33.Электронновакуумные и газонаполненные фотоэлементы.

На основе внешнего фотоэффекта (испускание эл. под действием внешней лучевой энергии)

-- количество эмитирующих эл. пропорционально интенсивности падающего света.

-- скорость имитируемых электронов не зависит от интенсивности

--

ЭВФЭ—диод у которого из внутренней поверхности баллона—фотокатод , в виде ионного слоя вещества эмитирующего фото эл.—анод металлическое кольцо не мешающее попаданию света на фотокатод.

Величина тока насыщения зависит от величины светового потока

световые характеристики ---чювствительность ФЭ

спектральная характеристика

чювствительность ФЭ к световым колебаниям различных λ

в зависимости от материала К а также I_ф при различных λ

частотные свойства ЭВФЭ ограничены временем пролёта от К к А

Газонаполненные ФЭ

В баллоне инертный газ. В таком ФЭ ток фото эл. эмиссии выше за счёт возникновения несамостоятельного газового разряда. (I_k и К ) выше

спкктральная характеристика определяется максимумом????

ВАХ

рис

при увеличении I_ф до велечины тока эмиссии фотоуатода ВАХ легко загибается при дальнейшем увеличении в следствии ионизации газа I_ф резко увеличивается.

разряд остаётся не постоянным пока U_а не возрастает тлеющий разряд разрушает ГФЭ

важный параметр ГФЭ коэфициэнт газового усиления

для увеличения К_г- увеличивают количество газа тогда возникает самостоятельный разряд при малых U_а Р_газа =10^-2 мм.рт.ст.

частотны характеристики ГФЭ.

при очень быстрых изменениях Ф_а К уменьшается по сравнению с ЭВФЭ это объясняется тем что ток ГФЭ устанавливается не мгновенно а требует времени для ионизации газа. при очень быстрых изменениях Ф ток не успевает возрастать до значений соответствующих режиму наименьшая инерционность в ГФЭ заполненных А_г.

34. Фотоэлектронный умножитель

Ф ЭУ представляет собой ЭВП, в котором эл. фотоэлемент дополнен устройством для усиления фототока за счет вторичной эл. эмиссии. Световой поток Ф вызывает фотоэл. эмиссию из К. фотоэл. под действием ускоряющего эл. поля направляются на Д₁-динод. По отношению к К­, Д₁–А и выполняет роль вторичного эл. эмиттера. Д из эмиттеров с устойчивой вторичной эл.

эмиссией. Эл-ны. выбивают из Д₁ вторичные эл-ны, число которых в  раз превышает число первичных эл-нов, –коэфю вторичной эл. эмиссии. I₁=I_pn. Ток I₁направляется на Д₂ и после Д₂ I₂=I₁=²I_pn. После Д₃ I₂=²I_pn. После последнего Д_N ток направляется к А. I_N=^NI_pn. Следовательно ФЭУ имеет коэф. Усиления К=^N. На практике не удается направить все выбитые эл-ны к Д и А, следов.К^N. Для фокусирования вторичных эл-нов ФЭУ с различной формой и расположением электродов. В них для фокусировки – эл.стат.поля. Как правило ФЭУ имеет электроды дугообразной формы. Кроме этого была разработана ФЭУ в которой вторичные эл-ны выходя их Д со стороны противоположной бомбардируемой первичными электродами. Если Д друг за другом, то отпадает необходимость направления эл-нов от этого Д к другому. В таких ФЭУ Д имеют вид решетки, полосок. Для ФЭУ как и для обычных ФЭ характерен тепловой ток, обусловленный термоэл. эмиссией Д и К, как правило 10 мкА.

Основные параметры ФЭУ:

• Область спектральной чувствительности, диапазон  в котором можно использовать ФЭУ

• Число ступеней умножения

• Общий коэф.умножения тока

• Интегральная чувствительность

• Величина теплового тока

В качестве хар.ФЭУ:

- световая хар. I_a=f(Ф)

- к=f(U_пит) и инт.чувствительность = f(U_пит)

При необходимости регистрации Ф в УФ области спектра в баллоне ФЭУ делают спец.окна из кварца. ФЭУ обладают малой инерционностью и могут работать на больших частотах. Аналогов в пп электронике такому прибору как ФЭУ нет.