- •Лабораторная работа 1 температурная зависимость проводимости полупроводниковых материалов
- •1.1 Основные понятия и определения
- •1.2. Описание образцов, использованных в работе
- •1.3. Описание установки
- •1.4. Проведение испытаний
- •1.5. Обработка результатов.
- •1.6. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 2 исследование полупроводниковых выпрямительных диодов
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. Описание установки
- •2.3. Проведение исследований
- •2.3.1. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики
- •2.3.2. Исследование обратной ветви вольт-амперной характеристики
- •2.3.3. Исследование частотных свойств выпрямительного диода
- •2.3.4 Исследование вольт-амперной характеристики диодов при повышенной температуре
- •2.4. Обработка результатов
- •2.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 3 исследование статических характеристик и параметров биполярного транзистора
- •3.1. Основные понятия и определения
- •3.2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора методом характериографа
- •3.2.1. Описание установки
- •3.2.2. Исследование статических характеристик транзистора
- •3.2.3. Исследование статических коэффициентов передачи тока транзистора
- •3.2.4. Измерение обратного тока коллектора
- •3.2.5. Исследование пробивного напряжения транзистора
- •3.3. Обработка результатов и расчет параметров
- •3.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 4 исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
- •4.1. Основные понятия и определения
- •4.2. Описание установки
- •4.3. Проведение измерений
- •4.4. Обработка результатов и расчет параметров
- •4.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 5 исследование биполярного транзистора при работе на малом переменном сигнале
- •5.1. Основные понятия и определения
- •5.2. Описание установки
- •5.3. Проведение испытаний
- •5.3.1. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общей базой
- •5.3.2. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общим эмиттером
- •5.3.3. Исследование частотных зависимостей коэффициентов передачи токов эмиттера и базы
- •5.4. Обработка результатов
- •5.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 6 исследование импульсных свойств биполярного транзистора
- •6.1. Основные понятия и определения
- •6.2. Схема установки
- •6.3. Проведение испытаний
- •6.3.1. Подготовка к испытаниям
- •6.3.2. Исследование зависимости времени нарастания и времени рассасывания от напряжения источника питания в цепи коллектора
- •6.3.3. Исследование зависимости времени нарастания и времени рассасывания от амплитуды импульса тока эмиттера
- •6.4. Обработка результатов
- •6.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 7 исследование интегральных микросхем
- •7.1. Основные понятия и определения
- •7.2. Описание установки
- •7.3. Проведение испытаний
- •7.3.1. Определение логических операций, выполняемых полупроводниковой микросхемой
- •7.3.2. Исследование входной и прямой передаточной характеристик логической полупроводниковой микросхемы
- •7.3.3. Определение мощности, потребляемой логической полупроводниковой микросхемой
- •7.3.4. Изучение конструкции гибридной имс
- •7.4. Обработка результатов и расчет параметров
- •7.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 8 исследование полупроводниковых источников излучения
- •8.1. Основные понятия и определения
- •8.2. Описание установки
- •8.3 Проведение измерений
- •8.3.1. Исследование спектральных характеристик сид
- •8.3.2. Исследование яркостных и вольт-амперных характеристик сид
- •8.3.3. Исследование яркостной характеристики ил
- •8.3.4. Исследование спектральных характеристики ил
- •8.4. Обработка результатов
- •9.1. Основные понятия и определения
- •9.2. Описание установки
- •9.3. Проведение испытаний
- •9.3.1. Исследование спектральной характеристики фд
- •9.3.2. Исследование световых характеристик фд
- •9.4. Обработка результатов
- •9.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 10 исследование полупроводниковых стабилитронов и стабистора
- •10.1. Основные понятия и определения
- •10.2. Установка для исследований
- •10.3. Порядок проведения исследований
- •10.3.1. Исследование вах стабилитрона
- •10.3.2. Исследование параметров стабилитронов
- •10.3.3. Исследование параметрического стабилизатора напряжения
- •10.4. Обработка экспериментальных результатов и расчет параметров
- •10.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 11 исследование тиристора
- •11.1. Основные понятия и определения
- •11.2. Описание установки
- •11.3. Проведение исследований
- •11.3.1. Исследование вольт-амперной характеристики тиристора
- •11.3.2. Измерение параметров тиристора
- •11.3.3. Исследование зависимости напряжения включения тиристора от тока управляющего электрода
- •11.3.4. Исследование параметров тиристора при повышенной температуре
- •11.3.5. Исследование регулятора мощности
- •11.4. Обработка результатов
- •11.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 12 исследование туннельных диодов
- •12.1. Основные понятия и определения
- •12.2. Описание установок для проведения исследований
- •12.2.1. Схема для исследования вольт-амперной характеристики тд
- •12.2.2. Схема для изучения эффекта дискретно-аналоговой памяти
- •12.2.3. Схема для исследования эффектов усиления и генерации электрических сигналов
- •12.3. Порядок проведения исследований
- •12.3.1. Исследование вольт-амперной характеристики
- •12.3.2. Исследование функции дискретно-аналоговой памяти
- •12.3.3. Изучение эффекта усиления
- •12.3.4. Изучение эффекта генерации
- •12.4. Обработка результатов
- •12.5. Контрольные вопросы
- •Список рекомендованной литературы
- •Содержание
6.2. Схема установки
Схема установки для исследования транзистора при работе на импульсах показана на рис. 6.2. Импульс тока эмиттера создается с помощью генератора прямоугольных импульсов G1. Амплитуда этого импульса определяется амплитудой импульса напряжения генератора и сопротивлением резистора R1, так как это сопротивление значительно превышает входное сопротивление транзистора.
Коллекторная цепь транзистора соединена с источником постоянного напряжения G2 через нагрузочный резистор R2. При увеличении амплитуды тока эмиттера (в режиме насыщения) амплитуда импульса тока коллектора практически ограничена ЭДС источника питания G2 и сопротивлением нагрузочного резистора R2. С увеличением амплитуды импульсов тока эмиттера происходит накопление неосновных носителей в базе транзистора, и он переходит в режим насыщения, т. е. во включенное состояние.
|
Рис. 6.2. Схема установки для исследования транзистора при работе на импульсах |
На экране осциллографа можно наблюдать импульсы тока эмиттера и коллектора, так как на пластины вертикального отклонения первого и второго каналов одновременно поступают импульсы напряжения с входного (R1) и нагрузочного (R2) резисторов, пропорциональные соответствующим токам. Наибольший интерес в данной лабораторной работе представляют форма и длительность импульса коллекторного, т. е. выходного, тока.
6.3. Проведение испытаний
6.3.1. Подготовка к испытаниям
На генераторе импульсов (прибор Г5-15) переключатель "Временной сдвиг" поставить в положение "1,0 мкс". Переключатели "Длительность импульса" установить в положение "6". Тумблер "Измерение амплитуды" включить. С помощью регуляторов "Частота повторения" и "Диапазоны частот следования" установить частоту повторения импульсов 5 кГц. Полярность выходных импульсов установить положительной, так как предстоит исследовать транзистор типа p-n-p. Также установить положительной полярность импульсов синхронизации. Регулятор "Амплитуда" импульса синхронизации поставить в среднее положение.
На осциллографе (прибор С1-93) включить ждущую развертку, вытянув на себя переключатель "Уровень". На блоке управления "синхронизация" установить диапазон амплитуды внешних синхроимпульсов "0,5–5". Для одновременного наблюдения входного и выходного импульсов тока необходимо нажать кнопку "". Соединить выход генератора импульсов со входом "" установки, разъемы установки "iвх" и "iвых" соединить со входами I и II каналов осциллографа. Выход импульса синхронизации генератора соединить со входом синхронизации осциллографа "".
Включить установку, генератор импульсов Г5-15 и осциллограф. На генераторе импульсов регулятором "Измерение амплитуды" установить указательный лимб в положение "20 В". Вращая регулятор "Амплитуда импульса", добиться зажигания неоновой индикаторной лампы. Порог зажигания соответствует заданному значению амплитуды импульсов напряжения на выходе генератора импульсов. Добиться четкого изображения на экране осциллографа импульсов эмиттерного и коллекторного токов, вид которых должен соответствовать рис. 6.1, б и в.