Приложение

Энергия ионизации – энергия, которую надо сообщить электрону, находящемуся в основном состоянии, для отрыва его от атома.

Энергия решетки – энергия, необходимая для того, чтобы разложить кристалл на составляющие его частицы и удалить их в бесконечность.

Энергия сродства к электрону – энергия, выделяемая при за-

хвате электрона нейтральным газообразным атомом, находящимся в состоянии с наименьшей энергией.

Число Авогадро (постоянная Авогадро) – физическая кон-

станта, равная количеству структурных единиц (атомов, молекул, ионов, электронов или любых других частиц) в одном моле вещества. Определяется как количество атомов в 12 граммах чистого изотопа углерода-12. Обозначается NA. Значение числа Авогадро, рекомендо-

ванное CODATA в 2006 г., – NA = 6,022 . 1023 моль−1.

ОБОЗНАЧЕНИЯ И ЕДИНИЦЫ НЕКОТОРЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН, РЕГЛАМЕНТИРОВАННЫЕ ОТЕЧЕСТВЕННЫМИ И МЕЖДУНАРОДНЫМИ СТАНДАРТАМИ

d – толщина диэлектрика конденсатора (м)

D – электрическая индукция (Кл · м–2); коэффициент прозрачности потенциального барьера;

е – элементарный заряд (заряд электрона) (е = 1,6 · 10–19 Кл) Е – напряженность электрического поля, энергия (В · м–1), (эВ) Еа – энергия активации, высота потенциального барьера (эВ) Еа – энергия акцепторного уровня (эВ)

Ед – энергия донорного уровня (эВ) Еи – энергия ионизации (эВ)

Епр – электрическая прочность (В · м–1) Ереш – энергия решетки (эВ)

Ес – энергия дна зоны проводимости (эВ) Еср – энергия сродства к электрону (эВ) Еv – энергия потолка валентной зоны (эВ)

Еm – амплитудное значение напряженности поля (В · м–1)

272

Приложение

Еg – ширина запрещенной зоны (эВ)

Епот – потенциальная энергия (эВ)

– постоянная Планка ( = 1,054 · 10–34 Дж · с) Iсм – ток смещения (А)

Iабс – ток абсорбции (А)

Iскв – сквозной ток через диэлектрик (А) Iут – ток утечки (А)

Iоб – объемный ток (А)

Iпов – поверхностный ток (А)

Iпол – поляризационный ток (А)

Jабс – плотность тока абсорбции (А · м–2)

Jион – плотность ионного тока (А · м–2)

Jоб – плотность объемного тока (А · м–2)

Jскв – плотность сквозного тока через диэлектрик (А · м–2) Jсм – плотность тока смещения (А · м–2)

Jут – плотность тока утечки (А · м–2) kупр – коэффициент упругой связи

k – постоянная Больцмана ( k = 1,38 · 10–23 Дж · К–1)

l – расстояние между центрами положительных и отрицательных зарядов в молекуле (плечо диполя); длина; средняя длина свободного пробега носителей заряда между столкновениями (м)

mn – эффективная масса электронов (кг) mp – эффективная масса дырок (кг)

М – электрический момент (Кл м)

N – число частиц в единичном объеме (м–3)

NА – число Авогадро (NA = 6,022 · 1023 моль−1)

Nс – эффективная плотность состояний в зоне проводимости (м–3) ni – собственная концентрация носителей заряда (м–3)

n – концентрация носителей заряда (м–3) ne – концентрация электронов (м–3)

n+ , n− – концентрация положительных (отрицательных) ионов (м–3)

p – концентрация дырок (м–3) P – поляризованность (Кл · м–2)

Pопт – установившееся значение поляризованности диэлектрика, обусловленное оптическими видами поляризации (Кл · м–2)

Pm – амплитудное значение поляризованности (Кл · м–2) P (t) – поляризованность в момент времени t (Кл · м–2)

273

Приложение

Pрел (t) – релаксационная поляризованность в момент времени t

(Кл · м–2)

Pрел a (t) – активная составляющая релаксационной поляризованности (Кл · м–2)

Pрел am – амплитудное значение активной составляющей релаксационной поляризованности (Кл · м–2)

Pрел m – амплитудное значение релаксационной составляющей полной поляризованности (Кл · м–2)

Pрел r (t) – реактивная составляющая релаксационной поляризованности (Кл · м–2)

Pрел rm – амплитудное значение реактивной составляющей релаксационной поляризованности (Кл · м–2)

Pст – установившееся значение поляризованности диэлектрика (статическое значение), которую имеет диэлектрик в постоянном электрическом поле (Кл · м–2)

Pрел.ст– установившееся значение поляризованности, обусловленное релаксационными видами поляризации (Кл · м–2)

Pд-р (t) – дипольно-релаксационная поляризованность в момент времени t ( (Кл · м–2)

Pд-р.ст – установившееся значение дипольно-релаксационной поляризованности (Кл · м–2)

PФ (t) – текущее значение поляризованности, изменяющейся в фазе с поляризующим полем (Кл · м–2)

PФ m – амплитудное значение поляризованности, изменяющейся в фазе с поляризующим полем (Кл · м–2)

R – коэффициент отражения микрочастицы от потенциального

барьера

S – площадь (м2)

Т – температура (К, °С), период колебаний (с)

tg δ – безразмерная величина, характеризующая потери в ди-

электрике

V – объем (м3)

Vат – объем, занимаемый атомом (атомный объем) (м3) Х – электроотрицательность (эВ)

U – напряжение (В)

Uпр – пробивное напряжение (В)

W – диэлектрические потери (Вт)

w – удельные диэлектрические потери (Вт · м–3) t – время (с)

274

Приложение

z – валентность атома, координационное число α – поляризуемость частицы (м3)

αион – коэффициент ударной ионизации δ – угол диэлектрических потерь (град)

χ – диэлектрическая восприимчивость (безразмерная характеристика); сродство к электрону (эВ)

ε0 – электрическая постоянная (ε0 = 8,85 10−12 Ф м-1 )

ε – относительная диэлектрическая проницаемость (безразмерная характеристика)

ε (ω) – комплексная диэлектрическая проницаемость

ε′ (ω) – действительная часть комплексной диэлектрической проницаемости

ε′′(ω) – мнимая часть комплексной диэлектрической проницае-

мости εст – статическая диэлектрическая проницаемость, которую име-

ет диэлектрик в постоянном электрическом поле εопт – диэлектрическая проницаемость, обусловленная безинер-

ционными видами поляризации εэфф – эффективная диэлектрическая проницаемость композици-

онного диэлектрика σ – удельная электропроводность (См · м–1), (Ом · м)–1

σпов – поверхностная плотность связанных зарядов (Кл · м–2) μ0 – собственный дипольный момент молекулы (Кл · м)

μ0 – вектор собственного электрического момента частицы

(Кл · м)

μинд – вектор индуцированного дипольного момента частицы

(Кл · м)

μ– подвижность носителей заряда (м2 · В–1 · с–1)

μ+ , μ+ – подвижность положительных (отрицательных) ионов

вгазе (м2 · В–1 · с–1)

ω – частота колебаний, круговая частота (с–1, Гц) τ – время релаксации (с)

τn – время жизни электронов (с) τр – время жизни дырок (с)

ϕ = arctg (ωτ) – угол сдвига фаз между векторами поляризованности и поляризующего поля; угол сдвига фаз между полным током в диэлектрике и напряжением (град)

275

Приложение

ρS – удельное поверхностное сопротивление (Ом/квадрат) ρV – удельное объемное сопротивление (Ом · м)

ξ – коэффициент рекомбинации ионов (м3 · с–1)

η– коэффициент динамической вязкости (Па · с)

Ψ– волновая функция микрочастицы

Φ – работа выхода (эВ)

Φд – работа выхода диэлектрика (эВ) ΦMе – работа выхода металла (эВ)

ϖ – вероятность прохождения частиц через потенциальный барьер

276