- •Министерство образования и науки рф
- •Глава 1. Уровни энергии. Взаимодействие элеКтромагнитного излучения с веществом
- •1.1. Многоэлектронные атомы
- •1.2. Молекулы
- •1.3. Электронные состояния в полупроводниках
- •1.4. Оптические переходы в полупроводниках
- •1.5. Люминесценция
- •1.6. Спонтанное и вынужденное излучение.
- •1.7. Форма и ширина спектральной линии
- •Глава 2. Усиление и генерация
- •2.1. Характеристики неравновесных состояний квантовых систем. Отрицательная температура
- •2.2. Принцип работы квантовых усилителей и генераторов
- •2.3. Возбуждение активного вещества (накачка)
- •2.5. Трехуровневые схемы
- •2.6. Четырехуровневая схема
- •2.7. Оптические резонаторы
- •2.8. Добротность резонатора.
- •2.9. Условие самовозбуждения и насыщение усиления
- •2.10. Свойства лазерного излучения
- •Глава 3. Лазеры
- •3.1. Классификация лазеров
- •3.2. Твердотельные лазеры
- •3.2.1. Рубиновый лазер
- •3.2.2. Лазеры на кристаллах и стеклах,
- •3.3. Жидкостные лазеры
- •3.4. Газовые лазеры
- •3.4.1. Атомарные газовые лазеры
- •3.4.2. Молекулярные лазеры
- •3.4.3. Эксимерные лазеры
- •3.5. Полупроводниковые лазеры.
- •3.5.1. Принцип работы полупроводниковых лазеров
- •3.5.2. Инжекционный лазер на гомопереходе
- •3.5.3. Инжекционный лазер на гетеропереходе
- •3.5.4. Лазеры на квантовых ямах
- •3.5.5. Квантово-какскадные лазеры
- •3.5.6. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
- •Глава 4. Некогерентные источники
- •4.1. Светодиоды
- •4.2. Спектр излучения светодиодов
- •4.3. Фотоприемники
- •4.4. Фотодиоды
- •Глава 5. Приборы управления световыми
- •5.1. Электрооптические, магнитооптические и пьезооптические эффекты
- •5.2. Оптические модуляторы
- •5.3. Дефлекторы
- •Список литературы
- •Оглавление
- •Глава 1. Уровни энергии. Взаимодействие
- •Глава 2. Усиление и генерация электромагнитного
- •Глава 3. Лазеры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
- •Глава 4. Некогерентные источники излучения.
- •Глава 5. Приборы управления световыми потоками . . . . . . 97
3.2.1. Рубиновый лазер
Рубиновый лазер является первым квантовым генератором, работающим в оптическом диапазоне. В рубиновом лазере в качестве активного вещества используют монокристаллическкую окись алюминия Al2O3 с решеткой сапфира, в которой часть ионов алюминия Al+3 изоморфно замещены ионами Cr+3. Концентрация ионов хрома не превышает ~1,6·1019 ат/см3. При больших концентрациях происходит взаимодействие ионов Cr+3 между собой, что приводит к искажению энергетического спектра ионов.
Розовый цвет кристаллов обусловлен широкими полосами поглощения Cr+3. Генерация лазерного излучения происходит за счет переходов между уровнями ионов Cr+3 (рис. 3.1). Такие ионы называются активными.
Нижний уровень расщеплен энергетическим полем решетки на два двукратно вырожденных подуровня. Излучение накачки поглощается в двух широких полосах, соответствующих переходам активных атомов из основного состоянияв состоянияи, которые происходят из терма свободного иона. Максимумы соответствующих полос поглощения расположены при 0,41 и 0,55 мкм, а ширина каждой из них составляет 100 нм. Эти полосы обозначены какY и U- полосы, сравнительно хорошо вписываются в спектр излучения ксеноновой лампы- накачки. Красный цвет кристаллического рубина как раз определяется наличием широких полос поглощения в синих и зеленых областях спектра.
Рис. 3.1. Диаграмма энергетических уровней иона Cr+3 в рубиновом лазере.
Ниже полосы расположены уровни, также происходящие от терма свободного иона, включающие два подуровняE и . Электронные переходы с этих уровней в основное состояние определяют люминесценции рубина. Ее спектр состоит из двух однородно широкихR- линий с полушириной 300 ГГц: - 694,3 нм и-692,9 нм. Генерация, как правило, наблюдается на- линии, т.к. уровеньE заселен больше, чем .
Уровни метастабильны и характеризуются временем жизниτ ≈ 3 мс. Поэтому на них происходит накопление частиц и возможно получение инверсии населенностей.
Рубиновые лазеры, как правило, работают в импульсном режиме. Из-за низкого КПД () они неэкономичны по сравнению с другими лазерами, работающими в непрерывном режиме. При работе в непрерывном режиме мощность излученияPнепр = 0,1…1 Вт.
3.2.2. Лазеры на кристаллах и стеклах,
активированных неодимом
В настоящее время лазер на стекле, активированном ионами неодима , является одним из наиболее распространенных лазеров благодаря хорошей технологичности и низкой стоимости стеклянных активных лазерных элементов.
Основные недостатки рубинового лазера связаны с трехуровневой схемой его работы, что обусловлено особенностями трехвалентного иона хрома. Более удачными оказались ионы редкоземельных элементов, строение энергетических уровней которых позволяет осуществить работу по четырехуровневой схеме.
Незаполненная 4f- оболочка редкоземельных элементов расположена ближе к ядру, чем 3d- оболочка элементов группы железа, и хорошо экранированная от внешних полей 5s- и 5p- оболочками. Поэтому энергетический спектр ионов, введенных в кристалл, слабо отличается от энергетического спектра свободных ионов. В кристаллических матрицах уровни энергии таких ионов остаются узкими, поэтому спектры их люминесценции и поглощения, состоят из ряда узких, интенсивных линий.
Генерация с участием иона неодима наблюдалось более чем в 100 различных матрицах. Из них оптимальной совокупностью свойств обладают кристаллы(иттрий-алюминиевый гранат, называется такжеYAG) и стекла.
Оптическая накачка приводит ионы из основного состоянияв серию возбужденных состояний, состоящую из большого числа узких, частично перекрывающихся уровней (рис. 3.2). Полосы поглощения расположены на длинных волн 0,73 и 0,8 мкм. Последняя полоса очень удобна для накачки полупроводниковыми лазерами и светодиодами на основе арсенида гелия. С этих уровней энергии осуществляется быстрая безызлучательная релаксация на метастабильный уровеньс временем жизни 230 мкс. Переходы с этого уровня осуществляются на нижние уровни (а именно -,,и). Оказывается, что из различных возможных переходов с уровняна нижележащие уровни наиболее интенсивным является переход→в области 1,06 мкс. Обычно на этом переходе осуществляется генерация.
Уровень , являющийся нижним рабочим лазерным уровнем, расположен примерно на 0,25 эВ выше основного состояния. Уровеньсвязан быстрой (порядка наносекунд) безылучательной релаксаций в основное состояние, так что тепловое равновесие между этими уровнями устанавливается очень быстро. Таким образом, генерация лазера→соответствует четырехуровневой схеме.
Рис. 3.2. Упрощенная диаграмма энергетического уровня вв схеме работы неодимового лазера (Nd:YAG).
Необходимо еще учитывать тот факт, что уровень расщнплен благодаря эффекту Штарка на два подуровня (R1 и R2), тогда как уровень расщеплен на шесть подуровней. Лазерная генерация обычно происходит с верхнего подуровняR2 на определенный подуровень уровня , поскольку этот переход обладает наибольшим сечением перехода вынужденного излучения. Лазеры на неодиновых стеклах также могут излучать на длине волны 1,32 мкм. Эти лазеры способны обеспечить в непрерывном режиме оптическую мощностьPнепр = 10…104 Вт, Pимп = 30…300 кВт (при tи=30 нс, f = 108…109 Гц).
К недостаткам всех кристаллов, активированных редкими землями, являются отсутствие широких полос поглощения. Для увеличения эффективности накачки наряду с активными ионами добавляют ионы другого вида, называемые сенсибилаторами. Их роль заключается в поглощении энергии возбуждения в ширине спектрального диапазона и передаче ее основным рабочим ионам. Это приводит к расширению полосы накачки и к повышению эффективности лазера. В YAG в качестве сенсибилизатора могут быть использованы ионы .
Nd:YAG лазеры широко применяются в различных областях, среди которых можно вылелить следующее:
Обработка материалов (сверление, сварка и пр.).
Применения в медицине
Применения в лазерной дальнометрии для военных целей.
Различные научные применения.