- •Министерство образования и науки рф
- •Глава 1. Уровни энергии. Взаимодействие элеКтромагнитного излучения с веществом
- •1.1. Многоэлектронные атомы
- •1.2. Молекулы
- •1.3. Электронные состояния в полупроводниках
- •1.4. Оптические переходы в полупроводниках
- •1.5. Люминесценция
- •1.6. Спонтанное и вынужденное излучение.
- •1.7. Форма и ширина спектральной линии
- •Глава 2. Усиление и генерация
- •2.1. Характеристики неравновесных состояний квантовых систем. Отрицательная температура
- •2.2. Принцип работы квантовых усилителей и генераторов
- •2.3. Возбуждение активного вещества (накачка)
- •2.5. Трехуровневые схемы
- •2.6. Четырехуровневая схема
- •2.7. Оптические резонаторы
- •2.8. Добротность резонатора.
- •2.9. Условие самовозбуждения и насыщение усиления
- •2.10. Свойства лазерного излучения
- •Глава 3. Лазеры
- •3.1. Классификация лазеров
- •3.2. Твердотельные лазеры
- •3.2.1. Рубиновый лазер
- •3.2.2. Лазеры на кристаллах и стеклах,
- •3.3. Жидкостные лазеры
- •3.4. Газовые лазеры
- •3.4.1. Атомарные газовые лазеры
- •3.4.2. Молекулярные лазеры
- •3.4.3. Эксимерные лазеры
- •3.5. Полупроводниковые лазеры.
- •3.5.1. Принцип работы полупроводниковых лазеров
- •3.5.2. Инжекционный лазер на гомопереходе
- •3.5.3. Инжекционный лазер на гетеропереходе
- •3.5.4. Лазеры на квантовых ямах
- •3.5.5. Квантово-какскадные лазеры
- •3.5.6. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
- •Глава 4. Некогерентные источники
- •4.1. Светодиоды
- •4.2. Спектр излучения светодиодов
- •4.3. Фотоприемники
- •4.4. Фотодиоды
- •Глава 5. Приборы управления световыми
- •5.1. Электрооптические, магнитооптические и пьезооптические эффекты
- •5.2. Оптические модуляторы
- •5.3. Дефлекторы
- •Список литературы
- •Оглавление
- •Глава 1. Уровни энергии. Взаимодействие
- •Глава 2. Усиление и генерация электромагнитного
- •Глава 3. Лазеры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
- •Глава 4. Некогерентные источники излучения.
- •Глава 5. Приборы управления световыми потоками . . . . . . 97
Министерство образования и науки рф
Федеральное государственное бюджетное образовательное
учреждение высшего профессионального образования
ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
С.А. Садыков
КВАНТОВАЯ И ОПТИЧЕСКАЯ
ЭЛЕКТРОНИКА
Учебное пособие
Махачкала 2012
Издается по решению редакционно-издательского совета
Дагестанского государственного университета.
Садыков С.А.
Квантовая и оптическая электроника. – Махачкала: Изд-во ДГУ, 2012. -
В учебном пособии изложены процессы взаимодействия электромагнитного излучения с веществом и оптические явления в полупроводниках; принципы усиления, генерации, модуляции, детектирования и преобразования частоты лазеров, а также особенности работы и основные свойства различных типов лазеров, полупроводниковых светодиодов и квантовых приемников оптического излучения.
Пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».
Рецензенты:
Бабаев А.А., доктор физ.-мат. наук, зав. лаб. ОЯКС ИФ ДНЦ РАН
Митаров Р. Г., доктор физ.-мат. наук, проф. кафедры физики ДГТУ
ВВЕДЕНИЕ
Квантовая электроника - область физики, изучающая методы усиления и генерации электромагнитного излучения на основе явления вынужденного излучения в неравновесных квантовых системах, а также свойств получаемых таким образом усилителей и генераторов и их применения.
Оптоэлектроника - область науки и техники, исследующая и применяющая процессы взаимодействия оптического излучения с веществом для передачи, приема, переработки, хранения и отображения информации.
Оптическое излучение - электромагнитное излучение оптического диапазона. Оптический диапазон спектра составляют электромагнитные колебания, длина волн которых лежит в пределах от 1 м до 1 нм. Внутри оптического диапазона выделяют видимое (λ = 0,38...0,78 мкм), инфракрасное (λ = 0,78... 1000 мкм) и ультрафиолетовое (λ = 0,001...0,38 мкм) излучения.
Оптоэлектронными приборами называются приборы, генерирующие, преобразующие или использующие для своей работы электромагнитное излучение оптического диапазона.
Оптоэлектроника базируется на двух основных видах излучателей: лазерах (когерентное излучение) и светоизлучающих диодах (некогерентное излучение). Наибольший интерес для разнообразных оптоэлектронных применений представляют полупроводниковые лазеры благодаря высокому к.п.д., малым габаритам, высокому быстродействию, простоте управления. Для оптоэлектроники особый интерес представляют полупроводниковые излучатели - инжекционные (светодиоды) и электролюминесцентные (электролюминофоры).
Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств связаны с тем, что в качестве носителя информации в них наряду с электронами выступают электрически нейтральные фотоны. Этим обуславливаются их основные достоинства: возможность идеальной гальванической развязки входа и выхода; однонаправленность потока информации; высокую помехозащищенность; исключение взаимных наводок и паразитных связей между различными элементами схемы. Высокая частота оптических колебаний (1014—1015 Гц) обусловливает большой объем передаваемой информации и быстродействие. Соответствующая оптической частоте малая длина волны (до 10–4 -10–5 см) открывает пути для микроминиатюризации передающих и приемных устройств оптоэлектроники, а также линии связи.
Основными элементами оптоэлектроники являются источники света (лазеры, светодиоды), оптические среды (активные и пассивные) и фотоприемники. Существует два пути развития оптоэлектроники: оптический, основу которого составляет когерентный луч лазера (когерентная оптоэлектроника), и электрооптический, основанный на фотоэлектрическом преобразовании оптического сигнала (оптроника). С когерентной оптоэлектроникой связаны новые принципы и методы построения больших систем вычислительной техники, оптические связи, запоминания и обработки информации, не имеющих аналогов в традиционной радиоэлектронике. Все это оправдывает использование таких терминов как "когерентная оптоэлектроника" и "некогерентная оптоэлектроника". Естественно, что четкую грань провести невозможно, но различия между ними очень существенны.
История оптоэлектроники ведет своё начало с открытия оптического квантового генератора - лазера (1960 г.). Примерно в то же время (50-60-е гг.) получили достаточно широкое распространение светоизлучающие диоды, полупроводниковые фотоприемники, устройства управления световым лучом и другие элементы оптоэлектроники.
Дальнейшее развитие и совершенствование средств оптоэлектроники служит техническим фундаментом разработки сверхвыскопроизводительных вычислительных комплексов, запоминающих устройств гигантской емкости, высокоскоростной связи, твердотельного телевидения и инфравидения.