Обращённый диод.

Я вляются разновидностью туннельных диодов. Используются в детекторах и смесителях. ВАХ:

Время переключения диода 1 наноСек. Достоинства: 1) Высокая чувствительность по току, 2) Малый уровень шумов, 3) ВАХ имеет большую не линейность в области нулевого смещения.

Транзисторы. Vt.

В соответствии с ГОСТом от 1969г. Транзисторами называется полупроводник имеющий 2 "p-n" перехода и 3 вывода, предназначенный для усиления мощности. Транзисторы бывают биполярные, где используется только 2 типа носителей, полевые (униполярные), однопереходные (двухбазовый диод). В соответствии с ГОСТом 10862-72 условное обозначение транзисторов состоит из 6 элементов (символов). 1) Буква (если работает в н.у.) или цифра (если работает при особых. у), обозначающая материал изготовления транзистора: 1 или Г - Германий, 2 или К – кремний, 3 или А – арсенид галия, 4 или И – индий, 2)Буква: Т - биполярные, П-полевые, 3)Цифра показывающая назначение и качественные параметры транзистора.

Большая (P >= 1,5 Вт)	Средняя (0,3<P<1,5)	Малая (<=0,3Вт)
7. Fгр < 3МГц.	4. Fгр < 3МГц.	1. Коофициент передачи с граничной частотой до 3МГц. Fгр < 3МГц.
8. 3МГц<fгр<30МГц.	5. 3МГц<fгр<30МГц.	2. 3МГц<fгр<30МГц.
7. fгр > 30МГц.	6. fгр > 30МГц.	3. fгр > 30МГц.

4 и 5) цифра от 01 до 99, показывающая порядковый номер разработки, 6)Буква характеризующая технологическую группу. # КТ315А – кремниевый биполярный, работает в о.у., ВЧ, маломощный, порядковый номер 15 группа А. КТС--- Транзисторная сборка из ---. 3,4,5 элемент объединённые в трёхзначное число позволяют определить параметры транзистора по мощности и частоте.

ВЧ ( f > 30 МГц)	СрЧ ( 3< f < 30 МГц)	НЧ (f < 3 МГц)	Мощность
301-399	201-299	101-199	Малая (<=0,3Вт)
601-699	501-599	401-499	Средняя (0,3<P<1,5)
901-999	801-899	701-799	Большая (P>=1,5 Вт)

У словное обозначение ранее разработанных транзисторов, выпуск которых продолжается, имеет условное обозначение из 2 ил 3 элементов. 1) Буква П или МП (для транзисторов с унифицированным корпусом), 2) Число, указывающее исходный материал и назначение транзистора: 1) 01-99 германиевые, маломощные НЧ, 2) 101-199 кремниевые, маломощные НЧ, 3) 201-299 германиевые, мощные, НЧ, 4) 301-399 кремниевые, мощные, НЧ, 5)401-499 германиевые, маломощные ВЧ, 6) 501-599 кремниевые, маломощные ВЧ, 7)601-699 германиевые, мощные, ВЧ, 8)701-799 кремниевые, мощные, ВЧ. Исключения составляют транзисторы марки П3 и П4, которым присвоены мощные НЧ транзисторы. 3) Буква, указывающая на разновидность прибора. Конструкции:

Транзисторы бывают npn типа и pnp типа, в транзисторах npn типа, основные носители это электроны, а в pnp типа – дырки. Средняя область транзистора называется базой (размеры её не большие, и концентрация носителей в базе не высокая). Крайние области называются эммитерем и коллектором. Переход между эммитером и базой называется эммитерным, а между коллектором и базой –коллекторным. Транзисторы изготавливаются диффузионным, сплавным, сварным, планарным способом и т.д.