- •Сведения из теории биполярные транзисторы.
- •4.1 Классификация транзисторов
- •4.2 Система обозначений транзисторов.
- •4.3 Устройство биполярного транзистора.
- •4.4 Режимы работы биполярного транзистора.
- •4.5 Принцип действия транзистора в основном активном режиме
- •4.6 Схемы включения транзисторов.
- •4.7 Статические характеристики транзисторов.
- •4.7.1 Статистические характеристики транзистора, включенного по схеме с об.
- •4.7.2 Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •4.7.3 Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ок
- •4.8 Параметры и эквивалентные схемы транзисторов.
- •4.8.1 Дифференциальные (малосигнальные) параметры транзистора.
- •4.8.1.1 Система z-параметров
- •4.8.1.2 Система y-параметров.
- •4.8.1.3 Система h-параметров.
- •4.8.1.4 Определение низкочастотных h- параметров по характеристикам транзистора.
- •4.8.1.5 Связь между z,y и h - параметрами
- •4.8.2 Физические параметры и т-образная эквивалентная схема транзистора на низких частотах
- •4.8.3 Связь физических параметров с параметрами четырехполюсника
- •4.9. Влияние температуры и проникающей радиации на характеристики и параметры транзисторов.
- •4.10 Динамический режим работы транзистора.
- •4.10.1 Сущность динамического режима работы транзистора.
- •4.10.2 Принцип работы транзисторного усилителя.
- •4.10.3 Динамические (нагрузочные) характеристики.
- •4.10.3.1 Выходные динамические характеристики.
- •4.10.3.2 Входные динамические характеристики.
- •4.10.4 Динамические параметры.
- •4.10.5 Сравнительная оценка схем включения транзисторов.
- •4.11 Частотные свойства транзисторов.
- •4.11.1 Особенности работы транзисторов на высоких частотах
- •4.11.2 Влияние инерционности диффузионного движения носителей в базе (влияние времени пробега носителей)
- •4.11.3 Влияние емкостей переходов и распределенного сопротивления базы на частотные свойства транзисторов
- •4.11.4 Собственные шумы транзисторов
- •4.11.5 Ключевой режим работы транзистора
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде «тэц и оэ – нрм».
- •Порядок выполнения работы
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде 17д – 01.
- •Прядок выполнения работы
Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде «тэц и оэ – нрм».
Перечень используемых минимодулей:
В данной работе используется следующие элементы (минимодули):
транзистор VT1 – 1A
потенциометр РП1 – 10 кОм
потенциометр РП2 – 150 Ом
резистор R1 – 10 Ом
резистор R2 – 22 Ом
резистор R3 – 150 Ом
резистор R4 – 330 Ом
резистор R5 – 10 кОм
диод VD1 – 1А
Источники питания:
источник питания – +12В
источник однофазного напряжения – «A-O»
Измерительные приборы:
миллиамперметр PA1 – с пределом измерения 1 мА
миллиамперметр РА2 с пределом измерения – 100 мА
В качестве вольтметра использовать мультиметр PV на предел – 20 В
Порядок выполнения работы
Изучить краткую теорию «Транзисторы», быть готовым ответить на все контрольные вопросы.
Экспериментальное исследование характеристик транзистора:
Собрать схему для снятия характеристик прямой передачи по току биполярного транзистора.
Для измерения тока базы включить миллиамперметр PA1 на 1 мА, а тока коллектора -
PA2 на 100 мА. Для измерения напряжения в коллекторе включить вольтметр PV на пределе 20В; в качестве коллекторной нагрузки Rk использовать модули R1 – 150 Ом или R4=330 Ом (по указанию преподавателя);
Снять статическую характеристику прямой передачи по току Ik=f(IБ)|Uk=const при Uk равном заданному значению Ek и Rk=0. Экспериментальные точки здесь и далее записывать в таблицу 1. При снятии характеристик следить за постоянством насыщения Uk.
Uk=5В
Таблица 1
Ik |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IБ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Снять характеристику прямой передачи по току Ik=f(IБ) при наличии заданного сопротивлению нагрузки Rk. Для этой цели при помощи потенциометра RП1 установите ток базы равный нулю, а с помощью потенциатора RП2 установите заданное значение Ek (по указанию преподавателя). В дальнейшем ручку регулировки RП2 не трогать. В области вблизи насыщения точки снимать чаще. Результаты занести в таблицу 2.
Таблица 2
Uk=____; Rk=0
Ik |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IБ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Снять выходные статические ВАХ при помощи осциллографа. Собрать схему в соответствии с рисунком:
Вход Y(СН2) осциллографа подключить к сопротивлению R1, а корпус осциллографа соединить с общим проводом. Вход Y(СН1) осциллографа подключить к коллектору. При этом переключатель должен быть приведен в положение Х/Y.
Установить потенциометр RП1 в крайнее левое положение. Включить питание модуля. Изменять ток базы от 0 до максимума (но не более 1 мА; пронаблюдать семейство выходных характеристик; зарисовать на одном рисунке выходные характеристики для трех значений тока базы: Iб1=0: Iб2=0,5 Iб max; Iб3= Iб max. Записать масштабы по направлению и току. Выключить питание модуля. В качестве ****** питания использовать одну фазу «А-О» трехфазного источника питания.
Содержание отчета.
Наименование и цель работы.
Схемы соединений для выполненных экспериментов.
По таблицам 1,2 построить графики.
По экспериментальным характеристикам и прямой передачи (п. б, в) по току определить статический коэффициент передачи по току и коэффициент усиления по току .
Экспериментально снятые характеристики.
Рассчитать потери в транзисторе в рабочей точке покоя в классе А Ркр=UкрIкр; в режиме насыщения Ркн; отсечки Рко и средние потери в ключевом режиме при относительной длительности импульса 0,5 (Ркп ср= 0,5 Ркн+ Рко), воспользовавшись экспериментально снятыми выходными характеристиками. Сравнить потери в классе А и в ключевом режиме. Указать, какие потери в ключевом режиме не учтены.