- •1 Введение
- •2. Материальные среды
- •2.1. Особенности газовой среды
- •2.2. Средняя длина свободного пробега частиц в газе
- •2.3. Вакуум
- •2.4. Твердое тело
- •3. Энергия электронов в кристалле
- •4. Заполнение энергетических зон электронами. Электрические свойства твердых тел
- •5. Плотность энергетических уровней
- •6 Поверхностный потенциальный барьер
- •7 Электропроводность металлов и полупроводников
- •8 Контактная разность потенциалов
- •9 Термоэлектронная эмиссия
- •9.1 Определение констант термоэлектронной эмиссии
- •9.2 Распределение термоэлектронов по скоростям
- •9.3 Термоэлектронная эмиссия при наличии ускоряющего электрического поля на поверхности металла
- •9.4 Типы катодов
- •9.5 Параметры катодов
- •9.6 Практические требования к термоэлектронным катодам
- •10 Фотоэлектронная эмиссия металлов
- •10.1 Теория фотоэлектронной эмиссии металлов
- •10.3 Фотоэлектронная эмиссия примесных полупроводников
- •10.4 Типы фотокатодов
- •10.5 Параметры и характеристики фотокатодов
- •11 Электростатическая эмиссия
- •12 Взрывная эмиссия
- •13 Вторичная электронная эмиссия
- •13.1 Вторичная электронная эмиссия металлов
- •13.2 Механизм вторичной электронной эмиссии
- •13.3 Вторичная электронная эмиссия полупроводников и диэлектриков
- •13.4 Аномальная вторичная электронная эмиссия
- •14 Элементарные процессы в плазме
- •14.1 Передача энергии при парном взаимодействии
- •14.2 Эффективные сечения взаимодействия
- •14.3 Кулоновские столкновения. Формула Резерфорда
- •14.4 Неупругие столкновения в плазме
- •Таблица 1.2
- •14.5 Неупругие процессы второго рода
- •Таблица 1.5
- •14.6 Движение заряженных частиц в газе и плазме
- •15 Основные свойства плазмы
- •15.1 Количественное определение плазмы
- •15.2 Квазинейтральность плазмы
- •15.3 Упругие столкновения в плазме. Кулоновский логарифм
- •15.4 Классификация плазмы
- •15.5 Электропроводность плазмы
- •15.6 Диэлектрическая проницаемость плазмы
- •15.7 Колебания и волны в плазме
- •15.8 Плазма в магнитном поле
- •15.9 Слои пространственного заряда в плазме
- •15.10 Эмиссия заряженных частиц из плазмы
- •16 Методы измерения параметров плазмы
- •16.1 Зондовый метод диагностики плазмы
- •16.2 Спектральная диагностика плазмы
- •16.3 СВЧ-диагностика плазмы
- •Рекомендуемая литература
2.2. Средняя длина свободного пробега частиц в газе
Столкновения молекул друг с другом, происходящие при их хаотическом движении, сопровождаются непрерывным изменением величины и направления скорости молекул. Траектория каждой молекулы – это ломаная линия, длина прямолинейных отрезков которой из-за случайности столкновений различна. Рассчитывается средняя длина этих отрезков – средняя длина свободного пробега молекул :
vz ,
где z – число столкновений молекулы с другими молекулами в течение 1 с.
За 1 секунду молекула проходит путь v и сталкивается с теми молекулами, центры которых расположены от центра движущейся молекулы на расстоя-
нии, равном ее диаметру : |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
k |
|
|
T . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
2 |
|||||
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
p |
||||
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
2 |
|
|
|
Видно, что средняя длина свободного пробега молекул обратно пропорциональна их концентрации и давлению.
Состояние газовой среды характеризуется величиной Q (полное эффективное сечение для столкновений молекул). Она показывает, сколько столкновений претерпевает молекула на единице пути:
Q 1λ .
Важным в кинетической теории газов является уравнение, позволяющее определить, какое число молекул N x из общего числа молекул N , совершая движение в газе, пройдет без столкновений путь x :
N x N e x N e Qx.
Движение электрона в газообразной среде также характеризуется средней длиной свободного пробега е и эффективным сечением Qе . Электрон по
12
сравнению с молекулой можно считать частицей бесконечно малых размеров, при этом электрон движется значительно быстрее молекул. Из кинетической теории газов следует, что
Qе |
Q |
|
; |
|
|
|
|
|||
|
|
|
e 4 |
2 . |
||||||
|
|
|||||||||
|
|
|
||||||||
4 |
2 |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Однако эти соотношения дают приближенную оценку величины Qе и е
.
2.3. Вакуум
Вакуум – состояние газа, имеющего плотность, меньшую его плотности при нормальных физических условиях. Характеристикой вакуума является отношение (средней длины свободного пробега) к расстоянию между электродами d , где движутся молекулы и ускоряются или тормозятся заряженные частицы.
Различают низкий, средний и высокий вакуум. Низкий вакуум – разряженность газа, при которой d , средний вакуум – d , высокий вакуум
– d .
Примерная разбивка по давлениям: 110 1 [Па] – низкий вакуум; 1 10 2 [Па] – средний вакуум; 10 2 10 5 [Па] – высокий вакуум;
10 5 10 7 [Па] – сверхвысокий вакуум.
Вакуум обеспечивается методом откачки объема при помощи насосов. Существует большое количество типов насосов, обеспечивающих вакуум той или иной степени. Степень вакуума измеряется при помощи приборов – манометров, которые тоже образуют отдельный большой класс.
13
2.4. Твердое тело
Твердыми называются тела, которые имеют постоянную форму и объем. Поскольку в электронике применяются только кристаллы и жидкие кри-
сталлы, остановимся только на них.
Кристаллизация. В этом случае в жидкости, охлажденной до определенной температуры, появляются области с упорядоченным расположением прочно связанных между собой частиц (кристаллы), которые при дальнейшем охлаждении вещества разрастаются путем присоединения к ним частиц из жидкой фазы и охватывают в конце весь объем вещества.
При кристаллизации возникновение специфических свойств вещества как твердого тела обусловлено увеличением сил связи между молекулами или атомами не в результате уменьшения расстояния между ними, а вследствие упорядоченного их расположения.
Упорядоченное расположение молекул и атомов в твердом теле приводит к образованию некоторой правильной структуры, которая имеет название «кристаллическая решетка» и представляет собой «объемную сетку», в узлах которой располагаются частицы (атомы, ионы или молекулы). В основе любой кристаллической решетки лежит элементарная кристаллическая ячейка с
характерным для данной решетки расположением атомов.
Доказательством наличия у твердого тела кристаллической решетки являются результаты рентгенографии и электронографии. Только эти методы могут позволить обнаружить кристаллическую решетку. Это обстоятельство объясняется тем, что длина волны (де Бройля в случае e ) сравнима с периодом кристаллической решетки 5 20 Å и дифрагирует на решетке. Период кри-
сталлической решетки является вторым ее параметром.
Характерной особенностью кристалла является анизотропия его свойств, т.е. зависимость его свойств от свойств макроскопического тела, от направления, связанного с некоторой системой координат.
14