- •1 КЛЮЧИ
- •1.1 Контактные ключи
- •1.2 Диодные ключи
- •1.3 Транзисторные ключи
- •1.3.1 Ключи на биполярных транзисторах
- •1.3.2 Характеристики биполярных транзисторов в ключевых режимах
- •1.3.3 Ключи на униполярных транзисторах
- •1.3.4 Транзисторы типа MOSFET
- •1.3.5 Транзисторы IGBT
- •1.4 Интеллектуальные ключи
- •1.5 Ключи на тиристорах
- •1.6 Переходные процессы в ключах на биполярных транзисторах
- •1.7 Переходные процессы в ключах на униполярных транзисторах
- •1.8 Потери в ключах в импульсном режиме
- •1.9 Способы повышения быстродействия ключей на биполярных транзисторах
- •1.10 Выходные ключевые каскады
- •1.11 Сквозные токи
- •1.14 Тиристорные схемы управления
- •1.15 Тиристорная схема управления двигателем постоянного тока от сети переменного тока
- •1.16 Тиристорная схема управления двигателем постоянного тока от сети постоянного тока
- •2 ЛОГИЧЕСКИЕ СХЕМЫ
- •2.1 Основные определения
- •2.2 Диодные логические схемы
- •2.3 ТТЛ логические схемы
- •2.4 Особенности 530, 531, 533, 555 серий
- •2.5 Станковая логика. 511 серия
- •2.6 Логика на униполярных транзисторах
- •2.7 Логика с оптическими связями
- •2.8 Эмиттерно–связная логика (ЭСЛ)
- •2.9 Интегральная инжекционная логика
- •2.10 Логика ПТШ (полевые транзисторы Шоттки)
- •2.11 Согласование логических схем
- •2.12 Программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС)
- •2.13 Обобщенная модель ПЛИС
- •2.14 Микросхема ПЛМ (К556 РТ 1)
- •3 ТРИГГЕРЫ
- •3.1 Триггеры на биполярных транзисторах
- •3.2 Счетный триггер
- •3.3 Триггеры на униполярных транзисторах
- •3.4 Триггеры на логических элементах
- •3.5 Синхронный RS-триггер
- •3.6 Счетный триггер на логических элементах
- •3.7 D-триггер на логических элементах
- •3.8 JK-триггер на логических элементах
- •3.9 Интегральный шестиэлементный D-триггер ТМ2
- •3.12 Гонки
- •3.13 Триггеры на приборах с отрицательным сопротивлением. Триггеры на туннельных диодах.
- •3.14 Триггеры на тиристорах
- •3.16 Триггеры на операционных усилителях
- •4 Генераторы импульсов
- •4.1 Мультивибраторы на биполярных транзисторах
- •4.1.1 Мультивибраторы в ждущем режиме
- •4.1.2 Мультивибраторы на биполярных транзисторах в автоколебательном режиме
- •4.2 Ждущий мультивибратор на униполярных транзисторах
- •4.3 Генератор импульсов на двух логических элементах с двумя конденсаторами в автоколебательном режиме
- •4.4 Генератор импульсов на четырех логических элементах с одним конденсатором
- •4.5 Генератор импульсов на двух логических элементах с одним конденсатором
- •4.6 Генераторы импульсов на логических элементах в ждущем режиме
- •4.7 Генератор импульсов на туннельном диоде в ждущем режиме
- •4.8 Генератор импульсов на туннельном диоде в автоколебательном режиме.
- •4.9 Генератор импульсов на тиристоре в ждущем режиме
- •4.12 Генератор импульсов в ждущем режиме на таймере
- •4.15 Блокинг-генератор в автоколебательном режиме
- •4.16 Магнитно-транзисторный преобразователь двухплечевой
- •4.17 Схема с дополнительным трансформатором
- •4.18 Мостовая и полумостовая схемы магнитно-транзисторных преобразователей
- •4.19 Генераторы импульсов на ОУ в автоколебательном режиме
- •4.20 Генератор импульсов на ОУ в ждущем режиме
- •4.21 Кварцевая стабилизация импульсных генераторов
- •4.22 Генератор импульсов, стабилизированный кварцем
- •5 Генераторы синусоидальных колебаний
- •5.1 Общие определения
- •5.2 Генератор синусоидальных колебаний с LC контуром и трансформаторной ОС
- •5.3 Схемы с индуктивной, емкостной трехточками
- •5.4 RC цепи для генераторов синусоидальных колебаний
- •5.6 Генераторы синусоидальных колебаний с кварцевой стабилизацией
- •5.7 Генераторы синусоидальных колебаний на ОУ
- •6 Цифроаналоговые и аналого-цифровые преобразователи
- •6.1 Цифроаналоговые преобразователи
- •6.1.1 ЦАП с весовыми резисторами
- •6.1.3 ЦАП с сигма–дельта модуляцией
- •6.1.4 ЦАП с прямым преобразованием
- •6.2.1 Следящие АЦП
- •6.2.2 Развертывающие АЦП
- •6.2.3 АЦП с регистром последовательного приближения
- •6.2.4 АЦП с двойным интегрированием
- •6.2.5 АЦП параллельного преобразования
- •6.2.7 Микросхема КР1108 ПП-1
Когда открывается транзистор VT1 (точка 1, см. рисунок 4.5), конденсатор
C |
разряжается |
по |
цепи |
+ C (справа) R б22 |
R б21 −E0 цепьисточника питания земля |
|
|
открытыйVT1 VD −C(слева). Это напряжение |
разряда |
конденсатора |
одновременно прикладывается к переходу Б–Э транзистора VT2, удерживает его закрытым (запертым). В момент времени 2 закрывается транзистор VT1, а открывается VT2, что соответствует окончанию прогенерированного импульса.
Образуется цепь |
+ земля Э− Б VT2 C R1 −E0 .В |
сущности, + земля |
прикладывается справа к VD, а слева – − E0 через |
сопротивление R K1 . |
Следовательно, ключ VD закрыт, поэтому напряжение на вых 1 скачком нарастает до величины − E0 , как показано штриховыми линиями на рисунке 4.5, т.е.
достигается прямоугольность.
Рисунок 4.5 – Физика процессов, происходящих в схеме на рис. 4.4
Известны более сложные схемы мультивибраторов – фантастроны, санатроны.
4.1.2Мультивибраторы на биполярных транзисторах в автоколебательном режиме
Вышеназванные мультивибраторы образуются из схемы триггера путём замены обеих резистивных связей на емкостные (рисунок 4.6).
В схеме, изображенной на рисунке 4.6, а, генерируются не совсем прямоугольные импульсы, так как отсутствуют диодные ключи. Во второй схеме (рисунок 4.6, б) генерируются прямоугольные импульсы. Если резисторы и конденсаторы С1, R1 и C2, R2 одинаковы, то генерируется меандр. Если их величины отличаются, то вершины и основания импульсов будут различной длины.
Процессы начала генерации объясняются следующим образом. Один из транзисторов всегда отличается от другого. При включении напряжения питания, например, VT1 открывается и сохраняет открытое состояние, но не бесконечно долгое время, как в триггере, а пока заряжается емкость С2 по цепи: земля Э− Б VT1 C2 R K2 −E0 в схеме рисунка 4.6, а. Транзистор VT2
закрыт.
148
Рисунок 4.6, а, б – Схемы мультивибраторов на биполярных транзисторах в автоколебательном режиме
Заряд нарастает по экспоненте; зарядный ток становится минимальным, следовательно, VT1 скачком закрывается. Напряжение на коллекторном электроде возрастает, образуется цепь заряда С1, а именно земля Э− Б VT2 C1 R K1 −E0 , и т. д., что соответствует автоколебательному
режиму.
Расчетные соотношения аналогичны триггеру.
В ждущем режиме производят следующие действия (рисунок 4.2):
1Выбираются транзисторы; основанием для их выбора являются цена, наличие, параметры и координаты, которые необходимо снять со схемы.
2Производится построение семейства выходных характеристик, откладывается напряжение питания E0 , проводится нагрузочная прямая.
3 Резистор R Б1 (базы 1) рассчитывается из соотношения 1:10, |
т.е. |
R Б1 =10 R K1 . Резистор R СМ принимается не менее чем в 10 раз больше чем |
R Б1 . |
Физический смысл здесь заключается в том, что ток, ответвляющийся в цепь смещения, должен быть на порядок меньше по сравнению с базовым током
VT1.
149