- •Министерство образования и науки рф
- •Глава 1. Уровни энергии. Взаимодействие элеКтромагнитного излучения с веществом
- •1.1. Многоэлектронные атомы
- •1.2. Молекулы
- •1.3. Электронные состояния в полупроводниках
- •1.4. Оптические переходы в полупроводниках
- •1.5. Люминесценция
- •1.6. Спонтанное и вынужденное излучение.
- •1.7. Форма и ширина спектральной линии
- •Глава 2. Усиление и генерация
- •2.1. Характеристики неравновесных состояний квантовых систем. Отрицательная температура
- •2.2. Принцип работы квантовых усилителей и генераторов
- •2.3. Возбуждение активного вещества (накачка)
- •2.5. Трехуровневые схемы
- •2.6. Четырехуровневая схема
- •2.7. Оптические резонаторы
- •2.8. Добротность резонатора.
- •2.9. Условие самовозбуждения и насыщение усиления
- •2.10. Свойства лазерного излучения
- •Глава 3. Лазеры
- •3.1. Классификация лазеров
- •3.2. Твердотельные лазеры
- •3.2.1. Рубиновый лазер
- •3.2.2. Лазеры на кристаллах и стеклах,
- •3.3. Жидкостные лазеры
- •3.4. Газовые лазеры
- •3.4.1. Атомарные газовые лазеры
- •3.4.2. Молекулярные лазеры
- •3.4.3. Эксимерные лазеры
- •3.5. Полупроводниковые лазеры.
- •3.5.1. Принцип работы полупроводниковых лазеров
- •3.5.2. Инжекционный лазер на гомопереходе
- •3.5.3. Инжекционный лазер на гетеропереходе
- •3.5.4. Лазеры на квантовых ямах
- •3.5.5. Квантово-какскадные лазеры
- •3.5.6. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
- •Глава 4. Некогерентные источники
- •4.1. Светодиоды
- •4.2. Спектр излучения светодиодов
- •4.3. Фотоприемники
- •4.4. Фотодиоды
- •Глава 5. Приборы управления световыми
- •5.1. Электрооптические, магнитооптические и пьезооптические эффекты
- •5.2. Оптические модуляторы
- •5.3. Дефлекторы
- •Список литературы
- •Оглавление
- •Глава 1. Уровни энергии. Взаимодействие
- •Глава 2. Усиление и генерация электромагнитного
- •Глава 3. Лазеры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
- •Глава 4. Некогерентные источники излучения.
- •Глава 5. Приборы управления световыми потоками . . . . . . 97
2.3. Возбуждение активного вещества (накачка)
Наиболее распространенными методами накачки являются:
1. Накачка вспомогательным излучением (оптическая накачка)- наиболее универсальный и широко используемый метод накачки твердотельных лазеров на диэлектриках, жидкостных лазеров, может применяться в полупроводниковых и газовых лазерах. Сущность метода – активное вещество облучается мощным электромагнитным излучением. Оно выбирается так, чтобы поглощалось активным веществом, переводя активные центры в возбужденное состояние. В качестве источников накачки могут служит обычные лампы накаливания, мощные ксеноновые лампы-вспышки, ртутные лампы, полупроводниковые светодиоды и др.
2. Накачка с помощью газового разряда.
Применяется в газоразрядных лазерах, где возбуждение активных атомов и молекул осуществляется за счет неупругих столкновений, приводящих к обмену энергией частиц в облаке газового разряда.
3. Сортировка частиц.
Метод используется в пучковых мазерах и основан на разделении молекул, находящихся в основном и возбужденном состояниях, так чтобы в рабочий объем попадали только возбужденные молекулы. Невозбужденные молекулы выводятся из рабочего пучка. Метод основан на том, что возбужденные и невозбужденные молекулы по-разному реагируют на внешние электрические и магнитные поля.
4. Инжекция неосновных носителей заряда через переход. Применяется в полупроводниковых инжекционных лазерах. Позволяет непосредственно преобразовать электрическую энергию источника в когерентное электромагнитное излучение.
5. Возбуждение частицами высоких энергий. Метод применяется в полупроводниковых лазерах с электронной накачкой, а также может применяться в других типах лазеров. Пучок предварительных ускоренных электронов направлен на рабочую мишень активного вещества, вызывая возбуждение и ионизацию активных центров.
6. Химическая накачка. Метод применяется в газовых лазерах. Используется ряд химических реакций, протекающих между газообразными веществами, в результате которого конечный продукт оказывается в возбужденном состоянии.
7. Газодинамическая накачка. Метод применяется в газовых лазерах. Рабочий газ, нагретый до высокой температуры, резко охлаждается. Переходя в равновесное состояние, молекулы газа задерживаются в метастабильных состояниях, в результате чего может быть достигнута инверсия населенностей.
Элементарные процессы, приводящие к образованию инверсии на рабочих уровнях, определяются переходами между рядом энергетических состояний. Разумно учесть только те переходы, которые вносят наиболее существенный вклад в изменение населенности рабочих уровней при накачке. Более того, при анализе условий возникновения инверсии группу уровней можно рассматривать как один эквивалентный уровень (или полосу) с эффективным временем жизни τм. Таким образом, можно говорить о двух- трех- и четырехуровневой схеме возбуждения активного вещества в зависимости от количества принципиально необходимых энергетических уровней, участвующих в создании инверсии населенностей.
2.4. Двухуровневая схема
Рассмотрим двухуровневую систему с энергиями уровней и, где- основной уровень. Пусть уровни являются невырожденными, т.е.
Будем осуществлять оптическую накачку на частоте переходов за счет поглощения фотонов. Плотность излучения накачки. Кинетические уравнения, описывающие изменение атомов на уровнях в стационарном режиме, будут иметь вид:
. 1)
Учитывая, что , находим населенность уровней:
, . (2)
На рис. 2.4 представлено изменение населенностей уровней в зависимости от плотности излучения накачки . В отсутствии накачки, т.е. все частицы находятся в основном состоянии. С ростом интенсивности накачки происходит перераспределение частиц по уровням.
Рис. 2.4. Двухуровневая схема (а) и зависимость относительной населенности уровней от интенсивности накачки (б).
Если взять два уровня с различными статическими весами и, то получим, что в пределечисло частиц на верхнем уровне, а на нижнем уровне. Хотя при>число частицможет быть больше, населенность верхнего уровнябудет всегда меньше населенности нижнего уровня, т.е. инверсии населенностей и усиления не будет достигнуто.
Таким образом, по двухуровневой схеме квантовые усилители и генераторы с оптической накачкой работать не могут.
В двухуровневой схеме инверсию населенностей можно достичь, используя метод сортировки частиц. Именно этот метод привел к созданию первого квантового генератора – мазера на пучке молекул аммиака.