- •1. Поверхностная обработка полупроводниковых материалов
- •1.2. Механическая обработка кремниевых пластин
- •Очистка поверхности пластин после механической обработки
- •Методы контроля чистоты поверхности пластин
- •1.3. Химическое травление кремния
- •Кинетика травления кремния
- •Две теории саморастворения кремния
- •Влияние примесей
- •Дефекты структуры полупроводника
- •Ориентация поверхности полупроводника
- •Концентрация компонентов травителя
- •Температура раствора
- •Химико-динамическая полировка
- •Анизотропное травление
- •Травление окисла и нитрида кремния
- •Промывка пластин в воде
- •Очистка пластин в растворах на основе перекиси водорода
- •1.4. Плазмохимическое травление кремния
- •Классификация процессов плазмохимического травления
- •Кинетика изотропного травления кремния
- •Образование радикалов в газоразрядной плазме
- •Взаимодействие радикалов с атомами материалов
- •Травление двуокиси и нитрида кремния
- •Факторы, влияющие на скорость ПХТ материалов
- •Анизотропия и селективность травления
- •2. Диэлектрические пленки на кремнии
- •2.1. Термическое окисление кремния
- •Окисление кремния при комнатной температуре
- •Физический механизм роста окисла при высокой температуре
- •Структура окисла кремния
- •Модель Дила - Гроува
- •Кинетика роста окисла кремния
- •Влияние температуры окисления
- •Влияние парциального давления окислителя
- •Влияние ориентации подложки
- •Влияние типа и концентрации примеси в подложке
- •Оборудование для окисления кремния
- •2.2. Методы контроля параметров диэлектрических слоев
- •Контроль толщины слоя диэлектрика
- •Контроль дефектности пленок
- •Метод электролиза воды
- •Электрографический метод
- •Метод электронной микроскопии
- •Метод короткого замыкания
- •2.4. Осаждение диэлектрических пленок
- •Осаждение пленок диоксида кремния
- •Осаждение нитрида кремния
- •3.1. Диффузия примесей в полупроводник
- •Механизмы диффузии примесей
- •Диффузия по вакансиям. Коэффициент диффузии
- •Распределение примесей при диффузии
- •Диффузия из бесконечного источника
- •Диффузия из ограниченного источника
- •Первый этап диффузии
- •Источники примесей
- •Источники донорной примеси
- •Источники акцепторной примеси
- •Поверхностный источник примеси
- •Второй этап диффузии
- •Перераспределение примеси при диффузии в окисляющей среде
- •Контроль параметров диффузионных слоев
- •3.2. Эпитаксия
- •Рост эпитаксиальных пленок
- •Методы получения эпитаксиальных слоев кремния
- •Хлоридный метод
- •Пиролиз моносилана
- •Гетероэпитаксия кремния на диэлектрических подложках
- •Перераспределение примесей при эпитаксии
- •3.3. Ионное легирование полупроводников
- •Характеристики процесса имплантации
- •Пробег ионов
- •Дефекты структуры в полупроводниках при ионном легировании
- •Распределение внедренных ионов
- •Распределение примеси в интегральных структурах
- •Распределение примеси в двухслойной мишени
- •Влияние распыления полупроводника
- •Распределение примеси при термическом отжиге
- •Низкотемпературный отжиг
- •Оборудование для ионного легирования
- •Ионные источники
- •4. Технология литографических процессов
- •4.1. Классификация процессов литографии
- •4.2. Схема фотолитографического процесса
- •4.3. Фоторезисты
- •Позитивные фоторезисты
- •Негативные фоторезисты
- •Основные свойства фоторезистов
- •4.4. Фотошаблоны
- •4.5. Технологические операции фотолитографии
- •Контактная фотолитография
- •Искажение рисунка при контактной фотолитографии
- •Литография в глубокой ультрафиолетовой области
- •Проекционная фотолитография
- •4.6. Электронолитография
- •4.7. Рентгенолитография
- •Электронорезисты
- •5. Металлизация
- •5.1. Свойства пленок алюминия
- •Электродиффузия в пленках алюминия
- •Методы получения металлических пленок
- •5.2. Создание омических контактов к ИС
- •5.3. Использование силицидов металлов
- •5.4. Многоуровневая металлизация
- •Содержание
Рис.4.1. Влияние излучения на точность передачи размера рисунка: а - рассеяние света на границе освещенного и неосвещенного участков фоторезиста; б - появление "ореола" при использовании негативного фоторезиста. 1 - фотошаблон, 2 - фоторезист, 3 – подложка
разрешающую способность негативных резистов. Позитивные резисты при проявлении размягчаются и "прилипают" к подложке в подтравленных местах, залечивая их.
Стойкость к воздействию агрессивных факторов - понятие, как правило,
не поддающееся общим определениям; в частном случае может означать величину, пропорциональную времени отслаивания пленки фоторезиста в используемом травителе или времени проникновения травителя сквозь поры пленки фоторезиста к подложке. Измеряется в секундах или минутах. В последнее время стойкость пленки фоторезиста все чаще характеризуют плотностью дефектов, передающихся при травлении на подложку (дефект/мм2). Для позитивных фоторезистов указывают обычно важный параметр: устойчивость к воздействию стандартного проявителя, которая измеряется в минутах (до момента разрушения слоя) и должна быть, по крайней мере, на порядок выше времени проявления. Кислотостойкость k можно оценить также по величине бокового подтравливания x под фоторезист при глубине h травления подложки: k = h/x. Стойкость к агрессивным средам существенно зависит от адгезии фоторезиста к подложке. Очевидно, что величина подтравливания x при высокой адгезии минимальна.
Стабильность эксплуатационных свойств фоторезистов во времени выражается сроком службы при определенных условиях хранения и использования. Ее обеспечение - одна из важнейших проблем.
4.4. Фотошаблоны
Фотошаблоны - наиболее ответственная составляющая фотолитографического процесса. Заменяя один фотошаблон на другой, можно быстро найти оптимальный технологический режим, обеспечить получение весьма малых размеров, сменить один тип резиста на другой, более подходящий,
ввести плазменную обработку вместо химического травления и т.д. Комплект фотошаблонов изготовляется в течение недель и месяцев, стоимость его (для сложных БИС) составляет несколько сотен тысяч рублей.
Для изготовления фотошаблонов может использоваться оптикомеханический способ. Изготовление комплекта ИМС начинается с разработки чертежей топологических слоев будущей ИМС в масштабе, например 1:1000, и составления задания на комплект.
Задание содержит:
-указания о типе шаблонов; шаблоны делятся на два типа: с прозрачными элементами на темном поле и с темными элементами на светлом поле. Такое деление имеет значение для процессов уменьшения и мультиплицирования, поскольку от типа шаблона зависят условия экспонирования;
-информацию о мультипликации, в которой, помимо количества мультиплицированных структур, указываются пропуски структур для совмещения и контроля, а также другие непериодические изображения (тестовые структуры);
-контрольную информацию, состоящей из задающей и методической. Задающая информация указывает, каким образом выполняются отметки совмещения и обязательные для сложных приборов тестовые структуры, позволяющие проверять разрешающую способность процесса фотолитографии, технологические параметры (поверхностное сопротивление, дефекты окисла) и электрические параметры прибора. Методическая информация содержит указания о методике и критериях контроля характеристик изготовленных шаблонов: размеров, совмещаемости, критических областей, дефектов и т.д.
Сложная топология каждого уровня переводится в увеличенный оригинал. Оригинал уменьшается до размера, в десять раз превышающего размер стеклянной основы шаблона. Затем с использованием фотонаборного генератора изготавливают первичный фотооригинал (ПФО), который фотоповторителем уменьшается до масштаба 1:1 и проецируется на стеклянную пластинку со слоем хрома или окисла
железа с нанесенной поверх него пленкой фоторезиста. Стол фотоповторителя перемещается на нужный шаг, обеспечивая многократный перенос изображения на фотошаблон. Точность перемещения координатного стола фотоповторителя ±0,2 мкм. Каждый элемент содержит полную топологию схемы, соответствующую данному уровню шаблона.
Проектирование шаблонов с помощью увеличенного оригинала просто, но для создания СБИС непрактично. В настоящее время разработаны интерактивные графические системы машинного проектирования. Эти системы выдают выходные результаты в виде цифровых данных, записанных на магнитном носителе. С помощью этих данных идет управление генератором изображений, формирующим топологический рисунок в масштабе 1:1 или 10:1. Рисунок на шаблоне выполняется с помощью электронного луча, позволяющего получить субмикронные размеры элементов топологии схемы.
Используются фотошаблоны трех типов: эмульсионные, металлизированные (обычно применяется хром) и полупрозрачные, в которых рисунок создается в слое окисла железа (иногда окиси хрома). Наиболее дешевы