- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
- •3.Термоэлектронная эмиссия при наличии ускоряющего поля.
- •4.Электростатическая эмиссия.
- •5.Фотоэлектронная эмиссия и её законы.
- •6.Характеристики и параметры фотоэлектронной эмиссии.
- •7.Вторичная электронная эмиссия.
- •15. Статические параметры диодов.
- •19. Физические процессы в триоде.
- •14. Реальна вах двохэлектродных вакуумных систем и ее отличие от теоретической.
- •8.Характеристики катода.
- •Параметры катодов
- •Катоды из чистых металлов
- •Плёночные катоды
- •Полупроводниковые катоды.
- •9.Движение ел. В однородном эл. Поле
- •10. Движ. Эл. В неоднородном эл. Поле.
- •11. Движение электронов в магнитном поле
- •12.Влияние обемного заряда напрохождение тока в двух зл. Лампе.
- •23.Рабочие параметры триода.
- •24.Выбор рабочего режима триода.
- •20.Статические характеристики и параметры триода.
- •21.Токораспределение и закон 3/2 для трех электродных ламп.
- •22. Характеристики триода в рабочем режиме.
- •25 Экранирующая сетка в эл. Лампе.
- •26. Динатронный эффект в тетродах.
- •27.Лучевой тетрод
- •28.Пентод и его характеристики.
- •29. Устройство электронно--лучевой трубки.
- •30.Системы что фокусируют, и системы что отклоняют, элт.
- •31. Экраны элт
- •32. Кинескопы
- •33.Электронновакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
- •34. Фотоэлектронный умножитель
- •35. Види електричного розряду в газі. Збудження і іонізація атомів газу.
- •36. Самостоятельный разряд в газе
- •38. Пролетный клистрон
- •39. Отражательный клистрон
- •40. Магнетрон
- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
22. Характеристики триода в рабочем режиме.
При наличии в анодной цепи лампы нагрузочного резистора изменение Ia вызываемые перемнным напряжением сигнала поданного на С Ia не будет определяться статической характеристикой т.к Ua будет обязательно изменяться , если при изменении потока сетки Ia растет и увеличится падение напряжения на ( ) на резисторе Ua понизится и наоборот. Указанные изменения Ua в свою очередь влияют на величину Ia причем эти изменения противоположны действию Uc на Ia. Если на с U повышается следовательно Ia понижается, то увеличивающееся при этом Ua припятствует понижению Ia. - это рабочий режим.
Для анодной цепи можно записать
, введя, обозначения для частных производных получим:
При ↓φc d в цепи анода появляется ток, который создается падением напряжения на сопротивлении R в результате Ua уменьшается и становится меньше чем Еа. Следовательно меньше знач. Ia чем в случае статических характеристик.
В рабочем режиме анодно-сеточная хар. имеет меньшую S.наклон зависит от R.
Все точки рабочей характеристики определяют величину Ia при разных Ua т.к каждому значению Ia соответствует значение Ua.
Рабочую хар. можно представить в виде семейства статических А-С хар. как результат перехода рабочей точки с одной прямой этого семейства на другую.
Практически А-С хар.
Можно получить если в анодную цепь включить R и снимать Ia=f(Uc) при Еа= const. Имея семейство статических характеристик лампы можно найти рабочую характеристику графически. Дле этих целей семейство анодных хар.
Наклон раб. Хар. примеро проп R
Т очки пересечения раб. хар. со стат. определяют значение Ia при соответствующем значении Uc .
25 Экранирующая сетка в эл. Лампе.
Введение дополнительного электрода в промежутке между управляющей сеткой и анодом позволяет устранить недостатки трех электродных ламп (малый коф. усиления, малое Ri, большую емкость).
Эту сетку называют экранирующей так, как она экранирует действие эл.стат. поля. А на К. Такая лампа – тетрод.
Если С2 соединена с К, то она экранирует катод и С1 от действия А. Ослабление пот. А, С2- учитывается параметром проницаемости D2. Таким образом сквозь область сетки от А к пот. барьеру возле К проникает очень малая часть поля А. Общая проницаемость лампы характеризуется D1 и D2
D= D1*D2- показывает какую долю воздействия UC2 на IK составляет UА.
Если D=0,01→→ изменение UА на 1В влияет в сто раз меньше чем изменение UC2.
Для нахождения зависимости I протекающего через лампу от Ua UC1 и UC2 необходимо представитьтетродв виде єквивалентного диода:
В таком диоде действие А иС1С2 влиянием действующего напряжения, которое приложено к аноду єкв. диода, если этот А поместить на место С1.
IK- в тетроде представляет собой сумму всех токов протекающих в лампе
Еслина А некоторое рабочее Ua, а на С2 создается потенциал, на С1 “-”UC1,то результирующее поле на участке А-С1 будет тормозящим и в таком режиме лампа заперта.
создает єл. которые попадают на эту сетку. Если Ua>>UC2 , то и Ia>>IC2. Т.к D1D2<<1 следовательно , а для того чтоб лампу запереть : .