- •Сведения из теории биполярные транзисторы.
- •4.1 Классификация транзисторов
- •4.2 Система обозначений транзисторов.
- •4.3 Устройство биполярного транзистора.
- •4.4 Режимы работы биполярного транзистора.
- •4.5 Принцип действия транзистора в основном активном режиме
- •4.6 Схемы включения транзисторов.
- •4.7 Статические характеристики транзисторов.
- •4.7.1 Статистические характеристики транзистора, включенного по схеме с об.
- •4.7.2 Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •4.7.3 Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ок
- •4.8 Параметры и эквивалентные схемы транзисторов.
- •4.8.1 Дифференциальные (малосигнальные) параметры транзистора.
- •4.8.1.1 Система z-параметров
- •4.8.1.2 Система y-параметров.
- •4.8.1.3 Система h-параметров.
- •4.8.1.4 Определение низкочастотных h- параметров по характеристикам транзистора.
- •4.8.1.5 Связь между z,y и h - параметрами
- •4.8.2 Физические параметры и т-образная эквивалентная схема транзистора на низких частотах
- •4.8.3 Связь физических параметров с параметрами четырехполюсника
- •4.9. Влияние температуры и проникающей радиации на характеристики и параметры транзисторов.
- •4.10 Динамический режим работы транзистора.
- •4.10.1 Сущность динамического режима работы транзистора.
- •4.10.2 Принцип работы транзисторного усилителя.
- •4.10.3 Динамические (нагрузочные) характеристики.
- •4.10.3.1 Выходные динамические характеристики.
- •4.10.3.2 Входные динамические характеристики.
- •4.10.4 Динамические параметры.
- •4.10.5 Сравнительная оценка схем включения транзисторов.
- •4.11 Частотные свойства транзисторов.
- •4.11.1 Особенности работы транзисторов на высоких частотах
- •4.11.2 Влияние инерционности диффузионного движения носителей в базе (влияние времени пробега носителей)
- •4.11.3 Влияние емкостей переходов и распределенного сопротивления базы на частотные свойства транзисторов
- •4.11.4 Собственные шумы транзисторов
- •4.11.5 Ключевой режим работы транзистора
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде «тэц и оэ – нрм».
- •Порядок выполнения работы
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде 17д – 01.
- •Прядок выполнения работы
4.5 Принцип действия транзистора в основном активном режиме
В связи с тем, что в усилителях применяется в основном нормальный активный режим транзистора, рассмотрим его работу в этом режиме более подробно. Для примера возьмем транзистор р-n-р типа. В нормальном активном режиме эмиттерный p-n переход включим в прямом направлении, а коллекторный р-n переход в обратном направлении: Рис.4.7
Рис.4.7
Такая схема называется схемой с общей базой (ОБ). Токопрохождение будем рассматривать в статическом режиме, когда к транзистору подключены лишь источники постоянного напряжения, а источник сигнала и нагрузка отсутствуют.
Как уже отмечалось, в основном активном режиме эмиттерный переход включается в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. Под действием прямого напряжения потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается и происходит инжекция дырок из эмиттера в базу, а электронов – из базы в эмиттер, создавая ток эмиттера
,
где - ток создаваемый дырками движущимися из эмиттера в базу:
- ток создаваемый электронами движущимися из базы в эмиттер.
Обращаем внимание на то, что несмотря на то, что дырки и электроны движутся в противоположных направлениях, но положительные направления токов одинаковое, поэтому общий ток равен сумме токов ( ). Транзистор создают так, что электронов в базе гораздо меньше дырок в эммитторе ( ) поэтому можно принять, что .
В результате инжекции, концентрация дырок в базе у границы эмиттерного перехода резко возрастает. В остальной области базы дырок мало. В следствии разности концентрации (градиента концентрации) возникает диффузионное движение дырок по базе от эммитерного к коллекторному переходу. Во время этого движения часть дырок рекомбинирует в базе с электронами, нарушая электронейтральность базы. Для восстановления электрической нейтральности базы (количество электронов в базе все время должно быть неизменным ) в нее из внешней цепи (от источника ) втекает соответствующее количество электронов (вместо рекомбинировавших), что сопровождается возникновением рекомбинационного тока базы . Для уменьшения этого тока ширину (толщину) базы делают значительно меньше диффузионной длины , поэтому подавляющее большинство дырок (около 99 и более) достигает коллекторного перехода не рекомбинируя.
Подойдя к коллекторному переходу, дырки втягиваются его полем в коллектор как неосновные носители для коллектора. В цепи коллектора возникает ток коллектора, пропорциональный току эмиттера, и поэтому называемый управляемым током коллектора
,
где - коэффициент пропорциональности.
Наряду с управляемым током коллектора в цепи коллектора по базе протекает неуправляемый ток коллектора , за счет неосновных носителей, который совпадает по направлению с управляемым током коллектора. Поэтому результирующие токи коллектора и базы будут равны:
(4.1)
(4.2),
так как ток базы рекомбинационный и неуправляемый ток коллектора направлены в базе в разные стороны.
Согласно первому закону Кирхгофа (*).
Прибавив и отняв в правой части равенства (*) ток , получим . (4.3)
Ток базы очень мал, поэтому можно считать, что .
Принцип действия транзистора п-р-п отличается тем, что из эмиттера в базу инжектируются не дырки, а электроны, и, кроме того, полярность включения источников и направления токов меняются на противоположные.