- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •ВВЕДЕНИЕ
- •Глава 1. ЭЛЕМЕНТЫ КРИСТАЛЛОФИЗИКИ
- •1.1. Основные понятия и определения
- •1.3. Симметрия твердых тел
- •1.4. Основные типы кристаллических структур
- •1.5. Политипизм, полиморфизм и изоморфизм
- •1.6. Аморфные твердые тела
- •1.8. Дефекты структуры реальных кристаллов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 2. ЭЛЕМЕНТЫ КРИСТАЛЛОХИМИИ
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. Химическая связь. Типы химической связи
- •2.3. Основные типы кристаллов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 3. ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •3.1. Характерные особенности диэлектриков
- •3.2. Полярные и неполярные молекулы. Собственный и индуцированный дипольный момент
- •3.3. Поляризация диэлектриков в постоянном поле
- •3.4. Относительная диэлектрическая проницаемость. Уравнение Клаузиуса – Мосотти
- •3.5. Виды и механизмы поляризации
- •3.8. Частотная зависимость диэлектрической проницаемости
- •3.9. Диэлектрическая проницаемость композиционных диэлектриков
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 4. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •4.1. Особенности электропроводности диэлектриков. Основные понятия и определения
- •4.2. Виды электропроводности диэлектриков
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 5. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Тангенс угла диэлектрических потерь
- •5.3. Виды диэлектрических потерь
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 6. ПРОБОЙ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •6.3. Пробой газообразных диэлектриков
- •6.4. Пробой жидких диэлектриков
- •6.5. Пробой твердых диэлектриков
- •6.6. Пробой неоднородных диэлектриков
- •Контрольные вопросы и задания
- •ЗАКЛЮЧЕНИЕ
- •БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
- •ПРИЛОЖЕНИЕ
- •КРАТКИЙ ТЕРМИНОЛОГИЧЕСКИЙ СЛОВАРЬ
- •ОБОЗНАЧЕНИЯ И ЕДИНИЦЫ НЕКОТОРЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН, РЕГЛАМЕНТИРОВАННЫЕ ОТЕЧЕСТВЕННЫМИ И МЕЖДУНАРОДНЫМИ СТАНДАРТАМИ
- •ОГЛАВЛЕНИЕ
Глава 1. Элементы кристаллофизики
Индуцированная неоднородность – неоднородность, вызываемая процессами адсорбции, когда поверхность покрывается слоем адсорбированных атомов из окружающей среды. Приведем некоторые цифры, характеризующие процесс образования адсорбционных слоев. Если остаточное давление газа над поверхностью составляет 10–1 Па, коэффициент конденсации равен 1, а число мест, доступных для адсорбции,
при образовании моноатомного слоя равно 1,5 · 1015 |
(для N2 на W), |
то адсорбционный моноатомный слой образуется |
на поверхности |
в течение ~ 3 с. При остаточном давлении 10–4 Па для образования монослоя требуется уже ~ 3 · 104 с.
На морфологию поверхности в значительной степени влияет и температура. Установлено, что с повышением температуры (~ до 0,5Тпл) расстояние между ступенями террас изменяется. Кроме того, они теряют свою прямолинейную форму и изгибаются – происходит «огрубление» поверхности. Затем появляются островки произвольной формы, и структура становится полностью неупорядоченной (неограниченно шероховатой).
Контрольные вопросы и задания
1.В чем заключается различие между дальним и ближним порядком в твердых телах?
2.Какими величинами описывается кристаллическая решетка?
3.Что называется трансляционной (элементарной) ячейкой?
4.В чем состоит общность и различие между монокристаллическими, поликристаллическими и аморфными фазами?
5.Дайте определение следующим понятиям: кристаллическая решетка; кристаллическая структура; кристаллическая система (сингония); трансляционная симметрия и точечная симметрия; точечные
ипространственные группы симметрии; примитивные ячейки, сложные ячейки и ячейки Браве.
6.Приведите обозначение пространственного положения атомной плоскости.
7.Приведите обозначение кристаллографического направления.
8.Дайте определение поворотной симметрии.
9.Приведите примеры тел, имеющих поворотные оси четвертого и шестого порядка.
10.Сформулируйте определение координационного числа.
75