- •Лабораторная работа 1 температурная зависимость проводимости полупроводниковых материалов
- •1.1 Основные понятия и определения
- •1.2. Описание образцов, использованных в работе
- •1.3. Описание установки
- •1.4. Проведение испытаний
- •1.5. Обработка результатов.
- •1.6. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 2 исследование полупроводниковых выпрямительных диодов
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. Описание установки
- •2.3. Проведение исследований
- •2.3.1. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики
- •2.3.2. Исследование обратной ветви вольт-амперной характеристики
- •2.3.3. Исследование частотных свойств выпрямительного диода
- •2.3.4 Исследование вольт-амперной характеристики диодов при повышенной температуре
- •2.4. Обработка результатов
- •2.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 3 исследование статических характеристик и параметров биполярного транзистора
- •3.1. Основные понятия и определения
- •3.2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора методом характериографа
- •3.2.1. Описание установки
- •3.2.2. Исследование статических характеристик транзистора
- •3.2.3. Исследование статических коэффициентов передачи тока транзистора
- •3.2.4. Измерение обратного тока коллектора
- •3.2.5. Исследование пробивного напряжения транзистора
- •3.3. Обработка результатов и расчет параметров
- •3.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 4 исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
- •4.1. Основные понятия и определения
- •4.2. Описание установки
- •4.3. Проведение измерений
- •4.4. Обработка результатов и расчет параметров
- •4.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 5 исследование биполярного транзистора при работе на малом переменном сигнале
- •5.1. Основные понятия и определения
- •5.2. Описание установки
- •5.3. Проведение испытаний
- •5.3.1. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общей базой
- •5.3.2. Исследование h-параметров транзистора в схеме с общим эмиттером
- •5.3.3. Исследование частотных зависимостей коэффициентов передачи токов эмиттера и базы
- •5.4. Обработка результатов
- •5.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 6 исследование импульсных свойств биполярного транзистора
- •6.1. Основные понятия и определения
- •6.2. Схема установки
- •6.3. Проведение испытаний
- •6.3.1. Подготовка к испытаниям
- •6.3.2. Исследование зависимости времени нарастания и времени рассасывания от напряжения источника питания в цепи коллектора
- •6.3.3. Исследование зависимости времени нарастания и времени рассасывания от амплитуды импульса тока эмиттера
- •6.4. Обработка результатов
- •6.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 7 исследование интегральных микросхем
- •7.1. Основные понятия и определения
- •7.2. Описание установки
- •7.3. Проведение испытаний
- •7.3.1. Определение логических операций, выполняемых полупроводниковой микросхемой
- •7.3.2. Исследование входной и прямой передаточной характеристик логической полупроводниковой микросхемы
- •7.3.3. Определение мощности, потребляемой логической полупроводниковой микросхемой
- •7.3.4. Изучение конструкции гибридной имс
- •7.4. Обработка результатов и расчет параметров
- •7.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 8 исследование полупроводниковых источников излучения
- •8.1. Основные понятия и определения
- •8.2. Описание установки
- •8.3 Проведение измерений
- •8.3.1. Исследование спектральных характеристик сид
- •8.3.2. Исследование яркостных и вольт-амперных характеристик сид
- •8.3.3. Исследование яркостной характеристики ил
- •8.3.4. Исследование спектральных характеристики ил
- •8.4. Обработка результатов
- •9.1. Основные понятия и определения
- •9.2. Описание установки
- •9.3. Проведение испытаний
- •9.3.1. Исследование спектральной характеристики фд
- •9.3.2. Исследование световых характеристик фд
- •9.4. Обработка результатов
- •9.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 10 исследование полупроводниковых стабилитронов и стабистора
- •10.1. Основные понятия и определения
- •10.2. Установка для исследований
- •10.3. Порядок проведения исследований
- •10.3.1. Исследование вах стабилитрона
- •10.3.2. Исследование параметров стабилитронов
- •10.3.3. Исследование параметрического стабилизатора напряжения
- •10.4. Обработка экспериментальных результатов и расчет параметров
- •10.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 11 исследование тиристора
- •11.1. Основные понятия и определения
- •11.2. Описание установки
- •11.3. Проведение исследований
- •11.3.1. Исследование вольт-амперной характеристики тиристора
- •11.3.2. Измерение параметров тиристора
- •11.3.3. Исследование зависимости напряжения включения тиристора от тока управляющего электрода
- •11.3.4. Исследование параметров тиристора при повышенной температуре
- •11.3.5. Исследование регулятора мощности
- •11.4. Обработка результатов
- •11.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 12 исследование туннельных диодов
- •12.1. Основные понятия и определения
- •12.2. Описание установок для проведения исследований
- •12.2.1. Схема для исследования вольт-амперной характеристики тд
- •12.2.2. Схема для изучения эффекта дискретно-аналоговой памяти
- •12.2.3. Схема для исследования эффектов усиления и генерации электрических сигналов
- •12.3. Порядок проведения исследований
- •12.3.1. Исследование вольт-амперной характеристики
- •12.3.2. Исследование функции дискретно-аналоговой памяти
- •12.3.3. Изучение эффекта усиления
- •12.3.4. Изучение эффекта генерации
- •12.4. Обработка результатов
- •12.5. Контрольные вопросы
- •Список рекомендованной литературы
- •Содержание
12.2.3. Схема для исследования эффектов усиления и генерации электрических сигналов
Эффект усиления проявляется в активном делителе напряжения, состоящем из последовательно включенных туннельного диода и нагрузочного сопротивления Rн (рис. 12.5, а). Принципиальным здесь является выбор оптимального значения Rн, обеспечивающего значительно большее изменение напряжения на ТД и Rн по сравнению с изменением полного напряжения, подаваемого на эту цепь.
Рис. 12.5. Активный делитель напряжения "резистор – ТД": а – схема; нагрузочные характеристики: б – иллюстрирующая эффект усиления по напряжению; в – иллюстрирующая эффект переключения
Этот эффект легко может быть проиллюстрирован графическим построением нагрузочной характеристики делителя напряжения (рис. 12.5, б). Полное напряжение EG, подаваемое на цепь из ТД и Rн, есть сумма падений напряжения на туннельном диоде UТД и сопротивлении нагрузки URн. Если отложить ВАХ туннельного диода от нулевого напряжения, а ВАХ нагрузочного резистора – от полного подаваемого напряжения EG, причем в обратную сторону при одинаковом масштабе тока (см. рис. 12.5, б), то точка пересечения двух ВАХ будет означать одинаковый ток в обоих элементах и, соответственно, разделять падения напряжения на ТД и Rн.
Усилительный эффект проявляется, если наклон нагрузочной характеристики (ВАХ Rн) очень близок к наклону спадающего участка ВАХ туннельного диода, но при этом она имеет лишь одну точку пересечения с ВАХ туннельного диода. Иными словами, Rн должно быть близким к модулю отрицательного дифференциального сопротивления ТД в окрестности рабочей точки r–, но не превышать его:
Rн r–.
В этом случае очень малое смещение нагрузочной характеристики при изменении входного напряжения на величину ΔEG (см. рис. 12.5, б) вызывает значительное перемещение точки пересечения двух ВАХ и, следовательно, довольно большое изменение напряжений на ТД (ΔUТД) и на Rн (ΔURн). Отметим при этом, что усилительные ТД, в отличие от переключательных, имеют линейность спада участка ВАХ с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Коэффициент усиления по напряжению КU равен отношению приращений выходного напряжения ΔUТД и входного ΔEG:
КU = ΔUТД/ ΔEG .
Заметим также, что если сопротивление Rн превысит модуль ОДС туннельного диода r_, то изменения входного напряжения будут вызывать отрывы точки пересечения двух ВАХ и, соответственно, скачки напряжения (тока) в цепи. Возникает режим переключения (см. рис. 12.5, в).
Если в качестве нагрузки использовать не резистор (как в усилителе), а индуктивность, то получается генератор переменного напряжения u~.
|
Рис. 12.6. Генератор перемен- ного напряжения на ТД |
Эффекты усиления и генерирования электрических сигналов исследуются на отдельной установке, схема которой приведена на рис. 12.7. Напряжение от источника, включаемого в сеть ключом S1, подается на активный делитель напряжения из ТД и нагрузочных резистора Rн или индуктивности L. Нагрузочные элементы переключаются ключом S2.
Рис. 12.7. Схема установки для исследования усиления и генерации электрических сигналов
При работе усилителя входное (EG) и выходное (ΔUТД) напряжения измеряются стрелочными приборами PV1 и PV2. Регулируется входное напряжение EG с помощью двух ручек управления, расположенных на пульте управления установки: грубо (верхняя ручка) и более точно (нижняя ручка). Значение сопротивления Rн регулируется переменным резистором, причем значения Rн обозначены градуировкой у ручки-указателя. Там же красной меткой обозначено значение Rн, близкое к критическому, переводящему схему из режима усиления в режим переключения. Генерируемый сигнал в виде осциллирующего напряжения в случае индуктивной нагрузки (переключатель S2 в положении 2) выведен на клеммы, с которых он может наблюдаться на осциллографе.