3.2.3. Исследование статических коэффициентов передачи тока транзистора

Для исследования статического коэффициента передачи тока эмиттера в схеме с ОБ установить напряжение на коллекторе 5 В. Поддерживая постоянным это напряжение, изменять ток эмиттера от 5 до 25 мА через 5 мА и измерять ток коллектора стрелочным прибором PA. Результаты записать в табл. 3.1.

Таблица 3.1

IЭ, мА	IК, мА

Для исследования статического коэффициента передачи тока базы в схеме с ОЭ установить напряжение на коллекторе 5 В. Поддерживая это напряжение постоянным, изменять ток базы от 0,5 до 2 мА через 0,5 мА и измерять ток коллектора стрелочным прибором PA. Результаты записать в табл. 3.2.

Таблица 3.2

IБ, мА	IК, мА

3.2.4. Измерение обратного тока коллектора

Для измерения обратного тока коллектора переключатель рода работ установить в положение "I_К", напряжение на коллекторе – 5 В. Изменяя сопротивление в цепи базы транзистора с помощью переключателя S4, измерить обратный ток коллектора для схемы с ОБ I_КБО (R_Б  ), обратный ток коллектора для схемы с ОЭ I_КЭО (R_Б  ) и ток коллектора в схеме с ОЭ при разных сопротивлениях в цепи базы I_КЭR (R_Б = 0,1; 1,0 кОм). Результаты записать в табл. 3.3.

Таблица 3.3

IКБО, мкА	IКЭО, мкА	IКЭR, мкА
		RБ = 0,1 кОм	RБ = 1,0 кОм

3.2.5. Исследование пробивного напряжения транзистора

Для измерения пробивного напряжения переключатель рода работ установить в положение "U_проб". Установить масштаб горизонтального отклонения осциллографа "1 В/дел"10. Измерить пробивное напряжение коллекторного перехода транзистора в схеме с ОБ U_КБОпр с помощью осциллографа, учитывая масштаб по горизонтальной оси (10 В/дел.). В схеме с ОЭ измерить напряжение U_КЭRпр при разных сопротивлениях в цепи базы транзистора (R_Б = 0; 0,1; 1,0 кОм; ∞). Зарисовать зависимости коллекторного тока от на-пряжения на коллекторе для схем с ОБ и ОЭ. Результаты записать в табл. 3.4.

Таблица 3.4

Схема с ОБ	Схема с ОЭ
UКБОпр, В	UКЭКпр, В (RБ = 0)	UКЭRпр, В		UКЭОпр, В (RБ )
		RБ = 0,1 кОм	RБ = 1,0 кОм

3.3. Обработка результатов и расчет параметров

1. По данным, приведенным в 3.2.2, построить семейства входных и выходных статических характеристик транзистора в схемах с ОБ и с ОЭ, т. е. зависимости при U_КБ = const, при I_Э = const, при U_КЭ = const, при I_Б = const.

2. По данным, приведенным в 3.2.3, рассчитать статические коэффициенты передачи токов эмиттера и базы, используя соотношения (3.1) и (3.2). Построить зависимость .

3. По данным, приведенным в 3.2.4, рассчитать по формуле

.

Сравнить полученное значение с экспериментальным из табл. 3.3.

4. По данным, приведенным в 3.2.5, и значению рассчитать показатель степени b в выражении для коэффициента лавинного размножения, используя соотношение между пробивными напряжениями транзистора в схемах с ОЭ и с ОБ: .

5. По выходным статическим характеристикам для схем с ОБ и с ОЭ методом графического дифференцирования рассчитать выходные проводимости транзистора и при U_КБ и U_КЭ, равных 5 В, используя соотношения

; .