- •Сведения из теории биполярные транзисторы.
- •4.1 Классификация транзисторов
- •4.2 Система обозначений транзисторов.
- •4.3 Устройство биполярного транзистора.
- •4.4 Режимы работы биполярного транзистора.
- •4.5 Принцип действия транзистора в основном активном режиме
- •4.6 Схемы включения транзисторов.
- •4.7 Статические характеристики транзисторов.
- •4.7.1 Статистические характеристики транзистора, включенного по схеме с об.
- •4.7.2 Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •4.7.3 Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ок
- •4.8 Параметры и эквивалентные схемы транзисторов.
- •4.8.1 Дифференциальные (малосигнальные) параметры транзистора.
- •4.8.1.1 Система z-параметров
- •4.8.1.2 Система y-параметров.
- •4.8.1.3 Система h-параметров.
- •4.8.1.4 Определение низкочастотных h- параметров по характеристикам транзистора.
- •4.8.1.5 Связь между z,y и h - параметрами
- •4.8.2 Физические параметры и т-образная эквивалентная схема транзистора на низких частотах
- •4.8.3 Связь физических параметров с параметрами четырехполюсника
- •4.9. Влияние температуры и проникающей радиации на характеристики и параметры транзисторов.
- •4.10 Динамический режим работы транзистора.
- •4.10.1 Сущность динамического режима работы транзистора.
- •4.10.2 Принцип работы транзисторного усилителя.
- •4.10.3 Динамические (нагрузочные) характеристики.
- •4.10.3.1 Выходные динамические характеристики.
- •4.10.3.2 Входные динамические характеристики.
- •4.10.4 Динамические параметры.
- •4.10.5 Сравнительная оценка схем включения транзисторов.
- •4.11 Частотные свойства транзисторов.
- •4.11.1 Особенности работы транзисторов на высоких частотах
- •4.11.2 Влияние инерционности диффузионного движения носителей в базе (влияние времени пробега носителей)
- •4.11.3 Влияние емкостей переходов и распределенного сопротивления базы на частотные свойства транзисторов
- •4.11.4 Собственные шумы транзисторов
- •4.11.5 Ключевой режим работы транзистора
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде «тэц и оэ – нрм».
- •Порядок выполнения работы
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде 17д – 01.
- •Прядок выполнения работы
4.10.3 Динамические (нагрузочные) характеристики.
При анализе и расчете транзисторов, работающих в динамическом режиме, пользуются динамическими характеристиками.
Динамические характеристики представляют собой зависимости между токами и напряжениями в транзисторе, работающем в динамическом режиме.
Различают динамические выходные (коллекторные) и входные (базовые) характеристики. Рассмотрим их построение на примере транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
4.10.3.1 Выходные динамические характеристики.
Выходной динамической характеристикой транзистора, включенного по схеме с ОЭ, называют графическую зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером, при постоянных сопротивлении резистора коллекторной нагрузки и ЭДС источника коллекторного питания, т. е.
.
Выходная динамическая характеристика строится на семействе статических выходных характеристик в соответствии с уравнением
по двум точкам.
Существует два способа построения выходной динамической характеристики. (Рис.4.32).
а) б)
Рис.4.32
Первый способ.
Приравниваем в уравнении ток коллектора ( ) нулю и находим первую точку (режим холостого хода источника питания):
1. , тогда .
Вторую точку находим, приравнивая напряжения ( ) нулю: точка 2. , тогда или , откуда . Соединив полученные точки прямой линией, получаем выходную динамическую характеристику (нагрузочную прямую).
Недостатком первого способа является то, что при малых значениях найденное значение тока коллектора может выходить за пределы значений, имеющихся на характеристиках. Тогда применяется второй способ.
Второй способ.
Первая точка находится аналогично первому способу. Для нахождения второй точки (т.2) задаемся некоторым произвольным значением коллекторного тока и из уравнения
,
определяем соответствующее ему значение коллекторного напряжения .
В ряде случаев для построения выходной динамической характеристики находят ее угол наклона к оси абсцисс
,
где в и а- масштабные коэффициенты по осям напряжения и тока соответственно.
4.10.3.2 Входные динамические характеристики.
Входной динамической характеристикой транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, называют графическую зависимость тока базы от напряжения между базой и эмиттером, при постоянных сопротивлении резистора коллекторной нагрузки и ЭДС источника коллекторного питания, т.е.
Для построения входной динамической характеристики необходимо координаты точек пересечения выходной динамической характеристики со статическими выходными характеристиками ( , ) перенести на семейство входных статических характеристик (Рис4.32б).
Так как входные статические характеристики, снятые при различных напряжениях на коллекторе располагаются близко друг к другу, то без большой ошибки можно считать, что входная динамическая характеристика совпадает со статической, снятой при типовом напряжении .