- •В. Е. Поляков
- •Предисловие
- •Введение
- •Глава 1. Основы взаимодействия различных видов излучений с веществом
- •1.1. Ядерное взаимодействие
- •1.1.1. Взаимодействие нейтронов с веществом
- •1.1.2. Взаимодействие заряженных частиц
- •1.1.3. Ядерные реакции при взаимодействии гамма-излучения
- •Пороги фотоядерных реакций для изотопов некоторых химических
- •Максимальные значения сечений фотоядерной реакции для ряда
- •1.2. Электромагнитное взаимодействие
- •1.2.1. Взаимодействие гамма-излучения
- •Энергия k-краев поглощения для ряда химических элементов
- •Взаимодействие рентгеновского излучения
- •Взаимодействие излучения ультрафиолетового, инфракрасного и видимого спектральных диапазонов
- •Взаимодействие излучения видимого спектрального диапазона с веществом
- •Взаимодействие инфракрасного излучения с веществом
- •Взаимодействие излучения радиочастотного диапазона
- •Глава 2. Метод масс-спектроскопии в задачах контроля металлов, сплавов и лома
- •2.1. Физическая сущность метода масс-спектроскопии с лазерной ионизацией вещества
- •Масс-спектрографе с двойной фокусировкой, и фотометрическая кривая этой спектрограммы (б) и области массового числа
- •2.2. Принципы взаимодействия импульсного лазерного излучения с веществом мишени
- •2.3. Типы лазеров и их параметры
- •2.4. Метод масс-спектроскопии с лазерной ионизацией вещества
- •2.5. Масс-спектрометры – средства контроля металлов, сплавов и лома
- •2.6. Типы масс-анализаторов, используемые в масс-спектрометре
- •2.7. Основы методики идентификации элементного состава вещества с использованием лазерного ионизатора и время-пролетного динамического масс-анализатора
- •2.8. Эмиссионные спектроскопы для экспертного спектрального анализа черных и цветных металлов
- •2.8.1. Многоканальный эмиссионный спектрометр дсф-71 (ls-1000)
- •Составные части прибора имеют следующие особенности:
- •Технические характеристики
- •2.8.2. Многоканальный эмиссионный спектрометр серии мфс
- •Технические характеристики:
- •Источник возбуждения спектра – универсальный генератор угэ-4:
- •Унифицированная система управления и регистрации:
- •Источники питания:
- •Вопросы для самопроверки знаний по главе 2
- •Глава 3. Физические основы γ-флуоресцентного контроля металлов, сплавов, лома
- •3.1. Рентгеновские лучи
- •3.2. Рентгеновские спектры
- •Рентгеновская спектроскопия
- •Рентгеновская аппаратура. Рентгеновская камера и рентгеновская трубка
- •Рентгеновский гониометр
- •3.6. Рентгеновский дифрактометр
- •3.7. Рентгенофлуоресцентный кристаллдифракционный сканирующий вакуумный «Спектроскан-V»
- •3.8. Спектрометр рентгенофлуоресцентный кристалл-дифракционный сканирующий портативный «Спектроскан»
- •3.9. Спектрометр рентгенофлуоресцентный кристалл-дифракционный сканирующий портативный «Спектроскан-lf»
- •3.10. Основы методики идентификации элементного состава неизвестного вещества и определение концентрации ингредиентов с использованием метода гамма-флуоресцентного анализа
- •3.11. Методика безэталонного рентгеноспектрального анализа сталей
- •3.11.1. Методика анализа углеродистых сталей
- •3.11.2. Методика определения содержании металлов в питьевых, природных и сточных водах при анализе на сорбционных целлюлозных дэтата-фильтрах
- •3.11.3. Методика определения содержания металлов в порошковых пробах почв
- •Вопросы для самопроверки знаний по главе 3
- •Глава 4. Приборы и методы таможенного контроля состава металлов, сплавов, лома с использованием методов вихревых токов
- •4.1. Основы теории вихревых токов
- •4. 2. Распределение вихревых токов
- •4.3. Характеристики вещества и поля
- •4.4. Физические принципы метода вихревых токов (вт)
- •4.5. Области применения и классификация методов вихревых токов
- •Датчики и характерные физические процессы
- •4.7. Некоторые типовые конструкции датчиков
- •Контроль и влияние примеси на электропроводность некоторых металлов
- •Меди (б)
- •Электропроводность и температурный коэффициент некоторых
- •4.9. Методы и приборы измерения электропроводности немагнитных металлов
- •4.10. Общие положения. Порядок проведения измерений
- •4.11. Элементы методики исследования и выбор материала для контроля
- •Вопросы для самопроверки знаний по главе 4
- •Глава 5. Ультразвуковые методы контроля металлов, сплавов, лома и руд
- •5.1. Классификация акустических методов контроля
- •5.2. Ультразвуковая аппаратура
- •Подготовка к контролю
- •Порядок проведения контроля
- •5.3. Ультразвуковая аппаратура в неразрушающем контроле
- •5.4. Ультразвуковые преобразователи
- •5.5. Определение типа металла, сплава, лома по измерению скорости распространения упругих волн
- •Вопросы для самопроверки знаний по главе 5
- •Глава 6. Классификация радиометрических методов контроля состава руд
- •6.1. Методы определения элементного состава полезных ископаемых по спектрометрии вторичных излучений
- •6.2. Методы, основанные на взаимодействии гамма- или рентгеновского излучения с электронными оболочками атомов или ядрами атомов элементов
- •6.3. Методы, основанные на спектрометрии гамма-излучения, возникающего при различных ядерных реакциях нейтронов с веществом
- •Методы определения естественной радиоактивности пород, содержащих радиоактивные элементы
- •6.5. Люминесцентные методы контроля состава руд
- •6.6. Фотометрические методы контроля состава руд
- •6.7. Радиоволновые методы контроля руд
- •6.8. Технология сортировки руды
- •Вопросы для самопроверки знаний по главе 6
- •Заключение
- •Список используемой литературы:
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •191186, Санкт-Петербург, ул. Миллионная, 5
Пороги фотоядерных реакций для изотопов некоторых химических
элементов Таблица 1.1.3.1
Изотоп |
Порог реакции, МэВ |
Изотоп |
Порог реакции. МэВ |
6Li 9Be 13C 25Mg 29Si 57Fe 65Cu 67Zn 82Se |
5,35 1,67 4,95 7,25 8,45 7,75 10,00 7,00 9,80
|
91Zr 93Nb 97Mo 113Cd 118Sn 133Cs 181Ta 184W 208Pb 209Bi |
7,20 8,70 7,10 6,50 9,10 9,05 7,60 6,25-7,15 7,40 7,40 |
Максимальные значения сечений фотоядерной реакции для ряда
химических элементов Таблица 1.1.3.2
Химический элемент |
Максимальное сечение, барн |
Химический элемент |
Максимальное сечение, барн | |
Be |
0.002 |
Мо |
0.240 | |
С |
0,013 |
РЬ |
0.850 | |
Me |
0.012 |
Bi |
0.940 | |
Мn |
0,081 |
Zn |
0.102 | |
Fe |
0.074 |
Со |
0.125 | |
Сu |
0,100 |
|
1.2. Электромагнитное взаимодействие
Электромагнитное взаимодействие так же как и ядерное взаимодействие относится к числу интенсивных взаимодействий природы, хотя оно и слабее ядерного. Переносчиками этого взаимодействия являются кванты электромагнитного излучения, которые в зависимости от их происхождения и энергии называют фотонами, рентгеновским излучением, -квантами, а также радиоволнами. Кванты электромагнитного излучения возникают в результате взаимодействия электрического заряда с окружающим его электромагнитным полем. Оценка интенсивности электромагнитного взаимодействия показывает, что оно в 102 - 103 раз слабее ядерного и процессы так называемого электромагнитного распада протекают в 102 - 103 раз медленнее ядерных процессов [23].
1.2.1. Взаимодействие гамма-излучения
В предыдущем параграфе был рассмотрено взаимодействие с веществом -излучения с энергией более 10 МэВ, сопровождающееся протеканием ядерных реакций типа (,n), (,p) и (,). В области энергий -квантов в пределах от 0,01 до 0,5 МэВ преобладающим видом взаимодействия являетсяфотоэлектрическое поглощение или фотоэффект, а также рассеяние -излучения [24].
Фотоэффектом называется такой процесс взаимодействия -кванта с атомом вещества, при котором одному из электронов передается вся энергия-кванта. При этом электрон выбивается за пределы атома с кинетической энергией:
, (1.2.1.1)
где Еу - энергия -кванта;- потенциал ионизацииi-й оболочки атома.
Согласно модели Бора электроны, окружающие ядро атома, располагаются в определенном порядке по концентрическим оболочка K,L,M,N и.т.д., составляющим определенные энергетические уровни (рис. 1.2.1.1).
Фотоэффект возможен на связанном с атомом электроне и только в том случае, когда энергия -квантаЕу превосходит величину потенциала ионизации этой электронной оболочки . Следовательно, если Еу <IК, то фотоэффект возможен только на L-, М-, N-, ... оболочках и невозможен на K-оболочке. В случае, когда Еу <IL, то фотоэффект возможен лишь на М-, N-, ... и т.д. электронных оболочках и невозможен на К- и L-оболочках и т.д.
M-оболочка
Рис. 1.2.1.1. Модель атома и схема основных переходов для К- и L-серий характеристического рентгеновского излучения
Вероятность фотоэффекта характеризуется атомным коэффициентом фотопоглощения, который представляет собой относительное ослабление пучка -лучей сечением 1 см2, приходящееся на один атом вещества. Зависимость атомного коэффициента фотопоглощения от энергии -квантов и атомного номераZ определяется законом Ионссона, и с некоторым приближением его можно выразить формулой
, (1.2.1.2)
где С - постоянная, меняющаяся скачкообразно при переходе энергии фотонов через значения потенциалов ионизации электронных оболочек атома; - длина волны фотонов, которую можно определить
по формуле:
, (1.2.1.3)
Однако для более точных расчетов используют формулы Вальтера
, при λ < λK ,
, при λK < λ < λL1 , (1.2.1.4)
где λK и λL1 - длина волны, соответствующая К- и L-краям поглощения вещества с атомным номером Z; к- длина волны фотонов. Итак, чем меньше связь электрона с атомом по сравнению с энергией-кванта, тем менее вероятен фотоэффект. При малыхZ электроны легких элементов связаны кулоновскими силами ядра слабее, чем в тяжелых элементах. Поэтому фотоэффект особенно существенен для тяжелых элементов, где он идет с заметной вероятностью даже при высоких энергиях -квантов, а для легких элементов он становится заметным только при относительно небольших энергиях-квантов. Сечение фотоэффекта на электронахK-оболочки можно подсчитать с помощью формул:
(1.2.1.5)
Это обстоятельство определяет все основные свойства фотоэффекта: ход сечения с энергией, соотношение вероятностей фотоэффекта на разных электронных оболочках и зависимость сечения от заряда среды.
На рис. 1.2.1.2 изображен ход сечения фотоэффекта с энергией -квантов.
Рис 1.2. 1.2. Ход сечения фотоэффекта с ростом энергии -квантов.
Приведенная зависимость показывает, что при больших энергиях -квантов (для которых все электроны связаны) сечение мало. Уменьшение энергииЕу приводит к росту сечения, сначала по закону 1/Ey а затем по мере приближения Ey, к потенциалу ионизации K-оболочки IК по более сильному закону (1/Ey)7/2.
Рост сечения продолжается до тех пор, пока Еу не станет равной IК. При Еy< IК фотоэффект на K-оболочке становится невозможным, и сечение фотоэффекта определяется только взаимодействием -кванов с электронами последующихL-, М-,... оболочек. Электроны этих оболочек связаны с атомом слабее, чем электроны K-оболочки, поэтому при равных энергиях -квантов вероятность фотоэффекта электрона сL-оболочки и тем более с M-оболочки существенно меньше, чем с K-оболочки. В связи с этим на кривой сечения при Еу = IК наблюдается резкий скачок.
При Еу < 1К сечение фотоэффекта начинает расти снова, т.к. опять возрастает относительная связность электрона Рост прекращается приЕу = IL, где наблюдается новый резкий скачок сечения, и т.д. Характерные точки разрыва при IK,IL, IM на рис. 1.2.1.2 называются краями поглощения и определяются значением энергии связи соответствующей оболочки. Относительный вклад в сечение фотоэффекта на L-, М- и других оболочках невелик. Расчет дает для отношения сечений фотоэффекта на разных оболочках значения:
В табл. 1.2.1.1 приведены энергии K-краев поглощения для ряда химических элементов, которые свидетельствуют о том, что фотоны энергией от 1 до 3 кэВ имеют низкую проникающую способность.
Фотоэффект является главным механизмом поглощения мягкого -излучения в тяжелых веществах. Массовый коэффициент ослабления-квантов в результате фотоэлектрического поглощения для од-нокомпонентных и многокомпонентных веществ определяется соответственно формулами
(1.2.1.6)
, (1.2.1.7)
где - соответственно порядковый номер, относительная атомная масса и массовая доляi-элемента; суммирование в уравнении (1.2.1.7) проводится по всем элементам, входящим в состав изучаемого вещества.