- •Сведения из теории биполярные транзисторы.
- •4.1 Классификация транзисторов
- •4.2 Система обозначений транзисторов.
- •4.3 Устройство биполярного транзистора.
- •4.4 Режимы работы биполярного транзистора.
- •4.5 Принцип действия транзистора в основном активном режиме
- •4.6 Схемы включения транзисторов.
- •4.7 Статические характеристики транзисторов.
- •4.7.1 Статистические характеристики транзистора, включенного по схеме с об.
- •4.7.2 Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •4.7.3 Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ок
- •4.8 Параметры и эквивалентные схемы транзисторов.
- •4.8.1 Дифференциальные (малосигнальные) параметры транзистора.
- •4.8.1.1 Система z-параметров
- •4.8.1.2 Система y-параметров.
- •4.8.1.3 Система h-параметров.
- •4.8.1.4 Определение низкочастотных h- параметров по характеристикам транзистора.
- •4.8.1.5 Связь между z,y и h - параметрами
- •4.8.2 Физические параметры и т-образная эквивалентная схема транзистора на низких частотах
- •4.8.3 Связь физических параметров с параметрами четырехполюсника
- •4.9. Влияние температуры и проникающей радиации на характеристики и параметры транзисторов.
- •4.10 Динамический режим работы транзистора.
- •4.10.1 Сущность динамического режима работы транзистора.
- •4.10.2 Принцип работы транзисторного усилителя.
- •4.10.3 Динамические (нагрузочные) характеристики.
- •4.10.3.1 Выходные динамические характеристики.
- •4.10.3.2 Входные динамические характеристики.
- •4.10.4 Динамические параметры.
- •4.10.5 Сравнительная оценка схем включения транзисторов.
- •4.11 Частотные свойства транзисторов.
- •4.11.1 Особенности работы транзисторов на высоких частотах
- •4.11.2 Влияние инерционности диффузионного движения носителей в базе (влияние времени пробега носителей)
- •4.11.3 Влияние емкостей переходов и распределенного сопротивления базы на частотные свойства транзисторов
- •4.11.4 Собственные шумы транзисторов
- •4.11.5 Ключевой режим работы транзистора
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде «тэц и оэ – нрм».
- •Порядок выполнения работы
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде 17д – 01.
- •Прядок выполнения работы
4.6 Схемы включения транзисторов.
Транзистор имеет три электрода (вывода), к которым подключаются четыре полюса двух внешних источников. Следовательно, один электрод должен быть общим. В зависимости от того, какой из электродов является общим для входной и выходной цепей, различают три схемы включения транзисторов: с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Обычно общий электрод заземляется, потенциал его принимается равным нулю, а напряжение на двух других электродах отсчитываются относительно общего электрода.
а) Схема с общей базой ( ОБ)
Схема с общей базой приведена на рис 4.8
Рис 4.8
В этой схеме входным напряжением является напряжение между эмиттером и базой, т.е. . Входным током – ток эмиттера . Выходным напряжением –напряжение между коллектором и базой, т.е. , а выходным током- ток коллектора . Эта схема аналогична ламповой схеме с общей сеткой. Ток коллектора содержит управляемую и неуправляемую составляющую
.
Для оценки усилительных свойств транзистора по току вводят понятие коэффициента передачи тока эмиттера (коэффициент усиления).
(4.4)
Так как , то . Практически для современных транзисторов лежит в пределах 0,95….0,99. Таким образом, схема с ОБ не обеспечивает усиления по току.
б) Схема включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ)
Схема включения транзистора с общим эмиттером приведена на Рис 4.9
Рис 4.9
Эта схема аналогична ламповой схеме с общим катодом. В этой схеме входным напряжением является напряжение , т.е. , входным током - ток базы . Выходным напряжением , т.е. , а выходным током – ток коллектора . Коэффициент передачи тока базы (коэффициент усиления ) для этой схемы
. (4.5)
Если, например, , то .
Выражение для тока коллектора может быть получено из уравнения
, учитывая, что
, получим
, откуда
, (4.6)
где - управляемая, а - неуправляемая составляющая тока коллектора.
Таким образом из (4.6) следует, что схема с ОЭ усиливает по току в десятки раз.
в) Схема включения транзистора с общим коллектором (ОК)
С хема с общим коллектором приведена на Рис 4.10
Рис 4.10
Она аналогична ламповой схеме с общим анодом. В этой схеме входным напряжением является напряжение , т.е. ; входным током – ток базы . Выходным напряжением – напряжение , а выходным током – ток эмиттера .
Коэффициент передачи тока базы в этой схеме
, (4.7)
т.е. .
Таким образом, схема с общим коллектором имеет наибольший коэффициент передачи тока.
4.7 Статические характеристики транзисторов.
Статическими характеристиками транзисторов называют графические зависимости токов, протекающих в цепях транзисторов от напряжений на его электродах.
В качестве статических характеристик транзистора используются:
семейство входных статических характеристик
при ;
семейство выходных статистических характеристик
при ;
семейство характеристик прямой передачи
при ;
семейство характеристик обратной связи
при ;
Основными являются семейства входных и выходных характеристик. Они приводятся в справочниках. Характеристики прямой передачи и обратной связи являются второстепенными и легко получаются путем перестроения из входных и выходных характеристик соответственно, поэтому последние два семейства рассматриваться не будут.
В зависимости от схемы включения транзистора, в качестве входных и выходных токов и напряжений используются токи и напряжения того или иного электрода, т.е. вид характеристик зависит от схемы включения транзистора.
Характеристики используются при расчетах и анализе работы транзисторных схем (усилителей, генераторов и т.д.).