- •1 Введение
- •2. Материальные среды
- •2.1. Особенности газовой среды
- •2.2. Средняя длина свободного пробега частиц в газе
- •2.3. Вакуум
- •2.4. Твердое тело
- •3. Энергия электронов в кристалле
- •4. Заполнение энергетических зон электронами. Электрические свойства твердых тел
- •5. Плотность энергетических уровней
- •6 Поверхностный потенциальный барьер
- •7 Электропроводность металлов и полупроводников
- •8 Контактная разность потенциалов
- •9 Термоэлектронная эмиссия
- •9.1 Определение констант термоэлектронной эмиссии
- •9.2 Распределение термоэлектронов по скоростям
- •9.3 Термоэлектронная эмиссия при наличии ускоряющего электрического поля на поверхности металла
- •9.4 Типы катодов
- •9.5 Параметры катодов
- •9.6 Практические требования к термоэлектронным катодам
- •10 Фотоэлектронная эмиссия металлов
- •10.1 Теория фотоэлектронной эмиссии металлов
- •10.3 Фотоэлектронная эмиссия примесных полупроводников
- •10.4 Типы фотокатодов
- •10.5 Параметры и характеристики фотокатодов
- •11 Электростатическая эмиссия
- •12 Взрывная эмиссия
- •13 Вторичная электронная эмиссия
- •13.1 Вторичная электронная эмиссия металлов
- •13.2 Механизм вторичной электронной эмиссии
- •13.3 Вторичная электронная эмиссия полупроводников и диэлектриков
- •13.4 Аномальная вторичная электронная эмиссия
- •14 Элементарные процессы в плазме
- •14.1 Передача энергии при парном взаимодействии
- •14.2 Эффективные сечения взаимодействия
- •14.3 Кулоновские столкновения. Формула Резерфорда
- •14.4 Неупругие столкновения в плазме
- •Таблица 1.2
- •14.5 Неупругие процессы второго рода
- •Таблица 1.5
- •14.6 Движение заряженных частиц в газе и плазме
- •15 Основные свойства плазмы
- •15.1 Количественное определение плазмы
- •15.2 Квазинейтральность плазмы
- •15.3 Упругие столкновения в плазме. Кулоновский логарифм
- •15.4 Классификация плазмы
- •15.5 Электропроводность плазмы
- •15.6 Диэлектрическая проницаемость плазмы
- •15.7 Колебания и волны в плазме
- •15.8 Плазма в магнитном поле
- •15.9 Слои пространственного заряда в плазме
- •15.10 Эмиссия заряженных частиц из плазмы
- •16 Методы измерения параметров плазмы
- •16.1 Зондовый метод диагностики плазмы
- •16.2 Спектральная диагностика плазмы
- •16.3 СВЧ-диагностика плазмы
- •Рекомендуемая литература
9 ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ
При достаточно высокой температуре металлы испускают электроны, число которых возрастает с температурой. Это явление получило название термоэлектронной эмиссии.
Возьмем на поверхности эмиттера-металла, нагретого до температуры Т 0К, участок единичной площади и будем считать поверхность металла однородной и гладкой. Если число электронов, выходящих изнутри эмиттера через выбранный участок поверхности за единицу времени, равно Ne, то плотность эмиссионного тока:
je q Ne . |
(1) |
Если Wa – высота потенциального барьера металла и ось X направлена перпендикулярно его поверхности, то те электроны, для которых
m 2 |
Wa , |
(2) |
|
2 |
|||
|
|
преодолеют барьер и окажутся эмитированными. Число электронов, покидающих эмиттер за единицу времени с поверхности единичной величины,
|
Ne 4 mk2 T 2e |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, |
|
|
|
|
||
|
KT |
|
|
|
|
|||
|
h3 |
|
|
|
|
|
||
следовательно, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
qNe q 4 mk2 |
T 2e |
|
|
|||
|
je |
|
, |
(3) |
||||
|
KT |
|||||||
|
|
|
|
h3 |
|
|
|
|
где = W0 – эффективная работа выхода. |
|
|
|
|
|
|||
A0 4 mk 2 |
120 А/см2 |
град2 – универсальная постоянная. |
|
|||||
h3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Уравнение (3) называется формулой Ричардсона–Дешмана. Уравнение (3) не учитывает факта отражения электронов, энергии которых удовлетворяют условию (2), от потенциального барьера. Как правило, количество отраженных
33
электронов составляет (3 6)% и, следовательно, коэффициент прозрачности потенциального барьера
D 0,94 0,96.
Учитывая отражения электронов, уравнение термоэлектронной эмиссии следует записать в виде
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
j |
|
KT . |
(4) |
|||
e |
A D Te |
|
||||
|
0 |
|
|
|
|
При изменении температуры, вследствие изменения концентрации электронов при тепловом расширении металла должно меняться Wf, а также Wa. Следовательно, должна изменяться и W0. Предположим, что работа выхода линейно зависит от температуры:
|
|
WOT W0 T , |
(5) |
||
где W0 – эффективная работа выхода при Т = 00 К. |
|
||||
Формула Ричардсона–Дешмана примет следующий вид |
|
||||
j |
|
|
|
W0 |
|
e |
DA e |
K T 2e |
KT . |
|
|
|
0 |
|
|
|
Коэффициент α очень малая величина. Измерения α для вольфрама, молибдена и тантала дают значения порядка (6−7) 10–5 эВ/град. При этом е–α/k = 0,45
– 0,5 и значение константы А = =А0De–α/k оказывается близким к найденным экспериментально значениям константы А (константа термоэлектронной эмиссии), тогда
q 0
je AT 2e KT .
Выражение q 0 в – константа термоэлектронной эмиссии.
K
С учетом принятых обозначений формула Ричардсона–Дешмана принимает следующий вид:
34
je AT 2e |
в |
. |
(6) |
T |
В таблице 9.1 приведены значения констант термоэлектронной эмиссии для некоторых материалов.
Таблица 9.1
Материал катода |
A |
|
A |
|
в0 |
q 0 |
; град |
|
|
|
|||||||
см2град2 |
||||||||
1 |
|
|
K |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
||
W |
|
|
60 |
|
|
52400 |
||
Mo |
|
|
55 |
|
|
48100 |
||
Ta |
|
|
60 |
|
|
47500 |
||
Ba |
|
|
60 |
|
|
24500 |
||
Cs |
|
|
162 |
|
|
2100 |
9.1 Определение констант термоэлектронной эмиссии
Наиболее распространен метод прямой Ричардсона. Определение констант A и 0 по этому методу основано на измерении плотности тока эмиссии катода при нескольких его температурах и последующей обработке данных
эксперимента, которая сводится к следующему: |
|
|
|
|
|||||
Разделим |
обе |
части |
уравнения |
термоэлектронной |
эмиссии |
||||
e 0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
( je AT 2 e KT ) |
на Т2 и прологарифмируем. Получим: |
|
|||||||
|
|
|
ln |
je |
ln A ln |
e 0 |
. |
(1) |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
T 2 |
|
KT |
|
35
|
j |
1 |
|
|
Оно показывает, что построение ln |
e |
от |
|
должно дать прямую |
T 2 |
|
|||
|
T |
|
(рис. 9.1), отсекающую на оси ординат отрезок OK = lnA, и наклонную к оси аб-
сцисс под углом , удовлетворяющим соотношению tg WK0 Ke 0 , откуда
0 Ke tg 11600tg .
Эту прямую, позволяющую определить эмиссионные константы исследуемого материала, называют прямой Ричардсона.
1
T
Рис. 9.1
9.2 Распределение термоэлектронов по скоростям
Электроны в металле, способные к эмиссии, принадлежат к числу наиболее быстрых, так как для них
36
m 2 |
Wx Wa . |
(1) |
x |
||
2 |
|
|
Для быстрых электронов распределение скоростей в квантовой статистике совпадает с максвелловским распределением, и остается решить, сохраняется ли оно после того как электроны будут эмитированы.
Как показали теоретические исследования, распределение электронов остается максвелловским и после эмиссии только для металлов. Т.к. для них
Д≈1 и не зависит от x (составляющей скорости перпендикулярной поверхности). Но если форма потенциального барьера отлична от формы барьера металлов, D может зависеть от x и максвелловское распределение может оказаться нарушенным.
Распределения скоростей неоднократно исследовались экспериментально методом тормозящего поля (рис. 9.2).
Рис. 9.2
Сущность метода тормозящего поля можно понять из упрощенной схемы ( рис. 9.2) . Плоская система электродов состоит из анода А и катода К – ленты, накаливаемой током и отделенной узкими зазорами от охранной пластины О. Поле в приборе однородно, и, следовательно, при движении электронов к аноду
изменяется нормальная к поверхности катода составляющая скорости – x .
37
Если между анодом и катодом существует поле, тормозящее электроны (минус на аноде), то условие попадания на анод электронов со скоростью x можно записать в виде
12 m x2 q Ua ,
причем тормозящее напряжение Ua считается отрицательным. Для анодного тока получим уравнение Больцмана
q Ua |
|
|
|
q Ua |
, |
(1) |
Ia Ie e k T [Sk q Ne ] e k T |
||||||
где Sk – площадь катода и Ie – эмиссионный ток, равный Ia при Ua=0. |
|
|||||
Из (1) следует |
|
|
|
|
|
|
ln Ia ln Ie |
|
q |
|
Ua |
|
(2) |
|
k T |
|
||||
|
|
|
|
|
||
и, если Ua выразить в вольтах: |
|
|
|
|
|
|
ln Ia ln Ie |
11600 Ua . |
|
(3) |
|||
|
|
|
T |
|
|
Зависимость (2) изображается наклонной прямой (рис. 9.3).
Рис. 9.3
38