Электроника и схемотехника, Ч. 1 / Усилительные устройства 1989

Ри(' 46 ЭК[JIfН~Лt'lпнаS1,СКС­	[,	/Он,
ма траНЗИL'1(JР,j ДJlS1 J,-nap<t-
МС'ТроП	Iu,	4,,"'

т(\ка при коротком замыкании на выходе; h22 - выходная проводи­

~lOсть при холостом ходе на входе

Эквивалентная схема транзистора, которая соответствует (4,6), И106ражена на рис, 4,6, Она содержит два заВИСIfМых источника~

один - источник напряжения, управляемый напряжением, друго!! - источник тока, упраВJlяемы!"! током. Используя формаJlьные преобра­

зования, подобные уравнениям (4.2), можно исключить зависимыА

источник напряжения, что будет способствовать упрощению анализа.

Однако на практике к такому преобразованию не прибегают, так как

для звукового диапазона частот КОЭффициент обратной передачи

напряжения hl2 транзистора - величина вес,Ьма незначительная и ею

в первом приближении можно пренебречь. В результате получается

упрощенная эквивалентная схема транзистора	для h-параметро-в
с одним зависимым источником тока. Значения	h-параметров для

разных схем включения транзистора будут, естественно, различными.

Осабенно это заметно в схемах включения транзистора с ОБ и с ОЭ, когда входные токи значительно отличаются друг от друга. Необхо.

димые пара метры транзистора определяются при сравнении соответ­

ствующих схем включения. Например, зная значеНI:lЯ h-параметров при включении транзистора по схеме с ОБ, можно их пересчитать ДЛI1

схемы включения с ОЭ или с 01<.

Различные схемы включения биполярных траизисторов показаны

на рнс. 4.7. Рассматривая схемы включения транзисторов с ОБ и с
ОЭ, с учетом известных	равенств 1э =/Б +/1( и	uк.э = uI<Б+UБЭ
можно записать следующие соотношения:
		{4.7)
Для эквивалентной схемы (см. рис. 4.6) система		уравнений h-па­
раметров при включении транзистора по схеме с ОБ имеет вид
U1=hllб/l +h12БU2;	12=h21б/l +h22бU2,	(4.8)
для схемы с ОЭ ,
u; = hIIэ1; +h12э u~;		(4.9)

Подставляя (4.7) в выражение (4.8) и производя несложные преоб-

разования, получаем

u' _	hllб
1 -	1 +h21б - h12б + DB

(4.10)

1; = 1; (-h2!б +Dб)lNб + u; hш/Nб,

где Nб= 1+h21б-h12б+Dб.

151

Iu,		~C}		dJNu, ~	/z 3
Э	/!			J	rf}
			12 1(
	•
		а)		о)	6)

Рис. 4.7. Схемы включения биполярного транзистора:

а - с общей базой:	(')- с обшим 9миттером: в - с общим коллектором
При сравнении выражений (4.9)		и (4.10) определяются h-параметры
Д,1Я схемы с 03
hш =hllб/Nб;	hl1э=(Dб-h12б)/Nб;
hl2Э = (- h21б + Dб)/Nб;		h22э =	h2zб/Nб'
Взаимосвязь между	h·параметрами		схемы включения транзистора

с ОБ и параметрами схемы с 01( или взаимосвязь между h-парамет­

рами схемы включения с 01( и параметрами схемы с 03 устанавли­ вается аналогично при записи необходимых уравнений и их сравне­ нии. На практике необходимость составления и сравнения уравне­ ний отпадает, так как во многих учебниках и монографиях

приво.цятся формулы пересчета h-параметров транзистора [5, 11].

[lри анализе простейших усилительных каскадов любая система параметров, определяющая свойства транзистора в выбранной рабо­ чей точке на линейном участке ВАХ, дает примерно одинаковые ре­ зультаты. Однако целесообразно использовать ту систему парамет­ ров, которая упрощает анализ, так как при расчете более сложных

усилительных каскадов и в целом усилительных устройств простой

анализ всегда дает определенный выигрыш по многнм показателям. В связи с этим возникает необходимость перехода от одной системы параметров к другой.

Переход от заданных параметров к параметрам, которые пред­ полагается использовать, несложный. Необходимо реШИТh всего два уравнения. Например, требуется определить Z-параметры транзисто­ ра, если известны его h·параметры. Решая уравнения (4.6) относи­

тельно напряжений и1, и2, получаем

U1 .'F 11 (hll hZ2 - h12 h21 )/h22 + 12 h12 /h 22 ;

Uz ~~11 hZ1 /hZ2 + 12 /h 22 •		(4.11 )
При сравнении уравнеиий (4.1) и (4.11) определяются Z·параметры:
Zll = D/hzz ;	Z12 = h12 /h zz ;	ZZ1 =- hZ1 /hzz ;
ZZ2 = l/hzz ;	D = hl1 hZ2 - h12 hz •

Взаимосвязи между параметрами других систем находятся анало­

гично.

152

4.3.5. МОДЕЛИ У-ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Если считать за нсзависимые переменные напряжения на входе

и выходе транзистора, а за их функции входной и выходной ТОКИ, то систему У-параметров можно записать в виде

!.1 = ~H ~1 + t:12 !!.2;

(4.12)

где .!'l1=gl1+jroCll - комплексная входная проводимость при корот­

ком замыканни на выходе;

!12=gI2+jroCI2 - комплексная взаимная проводимость при коротком

замыкании на входе;

Y21 =g21+jroC21 - комплексная взаимная проводимость при коротком

замыкании на выходе;

.!'22=g22+jroC22 - комплексная выходная проводимость при коротком

замыкании на входе.

КомпJJексные проводимости У-параметров учитывают как резие­

ТИJ3ные, так и емкостные составляющие проводимастей областей би­

полярной транзисторной структуры. На некоторых практических мо­

делях или эквивалентных схемах показываются не комплексные про­

водимости У-элементов, а отдельно резистивные или емкостные

элементы. Однако математической моделью У-параметров можно поль­ зоваться, если известны комплексные проводимости YII' У21, Y12, У22•

Только В этом случае устанавливается однозначная зависимость меж­

ду токами и напряжениями на входе и выходе транзистора_

Комплексные проводимости YII, Y12, У21, У22 можно определить

экспериментально, есЛИ примеllИТЬ	режим-KOPOTKOro замыкания на
J3ходе и выходе транзистора. При	коротком замыкании на выходе,
когда выходное иапряжение равно нулю (и2=о), входная комплекс­
ная проводимость YII=II/U' и взаимная комплексная проводимость
У2, =12/UI' Если создать-режим короткого замыкания на входе (и,=

-=О);-ТОвзаимная комплексная проводимость	Y'2=1'/U 2 и		выходная
комплексная проводимость Y22=12/U2'	-	--
Зная У-параметры транзиёТора, можно	описывать		процессы,

протекающие в нем, с помощью математической модели ма.lJPСИГ­ нальных параметров. Однако, не обладаЯ достаточной наглядностью, математическая' модель У-параметров транзистора не нашла широко­

го применення при ручных методах анализа. На практике для опи­

сания У-параметров обычно пользуются эквивалентными схемами.

Уравнения (4.12) записаны согласно первому закону Кирхгофа для

двух узлов: один - с входным током 11, другой - С выходным то-

ком 12. Так как ко входу приложено напряжение и(, то одна ветвь этоЙ цепи определяется просто - она представляет собой проводи­

мость УН. а другая связана с выходным напряжением и2, поэтому

на эквивалентной схеме (рис. 4.8) она показана зависимым источни­

ком тока У(2и2. Анализируя второе уравнение (4.12), которое сос­

тавлено для выходной цепи транзистора, легко прийти к подобной

схеме, поскольку второе уравнение аналогично первому.

153

Рис. 48 Эквивалентная схе­ ма транзистора ДЛЯ У·пара­

метров

Недостаток полученной графической модели tэквивалентноА

схемы) заключается !s том, '!'То она имеет диа заъиеимых иuoчника

тока, что создает ОJ;Jределенные неудобства при анализе. ОТ этого недостатка можно и~бавиться, используя простейшие алгебраиqеские

преобразования, как	это было сделано в уравнениях (4.2).
В данном слуqае	к правой части первого уравнения (4.12) при­

бавляется со знаками «плюс» и «минус» один и тот же qлеи Y12U1•

К правой части второго уравнения также прибавляется со знакаi4и

«плюс» и «минус» член YI2(U 1-U2). в результате таких алгебраи­

ческих операций полуqаК>тся-слеДУЮLЦие уравнения:

!. = (I~H +rtJ ~.- r11 (!!. -		~8);		(4.13)
!. = (~St -	~12) ~1 + ~12 (~1 -!!J + (~22+~t2) (!!J.
ИЗ первого уравне~ия видно, что			комплексная проводимость !II
является взаимной для входной		и	выходной	цепей транзистора,
а комплексная	проводимость У11 +У12 ОТНОСится			только к входной це­

пи. Следовательно, во входНой Цепи транзистора нет зависимого

истоqника тока. АIlI\ЛИЗИРУЯ второе уравнение (4.13), нетрудно за­ метить, что qлен втого уравнения Q'21-!j2) lb является зависимым

истоqннком тока, который управляется напряжением и,. Комплекс­

ная проводимость Yl2 входит как во входную, так и ввыходиую це·

пи транзистора. Комплексная проводимость У22+ Yl2 относится толь­

ко к выходной цепи. Таким образом, уравнениям14.lЗ) соответству,

ет П-обраэная ЭКВИl3алентная схема с зависимым источником тока

в выходной ветви (P\lC. 4.9, а).

Полученной ЭКВl\валентно.й схемой транзистора АЛЯ У·пэраметров

не очень удобно пользоваться при расчетах, так как комплексные

проводимости r·параметров не являются ни собственнымн, ни физи­

ческими параметрами транзистора, которые можно было бы найти в справочной литераrуре. В связи с этим в П'Образной эквивалентной

схеме комплексные проводимости заменяются на так называемые

собственные параметры транзистора. Для схемы включения тран­ зистора с ОЭ к собс:твенным параметрам относятся активные прово­

димости g (,'9' gб'к' gКЭ И емкости эмиттерного н коллекторного

р-n переходов Сб'Э и Сб'К' которые можно измерить или рассчи­

тать, зная другие параметры транзистора, приводимые в справочной

литературе.

Эквивалентная схема П·образного типа для собственных пара­ метров транзистора nоказана на рис. 4.9, б. Эта схема отличается от эквивалентной схеМi;I У-параметров (см. рис. 4.9, а) тем, IlТО она мо,

жет учитывать влияиие объемного сопротивления базы траsэистора,

154

[2		(''.
c::r~----~_~~2		,;~ -...
	5 rб 5'	"Р".	/.'
~----+о--- ~~щl"	o--C=J-4r--+-~~~--~-
а)
Рис. 4.9. П-обраЗl1ые эквивалеитные схемы ТРitнзистора;
а - д.п~ У.параме1РОВ; 6 -	для собственных	пара метров

которое нз схеме покззано штриховой линией, а параметры ее эле· ментов нмеют определенный физическнй смысл. Полученная-эквива­

лентная схема транзистора находит применение при анализе различ­

ных электронных устройств на транзисторах, особенно в области

верхних частот, так как она позволяет сравнительно просто учитывать

различные емкостные параэитиые явления, связанные с влиянием ем­

костей соединительных прОБОДОВ, с помощью которой источник сиг­

нала и нагрузка подключаются к усилителю и т. п.

Пример 4.1. Требуется определить h-параметры для схемы вклю­

чения транзистора с ОЭ, еСЛИ известны его h-параметры для схемы
с ОБ: hllб=35 Ом,	hщ=З·10-4; h21б=--0,99, h22б= 1·10-7 См.
Для схемы с ОЭ h-парз'метры транзистора рассчитываютоя по
формулам перехода	(4.10):
hнв = h1lб/N =	35!10-~ = 3500 Ом;
hl2Э = (Dб -- h12б)/N = (3,005 -- 3)·1()-4/10-~ = 5·10-~;
h218 = (h21б + Dб)/N = (0,99 + 3,005.10-')/10-2 = 99;
h22э = h22б/N =	10-7/10-2 = ,o-~ См,
где
N = I +h2H'j-- !J12б + Об = 1 -- 0,99 -- 3· 10-4 +
+3,005·10-4 ~ Io-~;
Dб = hl1бh22б -	h12б h21б = 35·10-7 +3·10-4·0,99 =

= 3,005·10-'.
Пример 4.2. Требуется определить Z-параметры для схемы вклю­
чения транзистора с	ОЭ, если известны его	h·параметры: h11 .=
=3500 Ом; h12э =5· 10-5; h21 .=99; h2zэ = 10-5 См.
Использу" qюрмулы перехода от h·параметров к Z-параметрам,
получаем
ZНЭ = (h1lЭ h22э -	hl2э h2lЭ) /h22э = (3500·10-~ -- 99· 5 Х
Х IO-~)/IO-~ = 3000 ом;
Z12Э = h12э/h22Э =	5·10-5jlО-! = 5 Ом;
Z21Э =- h2iэ/h22'а = - 99jI0-~ =-- 9,9·106		Ом;

Z22Э = 1/h22Э = 1/10-~ = 10~ Ом.

Аналогично с помощью формул перехода вычисляются Z-параметры Аля схем с ОБ и с 01<.

155

4.4. МОДЕЛИ ПОЛЕВЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ

в усилительных устройствах применяются полевые или унипо­

лярные транзисторы с управляемым р-n переходом и с и~олироГ! JH'

ным затвором. Полевые транзисторы с изолированным затвором по­ пучили название МДП-транзисторов. Они бывают с нндуцированным (обогащенным) или со встроенным (обедненным) каналом. Схемы

включения полевых транзисторов с управляемым р-n переходом по­

казаны на рис. 4.1(). Схемы включения полевых транзисторов с изоли­ рованным затвором аиалогичиы. В малосигнальном (линейном) ре­ Жиtll:е, который обычно применяется в каскадах предваРИТСЛhl!ОГО усиления, полевые транзисторы описываются с помощью У-ПЗРЗ\IСТ­ ров линейными уравнениями. Для схемы включения с ОИ уравнения

принимают вид

~3 = !::Н !!зи +r.12 ~си;
~c = !::21 ~зи + r:22 ~си,		(4.14)
где ХН =gll+jroCl1 - входная проводимость при коротком		замыка­
нии на выходе;
YI2=gI2+jWCI2 -	взаимная проводимость обратной связи при корот­
ком замыкании на входе (проходная проводимость) ;
~21 =g21+jroC21 -	взаимная проводимость прямой передачи при ко-
ротком замыкании на выходе;
!22=g22+jroC22 -	выходная проводимость при коротком замыкании
на входе.
Уравнениям	(4.14) соответствует эквивалентная схема,	показан­

ная на рис. 4.8. Пос.~е преобразования (4.14), аналогичного прово­ димому с уравнениями (4.12), можно получить П-образные эквива­ лентные схемы полевого транзистора, подобные эквивалентным схе­ мам на рис. 4.9.

Однако эквивалентная схема полевого транзистора как с управ_

ляемым р-n переходом, так и с изолированным затвором предпола­

гает использование модели с распределенными параметрами. Это свя­

заио с тем, что области затвора и канала у полевых транзисторов представляют собой распределенную RС-цепь. Модель полевого

транзистора с распределенными параметрами приводит киеоправдан.

но сложным электрическим расчетам устройств на полевых транзисто-

а)

о)

О)

Рис. 4.10. Схемы включения полевых траизисторов с управляемым

р-n переходом:

а - с общим истоком; б - с общим стоком; в - с общuм затвором

156

рах. Поэтому в инженерных расчетах прнменяют эквивалентные схе­

мы транзнсторов в основном с сосредоточенными параметрами.

Параметры сосреДОТоченных элементов схемы можно предста­

вить следующим образом.

Входная проводимость У\1. Параметр g\l определяется тремя со-

средоточенными резисТl!ВНЫ~И элементами: сопротивлеиием объемной

области затвора 'зи, сопротивлением области обратносмещенного

р-n перехода затвор-исток Rзи и омическим сопротивлеНl!ем перифе­ риllпого объема области истока 'иj параметр Cl\ равен сумме заряд­

иых емкостей областей р-n переходов затвор - исток и затвор - сток.

Взаимная проводимость обратной связи r,12. Параметр gl2 пред­

ставляется тремя сосредоточенными резистивными элементами: оми­

ческим сопротивлением объемной области затвора ,,,,,,,-сопротивлени­

ем области обратносмещенного р-n перехода затвор - сток Rзо

И омическим сопротивлением периферийного объема области стока

гс; парамЕ'ТР С12 - зарядная емкость области р-n перехода затвор­

сток Сэс•

Взаимная проводимость прямой передачи У21. Параметр g21 ото-

бражается крутизной транзистора S, и параметр С21 - зарядной ем­

костью области р-n перехода затвор - исток.

Выходная проводимость У22• Параметр g22 составляют дифферен-

циальное сопротивление I(анала и объемное сопротивление перифе­

рийных областей истока и стока; параметр С22 - емкости затвор­

еток и сток - исток.

Когда известны элементы, определяющие У-параметры полевого

транзистора с управляемым р-n переходом, несоставляет больщого

труда построить П-образную эквнвалентную схему полевого тр~нзи­

стора с управляемым р-n переходом по аналогии с эквивалентными

схемами для У-параметров биполярного транзистора (см. рис. 4.9).

Однако с учетом всех перечисленных элементов эквивалентная схема

полевого тра.зистора получается громоздкой. Ею пользуются обыч­

но при очень точных расчетах. Для инженерных расчетов применяет­

ся УПрОLЦенная эквивалентная схема полевого транзистора, показан­

ная па рис. 4 11, а. Она содержит зависимый источник тока, управ­

ляемый напряжением, и межэлектродные емкости.

В УЗЧ межэлеКТРОДllые емкости полевого транзистора, имеющие

малые значения, не оказывают существенного влияния на результат

расчета и поэтому при инженерных расчетах, как правило, не учиты­

ваются. Эквивалентная схема полевого транзистора без учета меж­ электродных емкостей показана на рис. 4.11, б. Из схемы видно, что ток затвора в этом случае равен нулю и полевой транзнстор описы­ вается не двумя уравнениями r,-параметров, а только одним:

~c = .!::'21!:!.зи + !:22i!си = SUзи + uси/'ис.	(4.15)
На основе уравнения (4.15), т. е. простейщей	математической

модели полевого транзистора, можно построить другую графическую

модель	полевого транзистора - сигнальный граф (рис. 4.12,	а),	ко­
торый	после инвертирования ветвей (ребер) преобразуется	в	сиг­
нальиый граф (рис. 4.12, б, где J.t=SГси), щироко используемый			при

расчетах в усилительных каскадах на полевых транзисторах. Иногда в качестве графической модели полевого транзистора используется не сигнальный, а унисторный граф (рис. 4.12, в). Унисторный граф

полевого транзистора характеризуется двумя параметрами: крутиз-

157

т~. "	с	3
		о--
	Сси	SUJИ	'ёц
sиз"	'ёи
JI		11
а)			о)

Рис. 4.11. Эквивалентные схемы полевого транзистора с управляемым

р-n переходом:

Q - упрощенная ДllЯ верхних частот, б - ДlIЯ нижних частот

Рис. 4.12. графы полевого транзистора:

а - СИГКIlIькыА ка оскове (4.15); б - преобразованкыА сигнаllьныА; 8 - УНII­

CTOPKьtA

ной н дифференциальным сопротивлением канала. Следовательно,

дли его построения необходимы такие же исходные данные, как для сигнального графа или эквивалентной схемы.

На примерах расчетов усилительных каскадов на полевых тран­

зисторах легко убедиться в том, что унисторный граф (см. рис.

4.12, 8) подобен эквивалентной схеме полевого транзистора с управ­

лиl!мым р-n переходом (см. рис. 4 11, б). Что касается полевых тран­

ЗИСТОр08 с изолированным затвором, 'Го их упрощенные эквивалент­ ные схемы практически не отличаются от упрощенных эквивалентных схем полевых транзисторов с управляемым р-n переходом, только

емкости затвор - сток и затвор - исток меньше соответствующих

емкостей р-n переходов Сэс и Са., а элементы R,m и Rзс, учитывающие

сопротивление диэлектрика в области затвора, превышают сопротиз­ ление обратносмещеННОГQ р-n перехода более чем на четыре порядка. Следовательно, сигнальный и унисторный графы полевого транзи­ стора с изолированным затвором будут такими же, как у полевых транзисторов с управляемым р-n переходом. Однако полная эквива­

лентная схема полевого транзистора с изолированным затвором

(особенно реализованного в составе интегральной микросхемы) от­ личается от полной эквивалентной схемы полевого транзистора суп. равляемым р-n переходом. Подробное описание эквивалентных схем полевых транзисторов приведено в [5, 6].

Таким образом, при инженерных расчетах каскадов усилительных

158

устройств на полевых транзисторах с управляемым р-n переходом

и с изолированным затвором в равной степени можно использовать

эквивалентные схемы, сигнальные и унисторные графы.

4.5.МОДЕЛИ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМП

вусилительных устройствах электронные лампы уступили свои позиции биполярным и полевым транзисторам. Рассмотрим простеЙ. ший усилительный электровакуумный прибор - ламповый триод. Для

трехэлектродной лампы, так же как и для транзистора, характерны три схемы включения (рис. 4.1 3). В малосигнальном режиме, харак­

терном для каскадов предварительного усиления, лампы описывают­

ся с помощью У-параметров линейными уравнениями. Для схемы включения триода с ОК уравнения имеют следующий вид:

[с = ~H ~c+!:12I!..А;

LA = !:21 I!..c +!:.221!..А I (4.16)

где.!1l =gl1+jroCll - входная проводимость при ~OPOTKOM замыка·

нии на выходе;

YI2=gI2+/roCI2 - взаимная проводимость обратной связи при корот'

ком замыкании на входе;

Y21 =g21+jroC21 - взаимная проводимость прямой передачи при ко·

ротком замыкании на выходе;

Y22=g22+jroC22 -выходиая проводимость при коротком замыкании

иа входе.

На основе (4.16) легко построить эквивалентную схему, которая

будет примерно такой же, как на рис. 48. Однако в каскадах пред­

варительного усиления, как правило, используются электронные лам­

пы с «,левыми» БАХ, т. е. рассчитаииые для работы без сеточных токов. Тогда первое уравнение (4.16) можно не учитывать, так как

сеточный ток «левого» лампового триода в нормальном режиме ра·

вен ну,лю, второму уравнению соответствует эквивалентная схема,

изображенная на рис. 4.14, а.

Так как проводимость прямой передачи лампового триода У21

характеризуется его крутизной S, а выходная проводимость У2;­ внутренним сопротивлением триода Ri, то с учетом межэлектродных

емкостей эквивалентную схему трехэлектродной лампы можно пред­

ставить в виде, показанном на рис. 4.14, б. Иногда в эквивалентной

~A

а)

о)

6)

Рис. 4.13. Схемы включения трехэлектродной лампы:

а - с общим катодом; 6 - с общим анодом; 8 - С общей сеткой

159

с Ic"O

А

А

J(

а)

о)

11)

Рис. 4.14. Эквивалентные схемы трехэлектродной лампы:

а. б - с источии«ом тока ДЛЯ нижних 11 верхннх частот; 8 - С источником

напряжения для верхних частот

схеме трехэлектродной лампы удобнее иметь не зависимый источник

тока, а зависимый источник напряжения. Преобразуя источник тока

в источник напряжения, можно получить эквивалентную схему трио­

да с зависимым источником напряжения (рис. 4.14, в). Емкость сет­

ка - катод ССН считается входной емкостью триода, емкость анод­

сетка СаО - проходной емкостью, а емкость анод - катод Са" - вы­

ходной.

Если во втором уравнении (4.16) У·параметры заменить на со­ ответствующие им для области нижних частот величины S и RI,

а затем решить его относительно анодного напряжения, то получится

уравнение

(4.17)

На основе (4.17) построен сигнальный граф (рис. 4.15, а), у ко­ торого имеется три вершины, соответствующие переменным Uс ' UА'

J \. И два ребра, эквивалентные параметрам rрехэлектродной лампы

S и Rj. Сигнальный граф (рис. 4.15, а), как и эквивалентная схема,

представляет собой графическую модель трехэлектродной лампы для

области нижних частот. Им удобно пользоваться при анализе уси­

лительных каскадов, работающих в малосигнальном режиме. Помимо сигнального графа трехэлектродная лампа может быть изображена в виде унисторного графа (рис. 4.15, б). унисторными ребрами кото­

рого является крутизна S, а пассивным ребром - внугренее сопро·

тивление (проводимость) лампы.

	с	-8	А	Рис. 4.15. Графы трехэлект­
				родной	лампы.
	~К,
				а - сигнальный;	б - унистор,
	8
		+8	.1.	ныl!
	J(	t5)
	а)

160