Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Загальна фізика / Теоретичні курси / Молекулярна фізика та термодинаміка

.pdf
Скачиваний:
28
Добавлен:
20.02.2016
Размер:
4.27 Mб
Скачать

Якщо умова (3.20) не виконується, то крапля рiдини 2 нi при яких значеннях θ не може

знаходитися в рiвновазi. Якщо σ13 > σ1223 то рiдина розтiкається по поверхнi твердого

тiла, покриваючи його тонкою плiвкою (наприклад, гас на поверхнi скла), має мiсце

повне змочування (в даному випадку θ=0). Якщо σ12 > σ13 + σ23 то рiдина стягується

в кульову краплю, в межi маючи з нею лише одну точку зiткнення (наприклад, крапля

води на поверхнi парафiну), має мiсце повне незмочування (в даному випадку

θ = π.

Змочування i незмочування є поняттями вiдносними, тобто рiдина, що змочує одну

тверду поверхню, не змочує iншу. Наприклад, вода змочує скло, але не змочує парафiн;

ртуть не змочує скло, але змочує чистi поверхнi металiв.

Явища змочування i незмочування мають велике значення в технiцi. Наприклад, в

методi флотацiйного збагачення руди (вiддiлення руди вiд пустої породи) її, дрiбно ро-

здроблену, збовтують в рiдинi, що змочує пусту породу i не змочує руду. Через цю сумiш

продувається повiтря, а потiм вона вiдстоюється. При цьому змоченi рiдиною частинки

породи опускаються на дно, а крупинки мiнералiв ”прилипають” до пухирцiв повiтря i

спливають на поверхню рiдини. При механiчнiй обробцi металiв їх змочують спецiаль-

ними рiдинами, що полегшує i прискорює обробку.

3.9. Тиск пiд викривленою поверхнею рiдини

Якщо поверхня рiдини не плоска, а викривлена, то вона чинить на рiдину надмiрний (до-

датковий) тиск. Цей тиск, який обумовлений силами поверхневого натягу, для опуклої

поверхнi позитивний, а для увiгнутої поверхнi негативний.

 

 

Для розрахунку надмiрного тиску припустимо, що вiль-

 

на поверхня рiдини має форму сфери радiусу R, вiд якої

 

умовно вiдсiчений кульовий сегмент, що спирається на коло

 

радiусу r = Rsinθ (Рис.3.13). На кожний нескiнченно малий

 

елемент довжини l цього контуру дiє сила поверхневого

 

натягу

F

= σl, дотична до поверхнi сфери. Розклавши

 

F на двi компоненти (

F1 i

F2), бачимо, що геометрич-

 

на сума сил F2 дорiвнює нулю, оскiльки цi сили на про-

Рис. 3.13.

тилежних сторонах контуру направленi в зворотнi сторони

i взаємно врiвноважуються. Тому рiвнодiюча сил поверх-

 

невого натягу, що дiють на вирiзаний сегмент, направлена перпендикулярно площинi

перетину всередину рiдини i дорiвнює алгебраїчнiй сумi складових

F1:

F = X F1 = X F sin α = X σ

r

σr

X l =

σr

lR = R

R 2πr

Роздiливши цю силу на площу основи сегмента πr2, обчислимо надмiрний тиск на рiдину,

який створюється силами поверхневого натягу i обумовлений кривизною поверхнi:

 

p =

F

2σπr2

=

 

(3.22)

 

S

=

R

 

 

 

Rπr2

 

 

 

Якщо поверхня рiдини ввiгнута, то можна довести, що результуюча сила поверхневого

натягу направлена з рiдини i дорiвнює

 

p = −2σ/R

(3.23)

Отже, тиск всерединi рiдини пiд ввiгнутою поверхнею менший нiж в газi, на величину

p.

 

Формули (3.22) i (3.23) є окремим випадком формули Лапласа,10 яка визначає

надмiрний тиск для довiльної поверхнi рiдини двоякої кривизни:

 

p = σ (1/R1 + 1/R2)

(3.24)

де R1 i R2 радiуси кривизни двох будь-яких взаємно перпендикулярних нормальних

перетинiв поверхнi рiдини в данiй точцi. Радiус кривизни позитивний, якщо центр кри-

визни вiдповiдного перетину знаходиться всерединi рiдини, i негативний, якщо центр

кривизни знаходиться зовнi рiдини. Для сферичної поверхнi (R1 = R2 = R) вираз (3.24)

переходить в (3.22), для цилiндричної (R1 = RiR2 = ∞) надмiрний тиск

 

p = σ (1/R + 1/∞) = σ/R

 

У разi плоскої поверхнi (R1 = R2 = ∞) сили поверхневого натягу надмiрного тиску не

створюють.

 

10П. Лаплас (1749 1827) французький учений.

 

3.10.

Капiлярнi явища

 

Якщо помiстити вузьку трубку (капiляр) одним кiнцем в рiдину, налиту в широку

посудину, то внаслiдок змочування або незмочування рiдиною стiнок капiляру кривиз-

на поверхнi рiдини в капiлярi стає значною. Якщо рiдина змочує матерiал трубки, то

всерединi її поверхня рiдини - менiск - має ввiгнуту форму, якщо не змочує - опуклу

(Рис.3.14).

Пiд ввiгнутою поверхнею рiдини з’явиться негативний

 

 

 

 

надмiрний тиск, який визначається по формулi (3.23). На-

 

 

явнiсть цього тиску приводить до того, що рiдина в капiлярi

 

 

пiдiймається, оскiльки пiд плоскою поверхнею рiдини в ши-

 

 

рокiй посудинi надмiрного тиску немає. Якщо ж рiдина не

 

 

змочує стiнки капiляра, то позитивний надмiрний тиск при-

 

 

веде до опускання рiдини в капiлярi. Явище змiни висоти

 

Рис. 3.14.

рiвня рiдини в капiлярах називається капiлярнiстю. Рiди-

 

на в капiлярi пiдiймається або опускається на таку висоту

 

 

h, при якiй тиск стовпа рiдини (гiдростатичний тиск) pgh врiвноважується надмiрним

тиском

p тобто

 

 

 

2σ/R = ρgh

де ρ густина рiдини, g прискорення вiльного падiння.

Якщо r радiус капiляра, θ крайовий кут, то з (Рис.3.14)

слiдує, що (2σ cos θ) /r = ρgh, звiдки

 

h = (2σ cos θ) /ρgh

(3.25)

Вiдповiдно до того, що змочуюча рiдина по капiляру пiдiймається, а незмочуюча

опускається, з формули (3.25) при θ < π/2 (cosθ>0) отримаємо позитивнi значення h, а

при θ > π/2 (cosθ < 0) негативнi. З виразу (3.25) видно також, що висота пiдняття

(опускання) рiдини в капiлярi обернено пропорцiйна його радiусу. В тонких капiлярах

рiдина пiдiймається достатньо високо. Так, при повному змочуваннi (θ=0) вода (ρ=1000

кг/м3, σ=0,073 Н/м) в капiлярi дiаметром 10 мкм пiдiймається на висоту h ≈3 м.

 

Капiлярнi явища грають велику роль в природi i технiцi. Наприклад, вологообмiн в

грунтi i в рослинах здiйснюється за рахунок пiдняття води по якнайтонших капiлярах.

На капiлярностi засновано дiю гнiту, вбирання вологи бетоном i т. i.

 

3.11. Твердi тiла. Моно- i полiкристали.

 

Твердi тiла (кристали) характеризуються наявнiстю значних сил мiжмолекулярної вза-

ємодiї i зберiгають постiйними не тiльки свiй об’єм, але i форму. Кристали мають пра-

вильну геометричну форму, яка, як показали рентгенографiчнi дослiдження нiмецького

фiзика-теоретика М. Лауе (1879 1960), є результатом впорядкованого розташування

частинок (атомiв, молекул, iонiв), що становлять кристал. Структура, для якої харак-

терне регулярне розташування частинок з перiодичною повторюванiстю в трьох вимiрю-

ваннях, називається кристалiчною граткою. Точки, в яких розташованi частинки, а

точнiше середнi рiвноважнi положення, бiля яких частинки здiйснюють коливання,

називаються вузлами кристалiчної гратки.

 

Кристалiчнi тiла можна роздiлити на двi групи: моно-

 

кристали i полiкристали. Монокристали - твердi тiла, ча-

 

стинки яких утворюють єдину кристалiчну гратку. Кри-

 

сталiчна структура монокристалiв виявляється по їх зов-

 

нiшнiй формi. Хоча зовнiшня форма монокристалiв одного

 

типу може бути рiзною, але кути мiж вiдповiдними граня-

 

ми в них залишаються постiйними. Це закон постiйно-

 

стi кутiв, сформульований М. В. Ломоносовим. Вiн зро-

 

бив важливий висновок, що правильна форма кристалiв

 

пов’язана iз закономiрним розмiщенням частинок, якi утво-

 

рюють кристал. Монокристалами є бiльшiсть мiнералiв. Про-

Рис. 3.15.

те крупнi природнi монокристали зустрiчаються досить рiд-

ко (наприклад, лiд, кухонна сiль, iсландський шпат). В даний час багато якi монокри-

стали вирощуються штучно.

 

Умови росту крупних монокристалiв (чистий розчин, повiльне охолоджування i т. i.)

часто не витримуються, тому бiльшiсть твердих тiл має дрiбнокристалiчну структуру,

тобто складається з безлiчi безладно орiєнтованих дрiбних кристалiчних зерен. Такi

твердi тiла називаються полiкристалами (багато якi гiрськi породи, метали i сплави).

Характерною особливiстю монокристалiв є їх анiзотропiя, тобто залежнiсть фiзич-

них властивостей - пружних, механiчних, теплових, електричних, магнiтних, оптичних

- вiд напряму. Анiзотропiя монокристалiв пояснюється тим, що в кристалiчнiй гратцi

неоднакова кiлькiсть частинок припадає на однаковi по довжинi, але рiзнi по напряму

вiдрiзки (Рис.3.15), тобто густина розташування частинок в кристалiчнiй гратцi по рiз-

них напрямах неоднакова, що i приводить до вiдмiнностi властивостей кристалу вздовж

цих напрямiв. В полiкристалах анiзотропiя спостерiгається тiльки для окремих дрiбних

кристалiв, але їх рiзна орiєнтацiя приводить до того, що властивостi полiкристалу по

всiх напрямах в середньому однаковi.

3.12. Типи кристалiчних твердих тiл

Iснує двi ознаки для класифiкацiї кристалiв: 1) кристалографiчний; 2) фiзичний (приро-

да частинок, розташованих у вузлах кристалiчної гратки, i характер сил взаємодiї мiж

ними).

1.Кристалографiчна ознака кристалiв. В даному випадку важлива тiльки про-

сторова перiодичнiсть в розташуваннi частинок, тому можна не зважати на їх внутрiшню

структуру, розглядаючи частинки як геометричнi точки.

Кристалiчна гратка може мати рiзнi види симетрiї. Симетрiя кристалiчної гратки

- її властивiсть сумiщатися з собою при деяких просторових перемiщеннях, наприклад

паралельних перенесеннях, поворотах, вiддзеркаленнях або їх комбiнацiях i т. i. Кри-

сталiчнiй гратцi, як довiв росiйський кристалограф Е. С. Федоров (1853 1919), властивi

230 комбiнацiї елементiв симетрiї, або 230 рiзних просторових груп.

З переносною симетрiєю в тривимiрному просторi зв’язують поняття тривимiрної пе-

рiодичної структури - просторової гратки, або гратки Браве, уявлення про яку

введено французьким кристалографом О. Браве (1811 1863). Всяка просторова гратка

може бути складена повторенням в трьох рiзних напрямах одного i того ж структурного

елементу елементарної комiрки. Всього iснує 14 типiв граток Браве, що розрiзня-

ються по виду переносної симетрiї. Вони розподiляються по семи кристалографiчних

системах, або сингонiях, представлених в порядку зростаючої симетрiї на рисунках

3.17 - 3.23. Для опису елементарної комiрки користуються кристалографiчними осями

координат, якi проводять паралельно ребрам елементарнi комiрки, а початок коорди-

нат вибирають в лiвому кутку передньої гранi елементарної комiрки. Елементарна кри-

сталiчна комiрка є паралелепiпедом, побудованим на ребрах a, b i c з кутами α, β, γ

мiж ребрами (3.17 - 3.23). Величини a, b, c i α,

β, γ називаються параметрами

елементарної комiрки i однозначно її визначають.

 

2. Фiзична ознака кристалiв. Залежно вiд роду ча-

 

стинок, розташованих у вузлах кристалiчної гратки, i ха-

 

рактеру сил взаємодiї мiж ними кристали подiляються на

 

чотири типи: iоннi, атомнi, металевi, молекулярнi.

 

Iоннi кристали. У вузлах кристалiчної гратки розташо-

 

вуються по черзi iони протилежного знаку. Типовими iон-

Рис. 3.16.

ними кристалами є бiльшiсть галоїдних з’єднань лужних

металiв (NаСI, СsСI, КВг i т. д.), а також оксидiв рiзних

 

елементiв (МgО, СаО i т. i.). Структури граток двох найбiльш характерних iонних кри-

сталiв NaCl (гратка являє собою двi однаковi гранецентрованi кубiчнi гратки, вкла-

денi одна в одну; у вузлах однiєї з цих граток знаходяться iони Nа+, у вузлах iншої

iони Cl) i СsС1 (кубiчна об’ємно центрована гратка в центрi кожної елементарної

гратки знаходиться iон) показанi на Рис.3.16. Сили взаємодiї мiж iонами є в основно-

му електростатичними (кулонiвськими). Зв’язок, обумовлений кулонiвськими силами

притягання мiж рiзнойменно зарядженими iонами, називається iонним (або гетеропо-

лярним). В iоннiй гратцi не можна видiлити окремi молекули: кристал є як би однiєю

гiгантською молекулою.

 

 

Рис. 3.17. Триклiнна КГС a 6=

Рис. 3.18. Моноклiнна КГС a 6=

b 6= c, α 6= β 6= γ

b = c, α = β = 900

= γ

Fig10-103b

6

6

 

 

Атомнi кристали. У вузлах кристалiчної гратки розташовуються нейтральнi атоми,

що утримуються у вузлах гратки гомеополярними, або ковалентними, зв’язками

Рис. 3.19. Ромбiчна КГС a 6= b 6=

Рис. 3.20. Тетрагональна КГС

Рис. 3.21. Ромбоедрична

КГС

c, α = β = γ = 900

a = b 6= c, α = β = γ = 900

a = b = c, α = β = γ 6= 900

 

квантовомеханiчного походження (в сусiднiх атомах узагальненi валентнi електрони, якi

якнайменше пов’язанi з атомом).

 

 

Атомними кристалами є алмаз i графiт (два рiзнi стани вуглецю), деякi неорганiчнi

з’єднання (ZnS, ВеО i т. д.), а також типовi напiвпровiдники германiй Ge i кремнiй

Si.

 

 

 

Структура гратки алмазу приведена на (Рис.3.24), де кожний атом вуглецю оточений

чотирма такими ж атомами, якi розташовуються на однакових вiдстанях вiд нього у

вершинах тетраедрiв.

 

 

 

Валентнi зв’язки здiйснюються парами електронiв, що рухаються по орбiтах, що охо-

плюють обидва атоми, i носять направлений характер: ковалентнi сили направленi вiд