4.8.1.2 Система y-параметров.

В системе Y-параметров уравнения четырехполюсника можно записать в виде

(4.12)

Для определения Y-параметров необходимо поочередно осуществить режим короткого замыкания по переменному току на входе и выходе трансформатора. При этом получим:

- входная проводимость транзистора;

- проводимость обратной связи;

- проводимость прямой передачи;

- выходная проводимость.

Эквивалентная схема замещения транзистора четырехполюсника для Y- параметров изображена на Рис. 4.18.

Рис. 4.18

Генераторы тока, имеющие бесконечно большие внутренние сопротивления, характеризуют активные свойство транзистора ( ) и обратную связь ( ).

Для измерения Y- параметров необходимо осуществить режимы короткого замыкания по переменному току путем поочередного включения параллельно входу и выходу транзистора конденсаторов достаточно большой емкости.

Основным недостатком системы Y- параметров является трудность измерения параметров в режиме короткого замыкания входной цепи, так как входное сопротивление транзистора мало.

Основным достоинством этой системы является возможность использования методики расчета ламповых схем для расчета схем на транзисторах, т.к. эквивалентные схемы, построены с использованием проводимостей ближе всего подходят к эквивалентным схемам электронных ламп.

Система Y- параметров обычно применяется для расчетов высокочастотных схем, т.к. необходимые при этом режимы короткого замыкания на входе и на выходе осуществляются без затруднений.

4.8.1.3 Система h-параметров.

Уравнение четырехполюсника для H-параметров имеют вид.

(4.13)

Для определения H-параметров необходимо поочередно осуществить режимы холостого хода по переменному току на входе и короткому замыканию на выходе, описанными выше способами.

При режиме короткого замыкания на выходе получим:

- входное сопротивление транзистора

-коэффициент передачи тока.

Для схемы с общей базой (ОБ) , а для схемы с общим эмиттером (ОЭ)- .

При режиме холостого хода на входе получим:

- коэффициент обратной связи по напряжению;

- выходная проводимость транзистора.

Эквивалентная схема замещения транзистора- четырехполюсника для H-параметров изображена на Рис.4.19

Рис.4.19

Генератор напряжения , включенный на входе схемы, характеризует глубину паразитной обратной связи по напряжению. Генератор тока , включенный в выходной цепи схемы, отражает усилительные свойства транзистора по току.

Поскольку H-параметры имеют различную размерность (сопротивление, проводимость, или являются безразмерными величинами), то их называют гибридными или смешанными.

Основным достоинством системы H-параметров является то, что они легко измеряются экспериментально, поскольку осуществление режимов холостого хода на входе транзистора затруднений не вызывают на низких частотах. Поэтому в справочниках обычно приводятся низкочастотные h- параметры.

Общим недостатком дифференциальных Z. Y и H- параметров являются зависимость их от схемы включения. Например, параметры для схемы с ОБ , и для схемы с ОЭ . Не равны друг другу и все остальные однотипные параметры транзистора в различных схемах включения.