Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде 17д – 01.

Перечень используемых элементов:

• Сменная панель №11

• Съемные элементы: VT1 – биполярный транзистор n-p-n типа;

Источники питания:

• ГТ1 – источник тока 0-10 мА;

• ГН2 – источник напряжения 0-15 В.

Измерительные приборы:

АВ1, АВ2, АВ3 – ампервольтметры для измерения U_бэ, I_k, I_б соответственно;

Изм В – измеритель выхода в положении ГН-25В – для измерения напряжения U_kэ.

Прядок выполнения работы

1. Собрать схему исследования биполярного транзистора с общим эмиттером (ОЭ). Рис.

2. Снимите семейство выходных характеристик транзистора I_Б=f(U_бэ)|U_кэ=const для значений U_кэ = 0; U_кэ2 = -5В.

Для этого установите определенное значение U_кэ с помощью источника ГН2, и, изменяя I_Б с помощью источника ГТ1, измерьте соответствующие значения U_БЭ. Пределы измерения тока базы I_Б указываются преподавателем. Повторите опыт для каждого значения U_кэ. Результаты записать в таблицу 3.

Таблица 3

Ток базы IБ, мкА		40	120	200	300	400	500
Напряжение Uбэ, В при Uкэ, В	0
	5

3. Снимите семейство выходных характеристик I_к=f(U_кэ) |U_бэ=const для значений тока базы I_Б, указанных преподавателем.

Для проведения экспериментальных исследований установите определенное значение тока I_Б с помощью источника ГТ1, и, изменяя с помощью источника ГН2 напряжение U_кэ от 0 до 12В, измерьте соответствующие значения тока I_к. Повторите опыт для каждого значения тока I_Б. Данные занесите в таблицу 4.

Таблица 4

Напряжение Uкэ, В		0,1	1	2	5	8	10	12
Ток Iк мА, при IБ; мкА.	40
	120
	200
	300
	400
	500

4. По результатам измерений (табл. 3,4) постройте на отдельных графиках входные и выходные ВАХ

5. Для определенного тока I_БЗ и напряжения U_кэ, указанного преподавателем, рассчитывайте h – параметры исследуемого транзистора по формулам:

- входное сопротивление транзистора (Ом);

- коэффициент обратной связи по напряжению;

- статический коэффициент передачи тока базы;

- выходная проводимость транзистора [См]

6. По известным h – параметрам определите физические параметры эквивалентной схемы по формулам:

; ; ;

Содержание отчета

1. Наименование и цель работы.

2. Электронная схема исследований.

3. Таблицы с результатами исследований.

4. Графики и расчеты.

5. Выводы: анализ опытных и расчетных данных. Сравнение данных со справочными параметрами исследуемого транзистора.

Контрольные вопросы

1. Каков принцип действия биполярного транзистора?

2. Какие существую схемы включения биполярного транзистора?

3. Какие режимы работы биполярного транзистора?

4. Что такое область активного усиления, насыщения, отсечки?

5. Принцип построения линии нагрузки на статических характеристиках биполярного транзистора.

6. Методика определения h-параметров по ВАХ биполярного транзистора.

7. Выходные и входные ВАХ биполярного транзистора.

8. Методика определения h – параметров по ВАХ.

9. Как выбрать рабочую точку покоя в классах А, АВ, В, D?

Литература

1. Миловзоров О.В. Электроника. Учебник для ВУЗов – М.: Высшая школа, 2005.

2. Щука А.А. Электроника. Учебное пособие для ВУЗов – Спб.: БХВ – Питер, 2005.

3. Пряшников В.А. Электроника: полный курс лекция. – СПб.: Корона, 2004.