Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
конспект лекций СВСУ.pdf
Скачиваний:
154
Добавлен:
11.05.2015
Размер:
2.7 Mб
Скачать

Рисунок 2.8 – Микросхема с открытым коллектором

Выходы этих микросхем можно соединить друг с другом, но величину тока необходимо рассчитывать по наихудшему случаю. Обычно последовательно с коллекторным электродом включают элементы индикации, светодиоды, обмотки реле, цепи других логических элементов.

Если на входы подавать импульсы, то на выходе в этом виде импульсов не будет, так как нет напряжения. Чтобы наблюдать импульсы, необходимо дополнить схему резистором R. Тогда в цепи этого резистора и транзистора VT4 появится импульсный ток, а на экране осциллографа импульсы напряжения. Допустимые величины тока для ЛА7 - 15 мА, ЛА8 - 5 мА.

2.4 Особенности 530, 531, 533, 555 серий

На рисунке 2.9 приведена микросхема 530, 531 серий.

79

Рисунок 2.9 – Микросхема 530, 531 серий

На рисунке 2.10 приведена микросхема 533, 555 серий.

 

 

 

 

 

+E0 (+5 В)

 

R1

 

R4

 

R5

 

 

 

 

 

 

 

 

VT3

 

 

VD3

 

 

 

VT4

X1

 

VT1

 

VD5

 

X2

 

 

 

R6

F=X1X2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VD4

 

 

 

VT5

 

 

R3

 

 

 

 

R2

 

 

VD1

VD2

 

 

 

 

 

 

 

VT2

Рисунок 2.10 – Микросхема 533, 535 серий В действительности транзистора Шоттки нет, есть схема, представленная на

рисунке 2.11, которая в упрощенном виде изображается как транзистор Шоттки.

Рисунок 2.11 – Схема транзисторного ключа с диодом Шоттки

Последующие серии ТТЛ являются развитием 155 серии. Эти микросхемы взаимозаменяемы, в том числе и с 155 серией. Они обладают большей мощностью, так как на выходе находятся составные транзисторы. Величина коэффициента разветвления может достигать 20, это значит, что можно подключать до 20 таких же логических схем. Обладают повышенным быстродействием: 5 ÷ 6 нс. Применяются диоды и транзисторы Шоттки.

У серий 530, 531 входы образованы многоэмиттерными транзисторами, а у серий 533, 535 – диодными логическими схемами умножения (см. диодные логические схемы).

Микросхемы ТТЛ серий SN74/SN54 (74 – коммерческая, 54 – для военного применения). Аналог :

SN74 – серия 155

80

SN74S/ SN54S – серии 530, 531 SN74LS/ SN54LS – серии 533, 555

Серия SN74F/ SN54F фирмы Faizchild (Fast-Faizchild Advanced Schottky),

аналог 1531

Серия SN74ALS/SN54ALS - аналог 1533 Серия SN74AS/SN54AS

S – Schottky, LS – Low power Schottky, ALS – Advanced Low Power Schottky, AS – Advanced Schottky, Advanced – усовершенствованный.

Полное совпадение номеров выводов и обозначений типа для ИМС одинакового функционального ряда.

В обозначении микросхем на первом месте могут стоять цифры 1, 5, 6, 7 – полупроводниковые.

2, 4, 8 – гибридные, 3 – прочие (пленочные, керамические). На втором месте цифры номера серии от 00 до 99 или от 000 до 999. Третий элемент условного обозначения – две буквы, обозначающие подгруппу и вид микросхемы, определяющие основное функциональное назначение. Четвертый элемент – число, обозначающее порядковый номер разработки ИС по функциональному признаку в данной серии.

Отсчет электродов – по часовой стрелке от метки, смотреть надо на электроды.

2.5 Станковая логика. 511 серия

Основные параметры:

напряжение питания +15 В, но может быть до 25 В без гарантии на параметры;

уровень единицы +12 В (0.9 Е0);

уровень нуля 1.5 В (0.1 Е0);

температурный диапазон -10 – +70 °С;

высокая помехоустойчивость, так как велика разность между нулём и единицей;

невысокое быстродействие (50 нс);

большое потребление (100 мА на корпус).

На рисунке 2.12 приведена схема данной серии.

81

Рисунок 2.12 – Микросхема 511 серии

Это тоже ТТЛ, но с некоторыми отличиями:

1 На входе стоят транзисторы с ОК, подобные схемы обладают высокой стабильностью, на 1 – 2 порядка большей в сравнении со схемой с ОЭ.

2 Резистор R1 включен по схеме с неполной отрицательной ОС по напряжению. Здесь коллекторный резистор разделен на R2 и R3, следовательно, неполная ОС по напряжению.

3 Между базой и эмиттером транзистора VT3 включен диод VD1, который предназначен для термостабилизации каскада VT3.

Физический смысл:

Например, при повышении температуры, сопротивление VD1 в обратном направлении падает (диод “плывет”), следовательно, ток диода возрастает, а базовый ток транзистора VT3 убывает, т. е. каскад стабилизируется.

4 В базовой цепи VT5 включен стабилитрон VD2 с падением напряжения ≈ 1.5 В. Выполняет роль эквивалента источника напряжения полярностью ±1.5 В, “+” направлен против стрелки эмиттерного электрода VT3. Это закрывание необходимо, когда на любом входе (или на всех) низкий уровень (т. е. нуль). Образуется цепь:

+ E0

R2 R1

ЭБ VT1

X1 выход F предыдущей логической

 

 

ЭБ VT2

 

схемы VD3 открытый VT5 земля

В этом случае уровень точки А низкий, так как VT1 открыт, а на Х1 логический нуль. Следовательно, “+” стабилитрона VD2, противодействуя стрелке эмиттерного электрода VT3, закрывает его. Так же, VT5 закрыт, образуется цепь:

+ E0 R4 БЭ VT4 выход F входыдругойлогическойсхемы.

Следовательно, VT4 открыт. Образуется основная цепь

+ E0 R6 открытый VT4 выход F входы другой логической схемы.

На выходе появляется высокий уровень +12 В.

82