- •1 ОБЩИЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ
- •1.1 Введение
- •1.2 Характеристики и параметры материалов
- •1.3 Типы химических связей
- •1.3.1 Межатомные связи
- •1.3.2 Межмолекулярные связи
- •1.4 Кристаллическое состояние вещества
- •1.5 Дефекты кристаллической структуры
- •1.6 Аморфное состояние вещества
- •1.7 Нанокристаллическое состояние вещества
- •2 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
- •2.1 Зонная энергетическая структура металлов
- •2.2 Основные электрические параметры металлов
- •2.3 Удельное сопротивление чистых металлов
- •2.4 Электрические свойства металлических сплавов
- •2.5 Влияние частоты напряжения на сопротивление проводников. Поверхностный эффект и эффект близости
- •2.6 Сопротивление тонких металлических пленок. Размерные эффекты. Поверхностное удельное сопротивление.
- •2.7 Свойства проводниковых материалов и их классификация по функциональному назначению
- •2.7.1 Проводники электрического тока
- •2.7.2 Контактные материалы
- •2.7.3 Сплавы на основе железа для электронагревателей
- •2.7.4 Материалы для термопар
- •2.7.5 Сверхпроводники
- •2.7.6 Криопроводники
- •2.7.7 Припои и флюсы
- •2.7.8 Резисторы. Материалы для резисторов
- •2.7.9 Специальные резисторы и материалы для них
- •3 ДИЭЛЕКТРИКИ (ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ВОПРОСЫ)
- •3.1 Функции, выполняемые диэлектриками в РЭА
- •3.2 Свободные и связанные заряды. Поляризация
- •3.3 Электрический момент диполя
- •3.4 Собственный и индуцированный электрический момент. Полярные и неполярные диэлектрики
- •3.5 Поляризованность
- •3.6 Диэлектрическая восприимчивость
- •3.8 Емкость конденсатора
- •3.9 Виды поляризации
- •3.9.1 Классификация видов поляризации и их особенности
- •3.9.2 Упругие виды поляризации
- •3.9.3 Неупругие виды поляризации
- •3.10 Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов
- •3.11 Диэлектрические потери
- •3.11.1 Виды диэлектрических потерь
- •3.11.2 Потери, обусловленные током проводимости
- •3.11.3 Потери, обусловленные поляризацией
- •3.11.4 Тангенс угла диэлектрических потерь
- •3.11.5 Схемы замещения конденсатора с потерями
- •3.12 Пробой диэлектриков
- •3.12.1 Основные понятия
- •3.12.2 Пробой газов
- •3.12.3 Пробой жидких диэлектриков
- •3.12.4 Пробой твердых диэлектриков
- •4 ПАССИВНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ
- •4.1. Классификация пассивных диэлектриков
- •4.2 Основные сведения о строении и свойствах полимеров
- •4.3 Линейные полимеры
- •4.4 Композиционные порошковые пластмассы и слоистые пластики
- •4.5 Электроизоляционные компаунды
- •4.6 Неорганические стекла
- •4.7 Ситаллы
- •4.8 Керамика
- •4.9 Слюда и материалы на ее основе
- •4.10 Неорганические электроизоляционные пленки
- •4.11 Конденсаторы. Материалы. Конструкция.
- •5 АКТИВНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ
- •5.1 Сегнетоэлектрики
- •5.1.1 Спонтанная поляризация
- •5.1.2 Характеристики и параметры сегнетоэлектриков
- •5.1.3 Температурные свойства сегнетоэлектриков
- •5.1.4 Сегнетоэлектрические материалы. Антисегнетоэлектрики
- •5.1.5 Применение сегнетоэлектриков
- •5.2 Пьезоэлектрики
- •5.2.1 Общие свойства
- •5.2.2 Практическое применение пьезоэлектриков
- •5.2.3 Пьезоэлектрические материалы
- •5.3 Электреты
- •5.3.1 Основные понятия об электретах
- •5.3.2 Электретные материалы
- •5.4 Жидкие кристаллы
- •6 МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ (ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ВОПРОСЫ)
- •6.1 Величины магнитного поля
- •6.2 Нелинейные магнитные среды
- •6.3 Характеристики и параметры магнитных материалов
- •6.4 Магнитные потери энергии
- •6.5 Особенности намагничивания разомкнутых тел
- •6.6 Характеристики и параметры постоянных магнитов
- •7 МАГНИТОМЯГКИЕ ФЕРРОМАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
- •7.1 Классификация магнитных материалов
- •7.2 Магнитомягкие материалы на основе железа
- •7.3 Пермаллои
- •7.4 Другие магнитомягкие сплавы
- •7.5 Магнитодиэлектрики
- •7.6 Ферримагнетики (магнитоактивные ферриты)
- •7.6.1 Строение ферримагнетиков
- •7.6.2 Свойства, параметры и характеристики магнитомягких феррошпинелей
- •7.6.3 Применение ферритов
- •7.6.4 Маркировка магнитомягких НЧ- и ВЧ-ферритов
- •8 МАГНИТОТВЕРДЫЕ МАТЕРИАЛЫ
- •8.1 Классификация магнитотвердых материалов
- •8.7 Прочие материалы для постоянных магнитов
- •9 МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ
- •9.1 Термомагнитные материалы
- •9.2 Магнитострикционные материалы
- •9.3 Магнитные материалы с прямоугольной петлей гистерезиса
- •9.4 Материалы со сложной формой петли гистерезиса
- •9.5 Магнитные материалы для устройств записи информации
- •9.6 Материалы для устройств на цилиндрических магнитных доменах
- •9.7 Материалы для магнитооптических устройств
- •9.8 Материалы для термомагнитной записи
- •РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
19
Рисунок 1.10 - Схема кристалла (зерна) металла с его границами (ширина границ 5-10 межатомных расстояний): а - общий вид; б – блочная (мозаичная) структура внутри зерна.
1.6 Аморфное состояние вещества
Упорядоченное расположение частиц в кристалле, определяемое элементарной ячейкой, сохраняется на больших участках твердых тел(в случае хорошо образованных кристаллов - во всем их объеме). Однако среди твердых тел встречаются такие, у которых упорядоченность в расположении частиц наблюдается только на очень малых участках и носит лишьпри близительный характер. Такие тела называются аморфными. Иными словами,
структура кристаллов характеризуется дальним порядком в расположении атомов, а структура аморфных тел — ближним порядком.
Различие между кристаллическими и аморфными телами особенно отчетливо проявляется в их отношении к нагреванию. Кристаллы плавятся при строго определенной температуре, и при той же температуре происходит обратный переход из жидкого состояния в твердое. Аморфные же тела не имеют определенной температуры плавления. При нагревании аморфное тело постепенно размягчается, начинает растекаться и, наконец, становится совсем жидким. При охлаждении оно постепенно затвердевает.
Аморфное состояние характерно, например, для силикатных стекол. Некоторые вещества могут находиться как в кристаллическом, так и в аморфном состоянии. Например, диоксид кремния SiO2 встречается в природе
в виде хорошо образованных кристаллов кварца, также в аморфном состоянии. Кристаллическое состояние всегда энергетически более устойчиво. Поэтому самопроизвольный переход вещества из кристаллического состояния в аморфное невозможен, а обратное превращение- самопроизвольный переход из аморфного состояния в кристаллическое- возможен, и иногда наблюдается.
1.7 Нанокристаллическое состояние вещества
Очевидно, что внутренние свойства кристалла размером2´2´2 см не отличаются от внутренних свойств того же кристалла размером1´1´1 см. Иными словами, если кристалл достаточно большой, то, как бы его не
дробили, |
его |
оптические механические |
и прочие |
свойства остаются |
|
неизменными. Пределом дробления кристалла является размеры отдельного |
|||||
атома |
или |
молекулы, свойства |
которых, |
очевидно, уже |
радикально |
отличаются от свойств кристалла. |
|
|
|
20
Значительный |
интерес |
представляют |
|
фрагменты |
|
кристаллической |
|
||||||
структуры (изолированные, или внедренные в матрицу другого вещества), |
|
||||||||||||
которые имеют размеры порядка единиц– сотен нанометров (постоянных |
|
||||||||||||
решетки). Они получили условное названиенаноструктуры. Их свойства |
|
||||||||||||
могут существенно отличаться от свойств макрокристаллов. Можно считать, |
|
||||||||||||
что физические свойства относительно больших наноструктур определяются |
|
||||||||||||
сильным влиянием условий на границах. К относительно малым структурам |
|
||||||||||||
вообще |
трудно |
применить |
основные |
классические |
положения |
физики |
|
||||||
твердого |
тела, их |
часто |
рассматривают |
с |
позиции атомно-молекулярной |
|
|||||||
теории. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ставшими |
уже |
классическими, примерами |
наночастиц |
являются |
|
||||||||
углеродные структуры: нульмерные (фуллерены) и одномерные (нанотрубки). |
|
||||||||||||
Фуллерены — углеродные |
кластеры |
с |
чётным, более 20, количеством |
|
|||||||||
атомов углерода, образующих три связи друг с другом. Атомы в молекулах |
|
||||||||||||
фуллеренов расположены на поверхности сферы или сфероида в вершинах |
|
||||||||||||
гексагонов и пентагонов. Примеры фуллеренов приведены на рисунке 1.11(а). |
|
||||||||||||
Фуллерены с количеством атомов более 70 (например, C76, C78, C84) называют |
|
||||||||||||
высшими |
фуллеренами. Молекула |
C60 |
обладает |
наиболее |
высокой |
среди |
|
||||||
фуллеренов симметрией и наибольшей стабильностью. |
|
|
|
|
|||||||||
Нанотрубки |
представляют |
собой |
протяженные |
цилиндрические |
|
||||||||
структуры диаметром от одного до нескольких десятков нанометров и длиной |
|
||||||||||||
до нескольких микрон. Они состоят из одного или нескольких свернутых в |
|
||||||||||||
трубку гексагональных графитовых слоев и заканчиваются полусферической |
|
||||||||||||
головкой, которая может рассматриваться как половина молекулы фуллерена |
|
||||||||||||
(рисунок 1.11 (б)). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Синтезированы химические соединения фуллеренов со щелочными |
|
||||||||||||
металлами |
(фуллериды), |
|
обладающие |
|
высокотемпературной |
|
|||||||
сверхпроводимостью и |
фоточувствительными |
свойствами. В |
настоящее |
|
|||||||||
время исследуют свойства полевых транзисторов на основе нанотрубок. |
|
||||||||||||
Хорошая электропроводность и высокое аспектное отношение(отношение |
|
||||||||||||
длины |
к |
радиусу) делают |
|
нанотрубки |
уникальным |
источником |
|
||||||
автоэлектронной |
эмиссии, который |
|
может |
быть |
|
использован |
в |
||||||
высокоэффективных «холодных» эмиттерах. |
|
|
|
|
|
|
|
21
а) |
б) |
Рисунок 1.11 Примеры |
углеродных наноструктур: некоторые фуллерены (а) |
иуглеродная нанотрубка (б).
Внастоящее время значительный интерес вызывают наноразмерные структуры, сформированные из различных полупроводниковых материалов, в частности нитевидные нанокристаллы из кремния, арсенида галлия и др.
Примером встроенных наноструктур являются полупроводниковые гетероструктуры, представляющие так называемые квантовые точки и ямы.
Сейчас трудно прогнозировать все возможные применения, которые найдут наноструктуры. Даже если отвлечься от разнообразных применений в медицине, энергетике, вычислительной техники и других отраслях науки и техники, эти структуры, несомненно, окажут значительное влияние на ассортимент новых электро- и радиоматериалов.