- •Лабораторная работа 1 температурная зависимость проводимости полупроводниковых материалов
- •1.1 Основные понятия и определения
- •1.2. Описание образцов, использованных в работе
- •1.3. Описание установки
- •1.4. Проведение испытаний
- •1.5. Обработка результатов.
- •1.6. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 2 исследование полупроводниковых выпрямительных диодов
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. Описание установки
- •2.3. Проведение исследований
- •2.3.1. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики
- •2.3.2. Исследование обратной ветви вольт-амперной характеристики
- •2.3.3. Исследование частотных свойств выпрямительного диода
- •2.3.4 Исследование вольт-амперной характеристики диодов при повышенной температуре
- •2.4. Обработка результатов
- •2.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 3 исследование статических характеристик и параметров биполярного транзистора
- •3.1. Основные понятия и определения
- •3.2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора методом характериографа
- •3.2.1. Описание установки
- •3.2.2. Исследование статических характеристик транзистора
- •3.2.3. Исследование статических коэффициентов передачи тока транзистора
- •3.2.4. Измерение обратного тока коллектора
- •3.2.5. Исследование пробивного напряжения транзистора
- •3.3. Обработка результатов и расчет параметров
- •3.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 4 исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
- •4.1. Основные понятия и определения
- •4.2. Описание установки
- •4.3. Проведение измерений
- •4.4. Обработка результатов и расчет параметров
- •4.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 5 исследование биполярного транзистора при работе на малом переменном сигнале
- •5.1. Основные понятия и определения
- •5.2. Описание установки
- •5.3. Проведение испытаний
- •5.3.1. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общей базой
- •5.3.2. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общим эмиттером
- •5.3.3. Исследование частотных зависимостей коэффициентов передачи токов эмиттера и базы
- •5.4. Обработка результатов
- •5.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 6 исследование импульсных свойств биполярного транзистора
- •6.1. Основные понятия и определения
- •6.2. Схема установки
- •6.3. Проведение испытаний
- •6.3.1. Подготовка к испытаниям
- •6.3.2. Исследование зависимости времени нарастания и времени рассасывания от напряжения источника питания в цепи коллектора
- •6.3.3. Исследование зависимости времени нарастания и времени рассасывания от амплитуды импульса тока эмиттера
- •6.4. Обработка результатов
- •6.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 7 исследование интегральных микросхем
- •7.1. Основные понятия и определения
- •7.2. Описание установки
- •7.3. Проведение испытаний
- •7.3.1. Определение логических операций, выполняемых полупроводниковой микросхемой
- •7.3.2. Исследование входной и прямой передаточной характеристик логической полупроводниковой микросхемы
- •7.3.3. Определение мощности, потребляемой логической полупроводниковой микросхемой
- •7.3.4. Изучение конструкции гибридной имс
- •7.4. Обработка результатов и расчет параметров
- •7.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 8 исследование полупроводниковых источников излучения
- •8.1. Основные понятия и определения
- •8.2. Описание установки
- •8.3 Проведение измерений
- •8.3.1. Исследование спектральных характеристик сид
- •8.3.2. Исследование яркостных и вольт-амперных характеристик сид
- •8.3.3. Исследование яркостной характеристики ил
- •8.3.4. Исследование спектральных характеристики ил
- •8.4. Обработка результатов
- •9.1. Основные понятия и определения
- •9.2. Описание установки
- •9.3. Проведение испытаний
- •9.3.1. Исследование спектральной характеристики фд
- •9.3.2. Исследование световых характеристик фд
- •9.4. Обработка результатов
- •9.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 10 исследование полупроводниковых стабилитронов и стабистора
- •10.1. Основные понятия и определения
- •10.2. Установка для исследований
- •10.3. Порядок проведения исследований
- •10.3.1. Исследование вах стабилитрона
- •10.3.2. Исследование параметров стабилитронов
- •10.3.3. Исследование параметрического стабилизатора напряжения
- •10.4. Обработка экспериментальных результатов и расчет параметров
- •10.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 11 исследование тиристора
- •11.1. Основные понятия и определения
- •11.2. Описание установки
- •11.3. Проведение исследований
- •11.3.1. Исследование вольт-амперной характеристики тиристора
- •11.3.2. Измерение параметров тиристора
- •11.3.3. Исследование зависимости напряжения включения тиристора от тока управляющего электрода
- •11.3.4. Исследование параметров тиристора при повышенной температуре
- •11.3.5. Исследование регулятора мощности
- •11.4. Обработка результатов
- •11.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 12 исследование туннельных диодов
- •12.1. Основные понятия и определения
- •12.2. Описание установок для проведения исследований
- •12.2.1. Схема для исследования вольт-амперной характеристики тд
- •12.2.2. Схема для изучения эффекта дискретно-аналоговой памяти
- •12.2.3. Схема для исследования эффектов усиления и генерации электрических сигналов
- •12.3. Порядок проведения исследований
- •12.3.1. Исследование вольт-амперной характеристики
- •12.3.2. Исследование функции дискретно-аналоговой памяти
- •12.3.3. Изучение эффекта усиления
- •12.3.4. Изучение эффекта генерации
- •12.4. Обработка результатов
- •12.5. Контрольные вопросы
- •Список рекомендованной литературы
- •Содержание
9.2. Описание установки
Характеристики ФД исследуются с помощью монохроматора, схема которого представлена на рис. 9.1. Световой поток от галогенной лампы E, питаемой от источника G, через фокусирующую систему и щель монохроматора F1, ширина которой регулируется микрометрическим винтом, поступает на диспергирующее устройство . Это устройство представляет собой призму, поворачивая которую с помощью барабана, можно освещать ФД светом с различной длиной волны. Далее через щель F2, от ширины которой зависит разрешающая способность монохроматора, световой поток падает на ФД. К его выводам подключается универсальный прибор для измерения фототока и фотоЭДС.
|
Рис. 9.1. Схема монохроматора для исследования характеристик ФД |
В работе исследуются два фотодиода: ФД1 (на основе кремния Si) и ФД2 (на основе арсенида галлия GaAs). Они включаются в схему с помощью переключателей S1 и S2, расположенных на лицевой панели установки.
9.3. Проведение испытаний
9.3.1. Исследование спектральной характеристики фд
Перед измерениями подготовить к работе универсальный прибор, включив его в сеть и прогрев не менее 5 мин. Переключателем S2, поставив его в верхнее положение, включить в схему ФД1. Подключить к схеме универсальный прибор. С помощью микрометрического винта установить ширину щели F1 – 1 мм, а щели F2 – 0,4 мм. Включить лампу Е. Измерять фототок короткого замыкания Iк. з, устанавливая деления барабана монохроматора в соответствии с таблицей, находящейся на лицевой панели установки. Результаты записать в табл. 9.1.
Таблица 9.1
Номер фотодиода |
Деление по барабану |
, мкм |
Э, у. е. |
Iк. з, мА |
I'к. з, мА |
|
|
|
|
|
|
По той же таблице определить длину волны падающего на ФД света, соответствующую делениям барабана монохроматора, а также энергию излучения Э, отвечающую этим длинам волн. Данные записать в табл. 9.1. В том же порядке провести измерения для ФД2, поставив переключатель S1 в верхнее положение, а переключатель S2 – в нижнее.
9.3.2. Исследование световых характеристик фд
Для указанного преподавателем фотодиода установить барабан монохроматора на деление, соответствующее максимуму спектральной характеристики. Пользуясь универсальным прибором, измерить фототок короткого замыкания Iк. з и напряжение холостого хода Uх. х при следующих значениях ширины щели d монохроматора: 0,01; 0,02; 0,03; 0,04; 0,05; 0,07; 0,10; 0,15; 0,20; 0,30; 0,40; 0,50; 0,70; 0,01; 1,00; 1,30 мкм;
Таблица 9.2
Номер фотодиода |
d, мм |
Iк. з, мА |
Uх. х, мВ |
|
|
|
|
Результаты измерений занести в табл. 9.2.
9.4. Обработка результатов
1. Вычислить приведенный фототок короткого замыкания (изменения фототока под действием единичной энергии падающего света) . Результаты записать в табл. 9.1.
2. По данным табл. 9.1 построить спектральные характеристики исследованных ФД, откладывая по оси абсцисс , а по оси ординат – значения в логарифмическом масштабе.
3. Пользуясь графиком этой зависимости, найти пороговое значение длины волны фоточувствительности пор. Для ФД1 этот параметр определить по спектральному положению наиболее крутого участка кривой в длинноволновой области, для ФД2 – по спектральному положению максимума.
4. По полученному значению пор вычислить ширину запрещенной зоны исходных материалов из формулы (9.1).
5. По данным табл. 9.2 построить световые характеристики исследованного ФД, откладывая по оси абсцисс d, а по оси ординат Iк. з и Uх. х.