- •1. Радиоэл-ка как обл-ть науки и техники. Осн напр-я соврем радиоэ-ки;
- •4. Активные компоненты радиоэлектроники. Полупроводниковые электронные приборы. Интегральные микросхемы;
- •6. Собственная электропроводность полупроводниковых материалов.
- •7. Типы электрических переходов. Равновесное состояние p-n перехода. Контактная разность потенциалов.
- •8. Прямое смещение p-n перехода.
- •9. Вольтамперная характеристика (вах) p-n перехода. Основные свойства p-n перехода.
- •10Устройство и классификация полупроводниковых диодов. Система условных обозначений диодов;
- •11.Выпрямительные диоды и стабилитроныВыпрямительные диоды
- •12.Варикапы и диоды с барьером Шоттки
- •13.Импульсные диоды и диоды с накоплением заряда (днз) Импульсные диоды этот диод, имеющий малую длительность перех проц-в и предназн для работы в импульсных устройствах.
- •Параметры импульсных диодов
- •Диоды с накоплением заряда
- •14.Туннельные и обращенные диоды
- •15. Определение, устройство и классификация биполярных транзисторов. Система обозначений транзисторов;
- •19. Режимы работы и схемы включения биполярного транзистора
- •20. Принцип действия транзистора
- •Токи в транзисторе ток эмиттера имеет две составляющие: электронную и дырочную
- •21. Формальная модель биполярного транзистора. Система h-параметров биполярного транзистора
- •22. Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора. Влияние температуры на вах биполярного транзистора
- •23. Дифференциальные параметры биполярного транзистора. Определение h-параметров транзистора по статическим вах
- •Определение h–параметров по статическим характеристикам
- •24.Моделирование биполярного транзистора в режиме большого сигнала;
- •25.Малосигнальная модель биполярного транзистора;
- •26 Частотные свойства биполярного транзисторов
- •27 Физические параметры биполярного транзистора. Эквивалентные схемы замещения биполярного транзистора.
- •28.Основные параметры биполярного транзистора;
- •29. Классификация сигналов. Гармонический анализ сигналов
- •30. Спектральный анализ периодических сигналов. Комплексная форма ряда Фурье
- •31. Спектральный анализ непериодических сигналов
- •32. Амплитудно-модулированные сигналы
- •33. Частотно-модулированные сигналы
- •34. Фазомодулированные сигналы
- •35. Случайные сигналы
- •36. Моментные функции второго порядка;
- •37)Спектральный анализ случайных сигналов. Помехи
- •38. Характеристики линейных цепей. Комплексный коэффициент передачи;
- •39. Амплитудно-частотная характеристика.
- •40. Переходная характеристика;
- •41. Импульсная характеристика;
- •42. Методы исследования линейных электрических цепей;
- •43. Классификация аналоговых электронных устройств.
- •Классификация аналоговых электронных устройств
- •44. Основные параметры аналоговых электронных устройств;
- •45. Основные характеристики аналоговых электронных устройств;
- •46. Классификация усилительных устройств;
- •47. Понятие рабочей точки;
- •48. Способы задания рабочей точки;
- •49. Способы стабилизации рабочей точки;
- •50. Основные режимы работы усилительных каскадов;
- •51. Обратные связи в усилительных каскадах;
- •52. Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером;
- •Эквивалентная схема усилительного каскада в диапазоне средних частот
- •53. Усилительный каскад по схеме с общей базой;
- •54. Усилительный каскакаскад по схеме с общим коллектором;
- •55.Усилительный каскад с ои
- •56.Усилительный каскад с общим стоком (истоковый повторитель)
- •57. Двухтактный усилительный каскад
- •58. Резонансный усилитель
- •59. Усилители постоянного тока (упт)
- •60.Дифференц усил каскад
- •61. Операционные усилители
- •62. Понятие автоколебат с-мы. Принцип возникновения колебаний.
- •63. Основные теории процессов в автогенераторе;(без линейной теории)
- •64. Основные схемы lc-генераторов;
- •65. Трехточечные схемы генераторов. Кварцевые генераторы;
- •67. Режимы работы автогенератора. Автоген-ры с автоматич смещением.
- •1 .10.1. Однокаскадная схема rc-генератора
- •1.10.2. Двухкаскадная схема -генератора rc
- •69. Модуляция электрических сигналов;
- •70. Амплитудные модуляторы;
- •71. Частотные модуляторы;
- •72. Фазовые модуляторы;
- •73. Детектирование электрических сигналов;
- •74. Амплитудные детекторы
- •Основные хар-ки и параметры амплитуд. Детектора(из инета).
- •75. Фазовые детекторы;
- •76. Частотные детекторы
- •77. Электронные ключевые схемы. Электронные ключи на биполярных транзисторах;
- •78. Способы повышения быстродействия ключей на биполярных транзисторах;
- •79. Электронные ключи на полевых транзисторах
- •80. Алгебра логики и ее основные законы(дописать)
- •81. Диодно-транзисторная логика (дтл);
- •82. Транзисторно-транзисторная логика (ттл);
- •83. Эмиттерно-связанная логика (эсл);
- •84. Интегральная инжекционная логика.
- •86. Основные параметры цифровых интегральных схем;
- •87. Система обозначений цифровых интегральных схем;
- •88. Триггеры.
- •Параметры триггеров
11.Выпрямительные диоды и стабилитроныВыпрямительные диоды
Выпрямительные диоды преобразуют переменный ток в постоянный. Основой выпрям. диода явл-ся несимметричный р–n переход. Низкоомная область (обычно это р–область), имеющая большую концентрацию примеси, наз. эмиттером, а высокоомная область (обычно n–область) с малой концентрацией примесей – базой.ПАРАМЕТРЫ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ:
1. Средний выпрямленный ток – среднее за период знач-е выпрямленного тока, кот. может длительно протекать через диод при допустимом его нагреве.2. Среднее прямое напряжение диода – среднее значение прямого падения напряжения, определяемое при среднем выпрямленном токе, для германиевых < 1 В, для кремниевых < 1,5 В.
3. Максимально допустимое обратное напряжение диода Uобр макс – максимально допустимое обратное напряжение, которое длительно выдерживает диод без нарушения нормальной работы, Uобр макс на 20 % меньше напряжения пробоя . = 100…400 В для Ge диодов; =1000…1500 В для Si диодов.
4. Макс. обратный ток – макс. знач-е обр-го тока диода при .5. Средняя рассеиваемая мощность диода – средняя за период мощность, рассеиваемая диодом при протекании и (сотни мВт – десятки Вт).
6. Дифференциальное сопротивление диода – сопротивление диода протекающему переменному току, которое вычисляется как отношение приращения напряжения на диоде к вызвавшему его малому приращению тока (единицы – сотни Ом).Стабилитроны Стабилитрон-диод,принцип работы кот. основан на явлении электрического пробоя р–n перехода при подаче на диод обратного напряжения.ПАРАМЕТРЫ СТАБИЛИТРОНА:1. Ном напряжение стабилизации – падение напряжения на стабилитроне в области стабилизации при номинальном значении тока (единицы – десятки В).
2. Мин. ток стабилизации – минимальное значение тока, протекающего через стабилитрон при устойчивом пробое перехода (доли мА – десятки мА).
3. Макс. ток стабилизации – максимально допустимый ток стабилизации, ограничиваемый допустимой мощностью рассеивания (единицы мА – единицы А).
4. Номинальный ток стабилизации .5. Дифференциальное сопротивление – отношение приращения напряжения cтабилизации к вызвавшему его приращению тока (единицы – десятки Ом). Чем меньше – тем лучше стабилизация напряжения.
6. Статическое сопротивление стабилитрона в данной рабочей точке, характеризует омические потери в заданной рабочей точке .7. Коэфф. качества стабилитрона – определяет не только наклон ВАХ, но и отношение изменения напряжения стабилизации к напряжению стабилизации (Q = 0,01…0,05 и ниже).
8. Температурный коэфф. напряжения стабилизации (ТКН) ст – отношение относ. изм-я напряжения стабилизации при изм-и температуры окр. среды и постоянном токе стабилизации к изм-ю температуры, вызвавшему это изм-е
.
12.Варикапы и диоды с барьером Шоттки
В арикап - это диод, в кот исп-ся зависимость барьерной емкости р-н перехода от приложенного обратного напряж. Варикапы используемые для умнож частоты наз. варактронами.Они находят применение в схемах автоматической подстройки частоты радиоприемников, в схемах частотных модуляторов, в параметрических схемах усиления, в схемах умножения частоты, в управляемых фазовращателях. Принцип действия варикапа основан на зависимости емкости p–n перехода от внешнего напряжения.На рис. представлена вольт–фарадная характеристика и одна из схем включения варикапа. При изменении напряжение смещения, подаваемого на варикап с помощью резистора R1, изменяется емкость диода. Изменение емкости варикапа приводит к изменению частоты колебательного контура при изменении емкости диода включается резистор R2, сопротивление которого больше резонансного сопротивления контура.П АРАМЕТРЫ ВАРИКАПОВ
1. Макс. емкость – емкость варикапа при заданном мин. и ограничена значением емкости .2. Мин. емкость – емкость варикапа при заданном макс. и огранич. обр. допустимым напряж. p–n перех. 3.Коэфф.перекрытия по емкости (ед-цы–десятки ед-ц).4. Сопротивл потерь Rп – суммарное активное сопротивл., включ. сопрот. кристалла, контактных соединений и выводов варикапа.
5. Температурный коэффициент емкости ТКЕ – представляет собой отношение относительного изменения емкости к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.
, .6. Добротность варикапа – отношение реактивного сопротивл. варикапа на заданной частоте переменного сигнала к сопротивл. потерь при заданном знач. емкости или обратного напряж. где Xc – реактивн сост. сопрот. варикапа;Rпот –сопротивл. потерь.Добротн. показ. относит. потери колебательной мощности в варикапе (дес – сотни ед-ниц).диоды с барьером Шоттки Диод Шоттки (назван в честь немецкого физика Baльтера Шоттки) – полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В, на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка единиц и нескольких десятков Вольт.
Диоды Шотки обладают след преимуществами по сравнению с кремниевыми p–n переходами:1. Для пол того же тока требуется более низк прямое напряжение.2. Электропроводность создается только основными носителями (электронами). Отсутствует накопление неосновных носителей, и время восстановления диода при переключении напряжения с прямого на обратное очень мало. Быстродействие определяется скоростью перезарядки барьерной емкости.
За счет низкого прямого напряжения и высокого быстродействия диоды Шотки используются в выпрямительных и переключающих цепях, а также для увеличения быстродействия транзисторов в цифровых схемах, таких как ТТЛ–логика.
К недостаткам диодов Шотки относятся:
1. Ток утечки немного больше, чем у обычных диодов, использующих p–n переход.
2. Максимальное обратное напряжение ниже, чем у обычных кремниевых диодов.
Вольт–амперная характеристика диодов Шотки такая же, как и у обычных диодов, а обратные токи составляют сотни пА – десятки нА.