где SБ – крутизна характеристики тока базы, β0 – коэффициент передачи тока базы на низких частотах, rНАС – сопротивление насыщения (справочный параметр транзистора).
Аппроксимация статических характеристик полевых транзисторов iС = S (eЗ – ЕЗ′ ),
iС = SГР eС, |
если eС < eС ГР |
iС = S(EЗ – ЕЗ′ ), |
если eС > eС ГР |
Контрольные вопросы.
1.Что характеризует такой параметр лампы, как «проницаемость» управляющей сетки?
2.Как определить напряжение отсечки анодного тока для генераторного триода?
3.Чему равно (ориентировочно) напряжение отсечки коллекторного тока для кремниевого биполярного транзистора?
4.Напишите выражение, связывающее ток стока и напряжение на затворе полевого транзистора.
5.Определите напряжение отсечки тока стока для транзисторов КП-903, КП-904 и КП-909.
6.Каково напряжение отсечки сеточного тока в электронных лампах?
Упражнения
1. Изобразите проходную (сквозную) характеристику биполярного транзистора – iК(eБ).
2.Определите проницаемость D лампы ГУ-5Б (рис.3.1).
3.Нарисуйте выходную характеристику этого электронного прибора:
4.Изобразите входную характеристику этого электронного прибора:
5.Изобразите проходную (сквозную) характеристику этого электронного прибора:
6.Изобразите вольтамперную характеристику этого электронного прибора:
17