- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
- •3.Термоэлектронная эмиссия при наличии ускоряющего поля.
- •4.Электростатическая эмиссия.
- •5.Фотоэлектронная эмиссия и её законы.
- •6.Характеристики и параметры фотоэлектронной эмиссии.
- •7.Вторичная электронная эмиссия.
- •15. Статические параметры диодов.
- •19. Физические процессы в триоде.
- •14. Реальна вах двохэлектродных вакуумных систем и ее отличие от теоретической.
- •8.Характеристики катода.
- •Параметры катодов
- •Катоды из чистых металлов
- •Плёночные катоды
- •Полупроводниковые катоды.
- •9.Движение ел. В однородном эл. Поле
- •10. Движ. Эл. В неоднородном эл. Поле.
- •11. Движение электронов в магнитном поле
- •12.Влияние обемного заряда напрохождение тока в двух зл. Лампе.
- •23.Рабочие параметры триода.
- •24.Выбор рабочего режима триода.
- •20.Статические характеристики и параметры триода.
- •21.Токораспределение и закон 3/2 для трех электродных ламп.
- •22. Характеристики триода в рабочем режиме.
- •25 Экранирующая сетка в эл. Лампе.
- •26. Динатронный эффект в тетродах.
- •27.Лучевой тетрод
- •28.Пентод и его характеристики.
- •29. Устройство электронно--лучевой трубки.
- •30.Системы что фокусируют, и системы что отклоняют, элт.
- •31. Экраны элт
- •32. Кинескопы
- •33.Электронновакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
- •34. Фотоэлектронный умножитель
- •35. Види електричного розряду в газі. Збудження і іонізація атомів газу.
- •36. Самостоятельный разряд в газе
- •38. Пролетный клистрон
- •39. Отражательный клистрон
- •40. Магнетрон
- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
29. Устройство электронно--лучевой трубки.
ЭЛТ предназначены для преобразования эл. сигнала в световое изображение с помощью светового луча направленного на спец. Экран покрытый люминофором.
Источник эл. Как правило оксидный катод эмитирующую поверхность делают не большой с целью получения узких эл. Пучков. К. в нутрии электрода М. который является управляющим (модулятором).М. отвечает за яркость свечения пятна на экране не большое отрицательное напряжение А1 и А2 А2—высокое (1—10 кВ) А1—0,1…1 кВ
Не однородное электрическое поле формируемое А1 и А2 представляет собой линзу которая формирует эл. поток в узкий луч. Подбирая Ua1 можно добиться того что эл. поток будет собираться в точку на поверхности экрана следовательно А1 А2 для фокусирования эл. пучка фокусирующие система ЭЛТ – эл. пушка (проектор использует магнитную фокусировку). Для отклонения магнитного пучка используют две пары взаимно перпендикулярных отклоняющих пластин Х1 и Х2 при подаче на эти пластины разности потенциалов эл. луч будет отклонятся в сторону + пластины такая конструкция позволяет направить луч в любую точку экрана (может быть магнитной) ЭЛТ обладает высокой скоростью восприятия изображения.
30.Системы что фокусируют, и системы что отклоняют, элт.
Рис 6
В пространстве между М и А1, А1 и А2 создаются неоднородные эл. поля действуют на эл. опт. Системы 2 линз с общим преобладанием собирательного действия. Яркость пятна на экране меняется путём изменения – Uм изменение Iк
Под действием Uм происходит по следующим причинам:
-- изменение Е эл. поля и плотность пространственного заряда у К , также как и в эл. лампе при изменении Uс
-- изменение площади поверхности К в близи ко торой создаётся ускоряющее поле (изменение величины используемой эмитирующей поверхности К).
При изменении яркости пятна с помощью Uм будет изменятся конфигурация поля I эл. минуя --следовательно фокусные пятна. Для восстановления фокусировки дополнотельная регулировка φ А1 В некоторых ЭЛТ для уменьшения влияния М на фокусировку эл. пучка ставят дополнительный электрод между М и А1. на него подаётся + U – ускоряющий электрод.
Кроме эл. статической сис. Применяется магнито статическая.
Рис 2
Иногда между М и А ставят если один электрод – проектор тетродного типа.
На расстоянии l1 от А короткая катушка, через которую пропускают постоянный ток, она формирует магнитную собирающую линзу изменяя ток катушки мы изменяем фокусное расстояние линзы.Магнитные линзы позволяют получить меньший диаметр пятна на экране ,чем эл. стат. Однако они более громоздки и потребляют больше мощьности.
Отклоняющие сис. ЭЛТ.
Доя получения на экране не искажённого изображения необходимо чтобы перемещение светового пятна было пропорционально отклоняющего U.
Рис2
h` чувствительность ЭЛТ показует на сколько мм. на сколько отклоняется луч, при подаче на сис. U=1В. h` повышается l1 повышается l2 повышается однако повышение разрядов может быть только в определённых приделах повышается l2 и повышается UА увеличивает рассеивание эл. у меньшается фокусировка повышение l1 для h` повышается отклоняющие сис выполняются с отогнутыми краями .
рис 2
в такой конструкции расстояние на входе между пластинами можно зделать меньше а длину больше
эл. магнитная отклоняющяя сис.:
катушки попарно взаимно перпендикулярны к оси трубки. вертикально расположенные катушки соидиняются последовательно по ним проходит ток создающий магнитное поле под действием которого эл. отклоняются в горизонтальной плоскости вертикальные аналогично
частотный диапазон в котором работает магнитная отклоняющая система << эл. стат.