Рис.4.4. Шаблон для рентгенолитографии: 1 - пластина кремния n+; 2 - эпитаксиальная пленка n-типа (3 мкм); 3 - пленка окисла алюминия (0,1 мкм): 4

- золото (0,3 мкм) с подслоем хрома

слой А12О3. Поглощающая маска создается на поверхности этого слоя методом электронолитографии. Затем идет наиболее ответственная операция -

медленное травление окон в n+-кремниевой подложке (площадь окон около 1 см2).

Некоторым преимуществом перед кремниевыми масками обладают маски из тонкой полимерной пленки, натянутой на поддерживающем кольце из стали или алюминия.

Одной из серьезных проблем в рентгенолитографии является деформация шаблона при изготовлении и эксплуатации. Причинами деформации могут быть механические напряжения в мембране или разные температурные коэффициенты расширения мембраны и основания шаблона.

Для устранения искажений рисунка, связанных с дисторсией и большим временем экспонирования в процессе рентгенолитографии, предлагается использование синхротронного излучения. Оно генерируется релятивистскими электронами при их движении по криволинейным траекториям в магнитных полях. По касательной к траектории движения электронов, ускоренных до 1 ГэВ, можно получить мощный плоскопараллельный пучок рентгеновского излучения широкого спектра. Этим методом получены линии шириной 0,05 мкм. Недостатком процесса является использование дорогостоящего оборудования и сложность его эксплуатации.

Электронорезисты

Так как для проведения электроно-, рентгенолитографии в качестве резиста используются одни и те же составы полимеров, их обычно в литературе называют электронорезистами.