7.Вторичная электронная эмиссия.

Если на пов-ть металла падает поток эл-нов, обладающих большой энергией, то наблюдается идущий от этой пов-ти новый встречный поток эл-нов – вторичная эмиссия.

Если постоянно увеличивать ускоряющее напряжение, то при малых значениях только отражённые эл-ны, при главную часть встречного потока эл-нов будут составлять вторичные эл-ны. При больших энергиях эл-нов в ряде случаев получают поток вторичных эл-нов > первичных эл-нов, т. е. это указывает на то, что каждый первичный эл-н освобождает из металла не один, а несколько вторичных эл-нов.

Отношение кол-ва вторичных эл-нов, выходящих из металла, к числу первичных эл-нов, падающих на металл, наз коэффициентом вторичной эмиссии.

Измерения величины  для различных материалов показали, что у чистых ме  не превышает 11,2. Для сложных активированных пов-тей  достигает 810. Коэффициент вторич эмиссии зависит от энергии первичных электронов.

Вначале  увеличивается по нелинейному закону. Достигая некоторого максимального значения при напряжении, которое характерно для конкретного металла _max достигается при напряжении в несколько сотен вольт. И его значение для различных металлов от 0,51,8. Установлено, что вторичная эмиссия чистых металлов мала и практически не завист от работы выхода. Наличие на пов-ти металлического катода адсорбированных молекул газа увеличивает вторичную эмиссию. Процессы, определяющие вторич эмиссию, протекают не на пов-ти эмиттера, а внутри. Первичные эл-ны проникают внутрь металла и на своём пути передают энергию встречающимся на пути эл-нам металла. Предельная глубина проникновения первичных эл-нов Н₀ зависит от их энергии. Возникающие вторич эл-ны получают ускорение в направлении первычных, однако в следствие столкновения с атомами и др эл-нами меняют направление скорости так, что некоторая часть из них получает движение, направленное к пов-ти металла. Если энергия этих эл-нов будет достаточна для совершения работы выхода, то они покинут металл(расположенные недалеко от пов-ти). А эл-ны, расположенные вдали от пов-ти, не покинут эмиттер, т. к. их энергия либо растрачивается при столкновении с другими атомами и эл-нами, либо они дойдут с недостаточной энергией необходимой для выхода. Предельная глубина, двигаясь с которой, эл-ны ещё могут выйти из ме, наз предельная глубина диффузии. В чистых ме предельная глубина диффузии мала и малой получается вторич эмиссия, т. к. вторич эл-ны испытывают очень много столкновений. Вторичная эмиссия сильно зависит от угла падения вторичных эл-нов на пов-ть ме. При увеличении угла увеличивается число вторич эл-нов в пределах глубины , в следствие чего увеличивается . В сложных пп катодах, имеющих структуру МДП или металл с активированным слоем может быть получена очень большая вторичная эмиссия с и более.

15. Статические параметры диодов.

Основной характеристикой диодов является анодная характеристика. По ней судят пригодна лампа или нет. Стремятся получить большее значение I_а при малых U_а.

S-крутизна характеристика: изменение анодного тока при изменении анодного напряжения. S=I_a/U_a S=dI_a/dU_a . При увеличении U накала крутизна будет возрастать за счет увеличения S_{действ анода} .

Диод

Плотность конвенционного тока между катодом и анодом разная, будет наблюдатся сдвиг фаз между I и U_а . Чем дальше пролетают e от A и К, тем больше будет сдвиг фаз. Угол пролета харектеризует сдвиг фаз между конвенционным током и U_a : =2/T , где -время пролета е внизу АК. =, угол пролета, величина измеряемая в угловых единицах именения фазы анодного гармонического напряжения за время .I_ак=jc_aкU_а R_c=1/c_ак

Высоких частотах может сказатся индуктивность L_a и L_к: L0,01млГн; R_L=L . В анодной лампе при R_C=R_L наступает резонанс R_С=1/2с_ан =1/(LC)