- •1. Радиоэл-ка как обл-ть науки и техники. Осн напр-я соврем радиоэ-ки;
- •4. Активные компоненты радиоэлектроники. Полупроводниковые электронные приборы. Интегральные микросхемы;
- •6. Собственная электропроводность полупроводниковых материалов.
- •7. Типы электрических переходов. Равновесное состояние p-n перехода. Контактная разность потенциалов.
- •8. Прямое смещение p-n перехода.
- •9. Вольтамперная характеристика (вах) p-n перехода. Основные свойства p-n перехода.
- •10Устройство и классификация полупроводниковых диодов. Система условных обозначений диодов;
- •11.Выпрямительные диоды и стабилитроныВыпрямительные диоды
- •12.Варикапы и диоды с барьером Шоттки
- •13.Импульсные диоды и диоды с накоплением заряда (днз) Импульсные диоды этот диод, имеющий малую длительность перех проц-в и предназн для работы в импульсных устройствах.
- •Параметры импульсных диодов
- •Диоды с накоплением заряда
- •14.Туннельные и обращенные диоды
- •15. Определение, устройство и классификация биполярных транзисторов. Система обозначений транзисторов;
- •19. Режимы работы и схемы включения биполярного транзистора
- •20. Принцип действия транзистора
- •Токи в транзисторе ток эмиттера имеет две составляющие: электронную и дырочную
- •21. Формальная модель биполярного транзистора. Система h-параметров биполярного транзистора
- •22. Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора. Влияние температуры на вах биполярного транзистора
- •23. Дифференциальные параметры биполярного транзистора. Определение h-параметров транзистора по статическим вах
- •Определение h–параметров по статическим характеристикам
- •24.Моделирование биполярного транзистора в режиме большого сигнала;
- •25.Малосигнальная модель биполярного транзистора;
- •26 Частотные свойства биполярного транзисторов
- •27 Физические параметры биполярного транзистора. Эквивалентные схемы замещения биполярного транзистора.
- •28.Основные параметры биполярного транзистора;
- •29. Классификация сигналов. Гармонический анализ сигналов
- •30. Спектральный анализ периодических сигналов. Комплексная форма ряда Фурье
- •31. Спектральный анализ непериодических сигналов
- •32. Амплитудно-модулированные сигналы
- •33. Частотно-модулированные сигналы
- •34. Фазомодулированные сигналы
- •35. Случайные сигналы
- •36. Моментные функции второго порядка;
- •37)Спектральный анализ случайных сигналов. Помехи
- •38. Характеристики линейных цепей. Комплексный коэффициент передачи;
- •39. Амплитудно-частотная характеристика.
- •40. Переходная характеристика;
- •41. Импульсная характеристика;
- •42. Методы исследования линейных электрических цепей;
- •43. Классификация аналоговых электронных устройств.
- •Классификация аналоговых электронных устройств
- •44. Основные параметры аналоговых электронных устройств;
- •45. Основные характеристики аналоговых электронных устройств;
- •46. Классификация усилительных устройств;
- •47. Понятие рабочей точки;
- •48. Способы задания рабочей точки;
- •49. Способы стабилизации рабочей точки;
- •50. Основные режимы работы усилительных каскадов;
- •51. Обратные связи в усилительных каскадах;
- •52. Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером;
- •Эквивалентная схема усилительного каскада в диапазоне средних частот
- •53. Усилительный каскад по схеме с общей базой;
- •54. Усилительный каскакаскад по схеме с общим коллектором;
- •55.Усилительный каскад с ои
- •56.Усилительный каскад с общим стоком (истоковый повторитель)
- •57. Двухтактный усилительный каскад
- •58. Резонансный усилитель
- •59. Усилители постоянного тока (упт)
- •60.Дифференц усил каскад
- •61. Операционные усилители
- •62. Понятие автоколебат с-мы. Принцип возникновения колебаний.
- •63. Основные теории процессов в автогенераторе;(без линейной теории)
- •64. Основные схемы lc-генераторов;
- •65. Трехточечные схемы генераторов. Кварцевые генераторы;
- •67. Режимы работы автогенератора. Автоген-ры с автоматич смещением.
- •1 .10.1. Однокаскадная схема rc-генератора
- •1.10.2. Двухкаскадная схема -генератора rc
- •69. Модуляция электрических сигналов;
- •70. Амплитудные модуляторы;
- •71. Частотные модуляторы;
- •72. Фазовые модуляторы;
- •73. Детектирование электрических сигналов;
- •74. Амплитудные детекторы
- •Основные хар-ки и параметры амплитуд. Детектора(из инета).
- •75. Фазовые детекторы;
- •76. Частотные детекторы
- •77. Электронные ключевые схемы. Электронные ключи на биполярных транзисторах;
- •78. Способы повышения быстродействия ключей на биполярных транзисторах;
- •79. Электронные ключи на полевых транзисторах
- •80. Алгебра логики и ее основные законы(дописать)
- •81. Диодно-транзисторная логика (дтл);
- •82. Транзисторно-транзисторная логика (ттл);
- •83. Эмиттерно-связанная логика (эсл);
- •84. Интегральная инжекционная логика.
- •86. Основные параметры цифровых интегральных схем;
- •87. Система обозначений цифровых интегральных схем;
- •88. Триггеры.
- •Параметры триггеров
Эквивалентная схема усилительного каскада в диапазоне средних частот
1 . Сопрот-я С1,С2, Cэ очень малы и ими можно пренебречь.
2. Rэ зашунтирован Cэ и на экв схеме не учит-ется.
3. По перемен-му току сопрот-е ист-ка питания близко к 0, поэтому верхний вывод резист-в R1, Rк на экв схеме соед-ется с выводом эмиттера.
4. Цепь базы тр-ра предст-на на экв схеме объемным сопрот-м активной области базы rб, (единицы–сотни Ом).
5. ЭП предст-н дифференц-м сопрот-м rэ, (единиц–десятки Ом).
6.Закрытый КП предст-н дифференц-м сопрот-м r*к, (сотни кОм).
Э кв схема усил-го каскада в диапазоне низких частот
1.необх-мо учит-ть емкости раздел-х к-ровС1, С2 и Cэ.
Коэф частотных искаж в диапазоне низких частот
Экв схема усил-го каскада в диапазоне высоких частот
на частотные искажения сильное влияние оказывает емкость КП Ск и емкость нагрузки
Коэф частотных искаж в диапазоне в диапазоне высоких частот
53. Усилительный каскад по схеме с общей базой;
Входное напряжение подается между эмиттером и базой через разделительный конденсатор . Выходное напряжение снимается между коллектором и базой через разделительный конденсатор . Резистор Rэ служит для прохождения постоянной составляющей тока эмиттера, и для того, чтобы Rэ не шунтировало входное сопротивление каскада, оно на два–три порядка выше входного сопротивления каскада.
При подаче на вход положительной полуволны вх-го сигнала ток эмиттера и ток коллектора будут уменьш-ся. Это приводит к уменьш-ю падения напряжения на Rк и увелич-ю напряжения Uкб, что приводит к формир-ю положительной полуволны вых-го напряж-я Uвых. Полярности вх-го и вых-го напряж-й совпадают, схема не инверт-ет вх-ой сигнал. Вых-е хар-ки тр-ра в схеме с ОБ более линейны, чем в схеме с ОЭ, поэтому нелин-е искаж-я в каскаде с ОБ меньше, чем в каскаде с ОЭ.
В ходное сопротивление
В ыходное сопротивление
Коэффициент усиления:
– по напряжению
– по току
54. Усилительный каскакаскад по схеме с общим коллектором;
Напряж-е вх-го перемен-го сигнала подается между базой и коллектором (общей точкой) через разделительный конденсатор С1. Вых-е напряж-е, равное падению напряж-я на резисторе Rэ от переменной составл-й эмиттерного тока, снимается между эмиттером и коллектором через конденсатор связи С2.
Входное сопротивление
Выходное сопротивление
Коэффициент усиления:
– по напряжению
– по току
55.Усилительный каскад с ои
На рис. 10.28,а приведена принципиальная схема каскада с общим истоком. В качестве активного элемента используется полевой транзистор с управляющим p–n переходом или МДП-транзистор со встроенным каналом. Основными элементами усилительного каскада являются: источник питания Uип, транзистор и резистор Rс. Полярность напряжения источника питания Uип определяется типом канала транзистора (для канала n-типа Uип положительно; для канала p-типа Uип отрицательно).
Р езистор Rз осуществляет гальваническую связь затвора с общей шиной, т.е. обеспечивает в режиме покоя равенство потенциалов затвора и общей шины усилительного каскада. Поэтому потенциал затвора ниже потенциала истока на величину падения напряжения на резисторе Rи от протекания постоянной составляющей тока Iио. В связи с этим напряжение Uзио является отрицательным. Источник входного сигнала Ег через разделительный конденсатор подключается ко входу усилительного каскада, а нагрузка через разделительный конден-сатор подключается к стоку транзистора. Цепочка Rи – Си называется звеном авто-матического смещения и обеспе-чивает стабильное отрицательное напряжение Uзио для режима покоя. Кроме того, конденсатор Си устраняет отрицательную обратную связь по переменному току, и его сопротивление на самой низкой частоте усиливаемого напряжения должно быть во много раз меньше сопротивления резистора Rи. Ёмкость конденсатора Си рассчитывается по формуле
,fнч – самая низкая частота усиливаемого сигнала.
Требуемую величину Rи для заданного тока покоя Icо определяют с помощью сток-затворной вольт-амперной характеристики транзистора. Рабочая точка в режиме покоя обычно выбирается на середине линейного участка сток-затворной характеристики, что обеспечивает минимальные нелинейные искажения. Выбрав положение рабочей точки, находят сопротивление резистора Rи
. С помощью Rи осуществляется стабилизация режима покоя. Предположим, что при изменении температуры уменьшился ток Iсо, это приводит к уменьшению падения напряжения на Rи и уменьшению модуля отрицательного напряжения на затворе, а это приводит к возрастанию Iсо. Таким образом стабилизация режима покоя осуществляется за счет того, что Rи создает последовательную отрицательную обратную связь по постоянному току. Кроме того, при воздействии входного сигнала одновременно возникает и отрицательная обратная связь по переменному току, для устранения которой вводят конденсатор Си. Часто при расчете Rи принимает относительно большое значение, что приводит к большому значению модуля отрицательного напряжения на затворе. Для обеспечения необходимого режима покоя в этом случае используют делитель напряжения в цепи затвора (рис. 10.28,б). Напряжение в точке покоя Uзио определяется по формуле
. (10.64)
При подаче на вход положительной полуволны входного напряжения Uвх будут возрастать ток стока Iс и падение напряжения на Rс. Напряжение Uси уменьшается, что приводит к формированию отрицательной полуволны выходного напряжения. Полярность входного и выходного напряжений противоположна, схема с ОИ инвертирует входной сигнал.
Для расчета параметров каскада с ОИ по переменному сигналу представим схему усилительного каскада (рис. 10.28,а) эквивалентной схемой (рис. 10.29).
На средних частотах входное сопротивление каскада с ОИ однозначно определяется величиной Rз и обычно лежит в пределах единиц МОм.
Выходное сопротивление каскада с ОИ определяется сопротивлением параллельно соединенных Ri и Rc
. (10.65)
При переходе в область высоких частот, необходимо учитывать входную и выходную емкости каскада. При этом , что является важным преимуществом усилительных каскадов на полевых транзисторах. Зная, что ток
стока является функцией двух переменных , найдем изменение тока стока
. (10.66)
Используя выражения для основных параметров полевого транзистора и , перепишем (10.66) в виде (10.67)
Подставив в (10.67) вместо конечных приращений , и переменные составляющие тока и напряжений Iс, Uвх и (знак минус указывает на инвертирование входного сигнала), получим уравнение
, решив которое относительно Iс, найдем
.Коэффициент усиления по напряжению для средних частот будет равен
.
Для получения максимального коэффициента усиления в диапазоне средних частот необходимо обеспечить работу каскада на высокоомную нагрузку и включить в цепи стока резистор Rс с большим сопротивлением.