взаимная связь физических свойств и явлений в кристаллах
При описании свойств кристаллов обычно отдельные свойства и явления в них выделяются искусственно и рассматриваются независимо друг от друга. В действительности свойства кристаллов взаимосвязаны и при внешних воздействиях возникают несколько явлений переплетающихся друг с другом.
Так, при нагреве кристалла естественно происходит изменение его энтропии и теплового расширения, но при этом возникают термоупругие напряжения, а они, в свою очередь, вызывают электрическое поле вследствие пироэлектрического эффекта.
Воздействие электрического поля создает электрическую поляризацию, электростатический эффект, приводит к изменению размеров и механическим напряжением (обратный пьезоэлектрический эффект).
Одно и то же явление может быть вызвано разными воздействиями за счет разных свойств кристалла. Например, механическая деформация может быть связана с
- упругостью при механическом воздействии,
- пьезоэлектрическим эффектом под действием тока,
- тепловым расширением.
Таким образом от условий опыта зависит, что считать воздействием, а что – эффектом, так как свойства проявляются и могут быть использованы в сложном взаимодействии.
В некоторых случаях удается обобщить представления о взаимной связи физических свойств кристаллов. Обобщение сделано, например, для тепловых, механических и диэлектрических свойств диэлектрического кристалла. При этом необходимо соблюдать два условия: линейность процессов и их термодинамическая обратимость.
Выберем в качестве основных воздействий (независимых переменных) механическое напряжение Т, напряженность электрического поля E, температуру t и поместим их во внешние вершины треугольной диаграммы (рис. 14). Обусловленные этими воздействиями основные эффекты расположены в вершинах внутреннего треугольника. Обсудим их.
Механическое напряжение T создает деформацию δ, подчиняющуюся при малых значениях Т и δ закону Гука. Эффекту деформации соответствует отрезок 1 на диаграмме.
Воздействие электрического поля Е приводит к поляризации диэлектрика и создает электрическое смещение D (отрезок 2 на диаграмме).
Изменение температуры dt, вызывает изменение энтропии dU:
dU=C/t · dt,
где С - теплоемкость.
Эта связь представлена отрезком 3.
В диаграмме все линии связей между вершинами треугольников имеют определенный смысл. Так прямые связи внешних вершин характеризуют:
Отрезок 4 – электромеханические эффекты;
Отрезок 5 – электротермические;
Отрезок 6 – термоупругие.
Связи между вершинами внутреннего треугольника соответствуют следующим эффектам:
Электрическая поляризация может привести к деформации кристалла путем электрострикции (связь 15) или изменить его температуру из-за выделения теплоты поляризации(связь 13); Линия 14 характеризует теплоту, выделяющуюся при механической деформации.
Рис. 14. Схема взаимной связи равновесных физических свойств кристалла.
Т - механическое напряжение, δ – механическая деформация, t – температура, U – энтропия, 1 – упругость, 2 – диэлектрическая проницаемость, 3 – теплоемкость, 4 – электромеханические эффекты, 5 – электротермические эффекты, 6 – термоупругие эффекты, 7 – прямой пьезоэлектрический эффект, 8 – пьезокалорический эффект, 9 – обратный пьезоэлектрический эффект, 10 – электрокалорический эффект, 11 - тепловое расширение, 12 – пироэлектрический эффект, 13 – теплота поляризации, 14 – теплота деформации, 15 - электрострикция.
Из диаграммы следует, что связи между воздействиями и эффектами могут быть и не прямыми. Так, деформация δ возникает не только непосредственно за счет внешнего механического напряжения, но и за счет вторичных эффектов: напряжение Т создает электрическую поляризацию за счет пьезоэлектрического эффекта (связь 7), а возникшее электрическое поле вызовет деформацию из-за электрострикции (связь 15).
Другим примером служит вторичный (или ”ложный”) пироэлектрический эффект в пьезоэлектрических кристаллах. Его рассмотрим подробнее позднее.
Приведенный пример взаимосвязей свойств кристалла, естественно, не является исчерпывающим. Вообще не все свойства присущи кристаллам одного типа. Они связаны также с составом кристаллического вещества, типом симметрии его решетки и другими факторами. Например, оптические свойства, магнитные свойства формально присущи любому кристаллу, но практически для технических применений используются далеко не все. Не у всех кристаллов выражен пьезоэлектрический эффект. Например, кристаллы с решеткой алмазного типа (т.е. например Ge и Si) им не обладают, но он есть у арсенида галлия (решетка типа цинковой обманки). Но лучше всего это свойство изучено и шире всего используется у кристаллического кварца. Диаграмму, подобную рассмотренной, можно построить, например, для представления взаимосвязи оптических, механических и электрических свойств кристаллов, используемых для электро-акусто-оптической обработки информации.
Рассмотрим более подробно некоторые физические явления в кристаллах.