- •1. Радиоэл-ка как обл-ть науки и техники. Осн напр-я соврем радиоэ-ки;
- •4. Активные компоненты радиоэлектроники. Полупроводниковые электронные приборы. Интегральные микросхемы;
- •6. Собственная электропроводность полупроводниковых материалов.
- •7. Типы электрических переходов. Равновесное состояние p-n перехода. Контактная разность потенциалов.
- •8. Прямое смещение p-n перехода.
- •9. Вольтамперная характеристика (вах) p-n перехода. Основные свойства p-n перехода.
- •10Устройство и классификация полупроводниковых диодов. Система условных обозначений диодов;
- •11.Выпрямительные диоды и стабилитроныВыпрямительные диоды
- •12.Варикапы и диоды с барьером Шоттки
- •13.Импульсные диоды и диоды с накоплением заряда (днз) Импульсные диоды этот диод, имеющий малую длительность перех проц-в и предназн для работы в импульсных устройствах.
- •Параметры импульсных диодов
- •Диоды с накоплением заряда
- •14.Туннельные и обращенные диоды
- •15. Определение, устройство и классификация биполярных транзисторов. Система обозначений транзисторов;
- •19. Режимы работы и схемы включения биполярного транзистора
- •20. Принцип действия транзистора
- •Токи в транзисторе ток эмиттера имеет две составляющие: электронную и дырочную
- •21. Формальная модель биполярного транзистора. Система h-параметров биполярного транзистора
- •22. Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора. Влияние температуры на вах биполярного транзистора
- •23. Дифференциальные параметры биполярного транзистора. Определение h-параметров транзистора по статическим вах
- •Определение h–параметров по статическим характеристикам
- •24.Моделирование биполярного транзистора в режиме большого сигнала;
- •25.Малосигнальная модель биполярного транзистора;
- •26 Частотные свойства биполярного транзисторов
- •27 Физические параметры биполярного транзистора. Эквивалентные схемы замещения биполярного транзистора.
- •28.Основные параметры биполярного транзистора;
- •29. Классификация сигналов. Гармонический анализ сигналов
- •30. Спектральный анализ периодических сигналов. Комплексная форма ряда Фурье
- •31. Спектральный анализ непериодических сигналов
- •32. Амплитудно-модулированные сигналы
- •33. Частотно-модулированные сигналы
- •34. Фазомодулированные сигналы
- •35. Случайные сигналы
- •36. Моментные функции второго порядка;
- •37)Спектральный анализ случайных сигналов. Помехи
- •38. Характеристики линейных цепей. Комплексный коэффициент передачи;
- •39. Амплитудно-частотная характеристика.
- •40. Переходная характеристика;
- •41. Импульсная характеристика;
- •42. Методы исследования линейных электрических цепей;
- •43. Классификация аналоговых электронных устройств.
- •Классификация аналоговых электронных устройств
- •44. Основные параметры аналоговых электронных устройств;
- •45. Основные характеристики аналоговых электронных устройств;
- •46. Классификация усилительных устройств;
- •47. Понятие рабочей точки;
- •48. Способы задания рабочей точки;
- •49. Способы стабилизации рабочей точки;
- •50. Основные режимы работы усилительных каскадов;
- •51. Обратные связи в усилительных каскадах;
- •52. Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером;
- •Эквивалентная схема усилительного каскада в диапазоне средних частот
- •53. Усилительный каскад по схеме с общей базой;
- •54. Усилительный каскакаскад по схеме с общим коллектором;
- •55.Усилительный каскад с ои
- •56.Усилительный каскад с общим стоком (истоковый повторитель)
- •57. Двухтактный усилительный каскад
- •58. Резонансный усилитель
- •59. Усилители постоянного тока (упт)
- •60.Дифференц усил каскад
- •61. Операционные усилители
- •62. Понятие автоколебат с-мы. Принцип возникновения колебаний.
- •63. Основные теории процессов в автогенераторе;(без линейной теории)
- •64. Основные схемы lc-генераторов;
- •65. Трехточечные схемы генераторов. Кварцевые генераторы;
- •67. Режимы работы автогенератора. Автоген-ры с автоматич смещением.
- •1 .10.1. Однокаскадная схема rc-генератора
- •1.10.2. Двухкаскадная схема -генератора rc
- •69. Модуляция электрических сигналов;
- •70. Амплитудные модуляторы;
- •71. Частотные модуляторы;
- •72. Фазовые модуляторы;
- •73. Детектирование электрических сигналов;
- •74. Амплитудные детекторы
- •Основные хар-ки и параметры амплитуд. Детектора(из инета).
- •75. Фазовые детекторы;
- •76. Частотные детекторы
- •77. Электронные ключевые схемы. Электронные ключи на биполярных транзисторах;
- •78. Способы повышения быстродействия ключей на биполярных транзисторах;
- •79. Электронные ключи на полевых транзисторах
- •80. Алгебра логики и ее основные законы(дописать)
- •81. Диодно-транзисторная логика (дтл);
- •82. Транзисторно-транзисторная логика (ттл);
- •83. Эмиттерно-связанная логика (эсл);
- •84. Интегральная инжекционная логика.
- •86. Основные параметры цифровых интегральных схем;
- •87. Система обозначений цифровых интегральных схем;
- •88. Триггеры.
- •Параметры триггеров
26 Частотные свойства биполярного транзисторов
С ростом частоты входного сигнала усилительные свойства транзистора ухудшаются: падают коэффициенты усиления по напряжению, мощности, появляется фазовый сдвиг между выходным и входным токами.
На инерционные свойства транзистора сильное влияние оказывают:
– время пролета неосновных носителей в области базы от эмиттерного к коллекторному переходу; – емкости эмиттерного и коллекторного переходов ; – объемное сопрот-ние базы rб.
И нерционные свойства транзистора достаточно полно оцениваются коэффициентом передачи входного тока в диапазоне усиливаемых частот. Если период колебаний напряжения на эмиттерном переходе в схеме с ОБ значительно больше времени пролета неосновных носителей в области базы, то все токи в электродах транзистора совпадают по фазе (рис. 3.22,а). Коэффициенты передачи входных токов и вещественны. С повышением частоты период усиливаемых колебаний может оказаться сравнимым с временем пролета носителей в области базы. Это приводит к отставанию по фазе коллекторного тока от эмиттерного (рис. 3.22,б).
Это отставание тока вызвано тем, что при прямом смещении эмиттерного перехода входным сигналом в базу инжектируются носители, которые не успевают достичь коллекторного перехода. Наличие фазового сдвига (рис. 3.22,б) между токами коллектора и эмиттера свидетельствует о том, что коэффициент передачи является функцией частоты.
Для схемы с ОБ комплексный коэффициент передачи тока эмиттера аппроксимируется выражением
. (3.26)
Зависимость модуля и фазового сдвига от частоты имеют вид
, (3.27)
. (3.28)
Частота , на которой коэффициент передачи эмиттерного тока уменьшается в раз (на 3 дБ) по сравнению с низкочастотным значением, называется предельной частотой коэффициента передачи эмиттерного тока. Предельная частота является критерием классификации транзисторов по частотному диапазону. На рис. 3.23 изображены зависимости и от частоты.
В оспользовавшись взаимосвязью коэффициентов передачи токов базы и эмиттера можно найти частотную зави-симость коэффициента передачи тока эмиттера .
. (3.29)
Зависимость модуля и фазового сдвига от частоты имеют вид
; . (3.30) (3.31)
Частота , на которой модуль коэффициента передачи тока эмиттера уменьшается в раз по сравнению с его низкочастотным значением, называется предельной частотой коэффициента передачи тока эмиттера.
Можно установить, что частотные свойства транзистора, включенного по схеме с ОЭ, значительно хуже, чем при включении по схеме с ОБ. Это связано с ↑ фазового угла между эм-ным и коллек-ным токами.
Практически частота сравнительно невелика – транзистор может работать и на более высоких частотах. Частота , на которой модуль коэффициента передачи тока базы становится равным единице, называется граничной частотой транзистора. В качестве обобщающего параметра транзистора, характеризующего его инерционные свойства, используют максимальную частоту генерации, на которой коэффициент усиления по мощности равен единице
. (3.32) Чем выше граничная частота транзистора и меньше постоянная времени коллекторной цепи , тем лучше частотные свойства транзистора.