- •Строение атома.
- •Собственный полупроводник.
- •Примесный полупроводник n-типа.
- •Примесный полупроводник p-типа.
- •Германий.
- •Кремний.
- •Арсенид Галия.
- •Кристаллическая решётка.
- •Диффекты кристаллических решёток.
- •Вырожденный и компенсированный полупроводник.
- •Движение зарядов в полупроводниках.
- •Образование “p-n” перехода.
- •История создания "p-n" перехода.
- •Прямое и обратное включение p-n перехода.
- •Вольтамперная характеристика “p-n” перехода (вах).
- •Пробои “p-n” перехода.
- •Температурные и частотные свойства “p-n” перехода.
- •Контакт металл – полупроводник. Омический не выпрямляющий контакт.
- •Гиперпереходы.
- •Полупроводниковые приборы. Классификация и системы обозначений.
- •Выпрямительный диод. Vd.
- •В ах выпрямительного диода.
- •Варикап.
- •Стабилитрон.
- •Т уннельный диод.
- •Диод Ганна.
- •Лавинно-пролётные диоды.
- •Обращённый диод.
- •Транзисторы. Vt.
- •4 Режима работы транзистора.
- •Принцип работы транзистора.
- •Схемы включения транзистора.
- •Статические характеристики транзистора.
- •Транзистор, как активный четырёхполюсник.
- •Частотные свойства транзистора.
- •Температурные свойства транзисторов.
- •Динамический режим работы транзистора.
- •Составной транзистор.
- •Высоковольтные транзисторы.
- •Мощные транзисторы.
- •Собственные шумы транзистора.
- •Эксплуатационные параметры транзистора.
- •П олевые транзисторы.
- •Полевой транзистор с "p-n" переходом.
- •Полевой транзистор с изолированным затвором.
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Основные параметры полевых транзисторв.
- •Однопереходные транзисторы.
- •Тиристоры.
- •Семисторы.
- •Оптоэлектронные приборы.
- •Светоизлучающие диоды (светодиоды).
- •Фотоприёмник.
- •Фоторезистор.
- •Фотодиод.
- •Фототранзистор.
- •Фототиристоры.
- •Оптрон (vu).
- •Резисторный оптрон.
- •Диодный оптрон.
- •Транзисторные оптопары.
- •Тиристорные оптопары.
- •Оптоэлектронные интегральные микросхемы.
- •Когерентная оптоэлектроника. Принцип работы лазера.
- •Свойства лазерного излучения.
- •Основные типы лазеров.
- •Области применения лазера.
- •Микроэлектронника. Виды интегральных схем.
- •Технологические процессы изготовления мсх.
- •Виды изоляции элементов.
- •Полупроводниковые интегральные схемы.
- •Интегральный “n-p-n” транзистор.
- •Разновидности “n-p-n” транзистора.
- •Интегральный “p-n-p” транзистор.
- •Интегральные диоды.
- •Электровакуумные приборы.
- •Виды электронной эмиссии.
- •Вакуумный диод.
- •Усилитель нч на триоде.
- •Паразитные ёмкости триода.
- •Тетрод и пентод.
- •Осцилографическая трубка.
- •И ндикаторные трубки.
- •Кинескоп.
- •Получение цветного изображения.
Варикап.
Э то полупроводниковый прибор, ёмкость которогозависит от обратного напряжения, т.е. в варикапах используется величина барьерной ёмкости запертого диода, поэтому, при использовании варикапах в схемах, к нему подводят обратное напряжение. При увеличении обратного напряжения (по абсолютной величине) ёмкость варикапа уменьшается. ВольтФарраднаяХарактеристика имеет следующий вид:
Уменьшение ёмкости с ростом обратного напряжения можно объяснить следующим образом: грубо сравним "p-n" переход с плоским конденсатором, где p и n области как бы являются обкладками конденсатора, а сам "p-n" переход – диэлектриком. При увеличении обратного напряжения, объёмный заряд в "p-n" переходе возрастает, основные носители уходят вглубь своих областей. "p-n" переход как бы расширяется, а это равносильно увеличению расстояния между обкладками конденсатора. Из формулы ёмкости плоского конденсатора (С=0,885εs\d) видно, что при увеличении расстояния между обкладками (d), ёмкость уменьшается. Основные параметры варикапа: 1)Номинальная емкость, измеренная между выводпми при напряжении смещения 4В.,2) Максимальное значение ёмкости, 3) Минимальное значение ёмкости, 4) Коофициент перекрытия Kc=Cmax\Cmin, 5) Q – добротность – это отношение реактивного сопротивления варикапа к полному сопротивлению потерь, измеренное на номинальной частоте, при температуре +200С, 6)Максимально допустимая мощность. Основное применение варикапов – это электронная настройка колебательных контуров. Ранее для этой цели применялись громоздкие переменные конденсаторы, что не позволяло миниатюризировать РЭА.
Стабилитрон.
Э то полупроводниковый прибор, областью стабилизации которого является обратная ветвь ВАХ.
С табилитроны работают в режиме электрического пробоя, следовательно, на них подаётся обратное напряжение. Обычно, они изготавливаются из Кремния, т.к. обратные токи у Кремния больше и так же больше обратно допустимые напряжения. В области стабилизации ток изменяется в больших пределах, а напряжение практически не меняется. Схема стабилизации постоянного положительного напряжения:
П ри увеличении входного напряжения по какой-то причине, стабилитрон пробивается и на сопротивлении нагрузки создаётся напряжение = напряжению стабилизации. Аналогично работает схема стабилизации отрицательного постоянного напряжения:
Схема стабилизации переменного напряжения имеет следующий вид:
Данная схема работает следующим образом: при увеличении положительной полуволны входного напряжения, пробивается VD1, а при отрицательной VD2, и на нагрузке создаётся напряжение = напряжению стабилизации стабилитрона. Основные параметры: 1)Минимальный ток стабилизации – это минимальное значение тока, при котором наступает устойчивый электрический пробой, 2)Максимальный ток стабилизации – это такое значение тока, превышение которого недопустимо, 3)Напряжение стабилизации – это падение напряжения на стабилитроне в области стабилизации, 4)Сопротивление стабилизации это ∆Uст\∆Iст. Применяются для защиты схем от перегрузок, работы в переключающих схемах, для формирования и ограничения импульсов определённой формы. Существуют 2 способа стабилизации напряжения: параметрический и компенсационный. Параметрическим называется стабилитроны, у которых регулирующий элемент воздействует на стабилизируемую величину так, чтобы приблизить её к требуемой, без оценки их разности. В стабилитронах компенсационного типа напряжение на нагрузке сравнивается с эталонным (опорным) значением напряжения и в зависимости от их разности воздействует на стабилизируемую величину так, чтобы уменьшить эту разность до допустимого значения.