- •1 КЛЮЧИ
- •1.1 Контактные ключи
- •1.2 Диодные ключи
- •1.3 Транзисторные ключи
- •1.3.1 Ключи на биполярных транзисторах
- •1.3.2 Характеристики биполярных транзисторов в ключевых режимах
- •1.3.3 Ключи на униполярных транзисторах
- •1.3.4 Транзисторы типа MOSFET
- •1.3.5 Транзисторы IGBT
- •1.4 Интеллектуальные ключи
- •1.5 Ключи на тиристорах
- •1.6 Переходные процессы в ключах на биполярных транзисторах
- •1.7 Переходные процессы в ключах на униполярных транзисторах
- •1.8 Потери в ключах в импульсном режиме
- •1.9 Способы повышения быстродействия ключей на биполярных транзисторах
- •1.10 Выходные ключевые каскады
- •1.11 Сквозные токи
- •1.14 Тиристорные схемы управления
- •1.15 Тиристорная схема управления двигателем постоянного тока от сети переменного тока
- •1.16 Тиристорная схема управления двигателем постоянного тока от сети постоянного тока
- •2 ЛОГИЧЕСКИЕ СХЕМЫ
- •2.1 Основные определения
- •2.2 Диодные логические схемы
- •2.3 ТТЛ логические схемы
- •2.4 Особенности 530, 531, 533, 555 серий
- •2.5 Станковая логика. 511 серия
- •2.6 Логика на униполярных транзисторах
- •2.7 Логика с оптическими связями
- •2.8 Эмиттерно–связная логика (ЭСЛ)
- •2.9 Интегральная инжекционная логика
- •2.10 Логика ПТШ (полевые транзисторы Шоттки)
- •2.11 Согласование логических схем
- •2.12 Программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС)
- •2.13 Обобщенная модель ПЛИС
- •2.14 Микросхема ПЛМ (К556 РТ 1)
- •3 ТРИГГЕРЫ
- •3.1 Триггеры на биполярных транзисторах
- •3.2 Счетный триггер
- •3.3 Триггеры на униполярных транзисторах
- •3.4 Триггеры на логических элементах
- •3.5 Синхронный RS-триггер
- •3.6 Счетный триггер на логических элементах
- •3.7 D-триггер на логических элементах
- •3.8 JK-триггер на логических элементах
- •3.9 Интегральный шестиэлементный D-триггер ТМ2
- •3.12 Гонки
- •3.13 Триггеры на приборах с отрицательным сопротивлением. Триггеры на туннельных диодах.
- •3.14 Триггеры на тиристорах
- •3.16 Триггеры на операционных усилителях
- •4 Генераторы импульсов
- •4.1 Мультивибраторы на биполярных транзисторах
- •4.1.1 Мультивибраторы в ждущем режиме
- •4.1.2 Мультивибраторы на биполярных транзисторах в автоколебательном режиме
- •4.2 Ждущий мультивибратор на униполярных транзисторах
- •4.3 Генератор импульсов на двух логических элементах с двумя конденсаторами в автоколебательном режиме
- •4.4 Генератор импульсов на четырех логических элементах с одним конденсатором
- •4.5 Генератор импульсов на двух логических элементах с одним конденсатором
- •4.6 Генераторы импульсов на логических элементах в ждущем режиме
- •4.7 Генератор импульсов на туннельном диоде в ждущем режиме
- •4.8 Генератор импульсов на туннельном диоде в автоколебательном режиме.
- •4.9 Генератор импульсов на тиристоре в ждущем режиме
- •4.12 Генератор импульсов в ждущем режиме на таймере
- •4.15 Блокинг-генератор в автоколебательном режиме
- •4.16 Магнитно-транзисторный преобразователь двухплечевой
- •4.17 Схема с дополнительным трансформатором
- •4.18 Мостовая и полумостовая схемы магнитно-транзисторных преобразователей
- •4.19 Генераторы импульсов на ОУ в автоколебательном режиме
- •4.20 Генератор импульсов на ОУ в ждущем режиме
- •4.21 Кварцевая стабилизация импульсных генераторов
- •4.22 Генератор импульсов, стабилизированный кварцем
- •5 Генераторы синусоидальных колебаний
- •5.1 Общие определения
- •5.2 Генератор синусоидальных колебаний с LC контуром и трансформаторной ОС
- •5.3 Схемы с индуктивной, емкостной трехточками
- •5.4 RC цепи для генераторов синусоидальных колебаний
- •5.6 Генераторы синусоидальных колебаний с кварцевой стабилизацией
- •5.7 Генераторы синусоидальных колебаний на ОУ
- •6 Цифроаналоговые и аналого-цифровые преобразователи
- •6.1 Цифроаналоговые преобразователи
- •6.1.1 ЦАП с весовыми резисторами
- •6.1.3 ЦАП с сигма–дельта модуляцией
- •6.1.4 ЦАП с прямым преобразованием
- •6.2.1 Следящие АЦП
- •6.2.2 Развертывающие АЦП
- •6.2.3 АЦП с регистром последовательного приближения
- •6.2.4 АЦП с двойным интегрированием
- •6.2.5 АЦП параллельного преобразования
- •6.2.7 Микросхема КР1108 ПП-1
5.3 Схемы с индуктивной, емкостной трехточками
Для упрощения предыдущей схемы, изображенной на рисунке 5.3, (для устранения вторичной обмотки) применяют схему с индуктивной трехточкой, когда у W1 делают третий отвод с коэффициентом трансформации как у трансформаторной схемы с понижением, или емкостной трехточкой, когда у W1 вообще только два отвода (начало и конец), но ставят два конденсатора. Этим упрощают схему с трансформаторной связью (см. рисунок 5.5).
|
|
|
|
-Е0 |
|
|
|
|
|
Др |
|
R1 |
Cбл |
|
W1 |
2 |
W2 |
1 |
|
С |
3 |
||
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
VT |
вых1 |
|
|
R2 |
|
Rэ |
Сэ |
|
|
а)
Рисунок 5.5, а – Схема с индуктивной трехточкой, б – с емкостной трехточкой
На рисунке 5.5, а приведена схема с индуктивной трехточкой. Точка 2 является отводом. Используется обычный каскад с делителем R1, R2 и ООС по току на эмиттерном резисторе. W1, W2 образуют токовую цепь. Так как цепь токовая, то фазы напряжений в точках 1, 3 противоположны. Для примера выставим на базовом электроде VT первый полупериод
199
положительный, образуется либо вследствие скачка напряжения питания, либо вследствие переходных процессов. Так как транзистор – инвертор, то на коллекторном электроде первый полупериод отрицательный с усилением. Следовательно, в точке 3 первый полупериод положительный, так как это токовая цепь.
Положительный полупериод в точке 3 через прямую цепь поступает на базовый электрод. Из изображения видно, что возбуждаемый, начальный сигнал и пришедший по цепи обратный сигнал совпадают по фазе, т.е. удовлетворяется одно из условий генерации а именно ПОС. Нелинейность образуется насыщением и отсечкой транзистора. Резонансная частота примерно та же, что и в предыдущей схеме рисунка 5.3.
В схеме рисунка 5.5, б все аналогично.
5.4 RC цепи для генераторов синусоидальных колебаний
В схемах генераторов синусоидальных колебаний, до частот 1 кГц применяют три основные фазовращающие цепи, представленные на рисунке
5.6.
Рисунок 5.6 – RC цепи,
а– трехзвенная R–параллель, б – трехзвенная С–параллель,
в– последовательно-параллельная цепь (мост Вина)
Всхеме, изображенной на рисунке 5.6, а, трехзвенная R–параллель образована тремя одинаковыми дифференцирующими CR–цепочками, каждая из которых, в пределе, дает фазовый сдвиг +90°. В реальных генераторах
200
используется сдвиг 60° для трехзвенной цепи (общий 180°). Если цепь четырехзвенная, то сдвиг каждого звена 45°.
Важной цифрой является 180°, потому что еще 180° образует инвертор. Инвертор образует фазовый сдвиг 180° в “+” или “–” область, в то время как трехзвенная цепь образует фазовый сдвиг реактивный +180°. Поэтому общий фазовый сдвиг можно считать либо +360° либо 0°. И в том и в другом случае будет ПОС.
В схеме, представленной на рисунке 5.6, б, все аналогично, она на интегрирующих звеньях. Результирующий фазовый сдвиг –180° дополняется “+” или “–” фазовым сдвигом инвертора 180°.
Третья схема (см. рисунок 5.6, в) – последовательно–параллельная цепь, или мост Вина. Он образован двумя цепями, представленными на рисунке 5.7. Результирующая характеристика есть результат взаимной реакции.
|β1|
ω
|β2|
ω
|β|
ω
Рисунок 5.7 – Компоненты последовательно-параллельной цепи, их отдельные и общая характеристики
В итоге образуется подобие LC контуру и если эту схему включить в схему с ПОС, то будет или генератор синусоидальных колебаний, если выполняется условие Wβ ≡1, или фильтр, если Wβ <1 , причем реакция на
входной сигнал точно такая же, как у схемы с LC контуром.
201
5.5Генераторы синусоидальных колебаний с R и C–параллелями
Впервой схеме (см. рисунок 5.8, а) сопротивления Rб1, Rб2 участвуют в формировании R–параллели.
Рисунок 5.8 – Генераторы синусоидальных колебаний с R и С– параллелями
Они предназначены для смещения по току VT и образования ООС по постоянному току на эмиттерном резисторе, т. е. для стабилизации рабочей точки. Причем на базовом электроде VT первый возбуждающий полупериод положительный. Он усиливается и инвертируется. Второе инвертирование осуществляется посредством трехзвенной R–параллели +180°, образуется ПОС и генерация.
Во второй схеме (см. рисунок 5.8, б) резисторы С–параллели одновременно используются и для образования смещающего тока и для стабилизации рабочей точки по напряжению. Первый положительный возбуждающий полупериод инвертируется в отрицательный, а затем С– параллелью смещается на –180°, образуется ПОС. В эмиттерной цепи VT резистора нет, т.к. стабилизирующая обратная связь выполнена по коллекторной цепи.
5.6 Генераторы синусоидальных колебаний с кварцевой стабилизацией
Общие сведения о пьезоэлектрических кварцах и особенностям применения в импульсных схемах генераторов приведены в разделах 4.21, 4.22. Примеры принципиальных схем генераторов синусоидальных колебаний, стабилизированных кварцами, изображены на рисунках 5.9. Если схемы генераторов с LC контурами и RC цепями выявляют нестабильность частоты до нескольких процентов и более, то кварцевые генераторы
202
синусоидальных колебаний намного стабильнее - десятые или сотые доли процента. Из раздела 4.21 известно, что в дополнение к кварцу, схема должна содержать фильтр нижних частот, если возбуждение производится по первой гармонике, либо контур, тогда по любой гармонике.
Рисунок 5.9, а – Схема генератора с емкостной трехточкой и ООС через кварц, б – схема генератора на двух каскадах
В схеме, изображенной на рисунке 5.9, а, между базовым и коллекторным электродами включен кварц. Примем, что на базовом электроде первый полупериод положительный, а на коллекторном электроде первый полупериод отрицательный. Следовательно, через кварц поступает тот же первый
203
полупериод отрицательный. Имеет место ООС на всех частотах кроме резонансной. ООС уменьшает коэффициент усиления транзисторного каскада. На резонансных частотах, как известно из 4.21, есть две частоты, где колебания совпадают по фазе и противофазны. В этой схеме используется именно та резонансная частота, на которой фазы возбуждающего и собственного колебания кварца противонаправлены, поэтому кварц имеет максимальное сопротивление, ООС уменьшается. Следовательно, общий коэффициент усиления возрастает, удовлетворяется соотношение:
WПр (jω) W0 (jω) ≡1
где Wпр(jω) - коэффициент передачи прямой цепи, W0(jω) - коэффициент передачи цепи обратной связи.
В итоге, схема генерирует, причем только на одной частоте, хотя гармоник много. Одна частота избирается LC1С2 контуром. Она может быть либо 1-ой, 2-ой, … , 25-ой (любой).
На схеме, представленной на рисунке 5. 9,б , первый каскад выполнен с обычным резонансным LC контуром, настраивается на частоту выбраной гармоники (см. рисунок 5.10).
A
1 |
25 |
f |
Рисунок 5.10 – Гармоники кварца и резонансная характеристика LC контура в схеме рисунка 5.9, б
Второй каскад – обычный эмиттерный повторитель. Между каскадами вводится гальваническая развязка посредством конденсатора Ссв. Первый полупериод на базе VT1 примем положительным. В коллекторной цепи VT1 первый полупериод будет отрицательным. Этот первый отрицательный полупериод почти без изменений проходит через Ссв на базовый электрод транзистора VT2, повторяется по форме в его эмиттерной цепи на резисторе Rэ2 и через кварц на частоте его минимального резонансного сопротивления передается первым отрицательным полупериодом на резистор Rэ1. Из схемы рисунка 5.9, б видно, что собственный сигнал каскада VT1 на резисторе Rэ1 имеет первый положительный полупериод, а прошедший через кварц – отрицательный. Происходит их взаимное вычитание, компенсация. Следовательно, сигнал ОС противофазен базе VT1, они вычитаются. Образуется эффект, эквивалентный подключению Rэ1 к конденсатору, т. е.
204