- •Удк 627.824
- •1. Общие положения
- •Издание официальное
- •2. Элементы аэродромов и вертодромов элементы аэродромов
- •Летные полосы
- •Рулежные дорожки
- •Т а б л и ц а 5
- •Стр. 4 сНиП 2.05.08-85
- •Перроны, места стоянки самолетов и площадки специального назначения
- •Элементы вертодромов
- •Т а б л и ц а 9
- •3. Вертикальная планировка
- •Стр.6 сНиП 2.05.08-85
- •Т а б л и ц а 12
- •Т а б л и ц а 13
- •4. Грунтовые основания общие указания
- •Стр. 8 сНиП 2.05.08-85
- •Т а б л и ц а 17
- •Основания на набухающих грунтах
- •Стр. 10 сНиП 2.05.08-85
- •Основания на просадочных грунтах
- •Основания на торфах, заторфованных и слабых глинистых грунтах
- •Основания на засоленных грунтах
- •Т а б л и ц а 19
- •Основания на вечномерзлых грунтах
- •Стр. 12 сНиП 2.05.08-85
- •Основания на пучинистых грунтах
- •5. Аэродромные одежды
- •Материалы для покрытий и искусственных оснований
- •Стр. 14 сНиП 2.05.08-85
- •Конструирование покрытий и искусственных оснований Общие указания
- •Жесткие аэродромные покрытия
- •Деформационные швы в жестких аэродромных покрытиях
- •Нежесткие аэродромные покрытия
- •Т а б л и ц а 24
- •Усиление существующих покрытий при реконструкции аэродромов
- •Т а б л и ц а 25
- •Т а б л и ц а 27
- •Расчет аэродромных покрытий
- •Т а б л и ц а 28
- •Расчет жестких аэродромных покрытий
- •Стр. 20 сНиП 2.05.08-85
- •Расчет нежестких аэродромных покрытий
- •Расчет усиления существующих покрытий при реконструкции аэродромов
- •Стр. 26 сНиП 2.05.08-85
- •6. Водоотводные и дренажные системы общие указания
- •Элементы водоотводных и дренажных систем
- •Т а б л и ц а 33
- •Особенности проектирования водоотводных и дренажных систем для аэродромов, располагаемых в сложных инженерно-геологических условиях
- •7. Охрана окружающей среды природоохранные мероприятия
- •Удаление аэродромов (вертодромов) от городов и населенных пунктов
- •Защита от воздействия сверхвысоких радиочастот
- •Защита от загрязнения поверхностными сточными водами
- •Типы гидрогеологических условий
- •Дорожно-климатические зоны ссср
- •Номенклатура глинистых грунтов
- •Расчетные характеристики грунтов
- •Определение эквивалентного коэффициента постели
- •Теплотехнические расчеты оснований на вечномерзлых грунтах
- •Т а б л и ц а 1
- •Т а б л и ц а 4
- •Расчет оснований на пучинистых грунтах
- •Черт. 1. Расчетная схема слоистого основания Черт. 2. График для определения коэффициента mZ
- •Определение сжимающих напряжений в грунте от эксплуатационной нагрузки и собственного веса конструкции
- •Характеристики материалов аэродромных одежд
- •Т а б л и ц а 5
- •Графики, номограммы и таблицы для расчета аэродромных одежд
- •Расчет искусственных оснований под жесткие покрытия из материалов, обработанных вяжущими
- •Содержание
Расчет оснований на пучинистых грунтах
Расчет оснований аэродромных покрытий, возводимых на пучинистых грунтах, заключается в определении толщины стабильного слоя, обеспечивающего снижение деформация пучения sf до допустимого значения su.
Толщину стабильного слоя надлежит определять в такой последовательности.
1. Ориентировочно назначается толщина искусственного основания.
2. С учетом толщины слоев аэродромной одежды и основания определяется высота последнего (n-го) пучащего слоя грунта Нn, м, по формуле
, (1)
где λf, λfi— коэффициенты теплопроводности соответственно последнего (п-го) пучащего слоя грунта и i-го слоя аэродромной одежды и основания, Вт/(м.°С);
θmp— абсолютная средняя температура на поверхности покрытия за период промерзания, °С, принимаемая равной средней температуре воздуха tma;
t0 — температура начала пучения грунта, °С, принимаемая по табл. 1;
τf = j — продолжительность периода отрицательных температур на поверхности покрытия, ч;
τj — продолжительность j-го месяца с отрицательной среднемесячной температурой воздуха, ч;
i— номер слоя аэродромной одежды и основания;
т— число слоев аэродромной одежды и основания;
ti — толщина i-го слоя аэродромной одежды и основания, м;
ηf — количество тепла, выделяемое при фазовых переходах и охлаждении n-го слоя грунта, кДж/м3:
ηf = 0,5θmpCf +ρd(w-ww) 334 ;
ηfi — количество тепла, выделяемое при фазовых переходах и охлаждении i-го слоя аэродромной одежды и основания, кДж/м3:
ηfi = 0,5θmpCfi+ρdi(wi-wwi)334 ;
ηfo— количество тепла, выделяемое при фазовых переходах и охлаждении грунта, расположенного ниже изотермы начала пучения, кДж/м3:
ηfo = 0,05t0 Cf + ρd (w-ww ) 334 ;
Сf, Cfi — теплоемкость, кДж/ (м3 °С);
Pd, Pdi — плотность сухого грунта или материала, кг/м3;
w,wi — суммарная влажность, доли единицы;
ww , wwi — влажность грунта или материала за счет содержания в них незамерзшей воды, доли единицы, соответственно последнего (n-го) пучащего слоя грунта и i-го слоя аэродромной одежды и основания.
Значения di , fi , Cfi , wi для материалов аэродромной одежды и основания принимают по табл. 1, значения λf(i) и Cf(i) для грунтов естественного основания — по табл. 2 обязательного приложения 6, значения ρd(i), w(i) и ww(i) — по данным инженерно-геологических изысканий.
Значение ww допускается определять по формуле
ww=kwwp , (2)
где kw, — коэффициент, принимаемый по табл. 2;
wp — влажность грунта на границе раскатывания, принимаемая по данным инженерно-геологических изысканий.
Т а б л и ц а 1
Грунты
|
Температура начала пучения t0 , минус,°С
|
Пески: гравелистые и крупные мелкие и пылеватые
|
0 0,2
|
Супеси
|
0,4
|
Суглинки: мягкопластичные тугопластичные полутвердые
|
0,6 0,8 1,0
|
Глины: мягкопластичные тугопластичные полутвердые
|
1,1 1,3 1,5
|
Т а б л и ц а 2
Грунты
|
Число пластичности
|
kw
|
Пески и супеси Супеси Суглинки
Глины
|
Ip 0,02 0,02 < Ip 0,07 0,07 < Ip 0,13 0,13 < Ip 0,17 Ip 0,17
|
0 0,35 0,50 0,55 0,65
|
Стр.42 СНиП 2.05.08-95
3. Определяется расчетное значение деформации пучения основания sf, м, согласно расчетной схеме
черт. 1 по формуле
, (3)
где Hi — высота промерзающего слоя основания за вычетом слоев, лежащих выше i-го слоя, м;
mz1 — коэффициент, учитывающий снижение интенсивности пучения по глубине и определяемый по графику черт. 2 в зависимости от отношения Hi/Hf ;
Hf — высота промороженной толщи аэро-дромной одежды и основания до изотермы начала пучения, м;
kfi — коэффициент морозного пучения i-го слоя, принимаемый по табл. 3.