Тиристоры.

Т иристор-это полупроводниковый прибор, который имеет структуру p-n-p-n или n-p-n-p. Если от одной из средней области делается вывод, то данный ти тиристоров называется тринисторами. На рисунке показаны динисторы. Тиристоры имеют 3 "p-n" перехода, крайние области такой структуры называются эммиторами, а внутренние области базами. Эммитерные электроды (анод и катод) являются силовыми электродами. Крайние "p-n" переходы называются эммиторными, а внутренние коллекторными. Если на n-p-n-p структуру подать напряжение, то эммитерные переходы будут открыты, т.е. смещены в прямом направлении, а коллекторный переход закрыт, т.е. смещён в обратном направлении, т.е. сопротивление эммитерных переходов мало, а коллекторных очень велико. ВАХ: На ВАХ имеются следующие участки:1-открытое состояние, которое характеризуется большим током, при маленьком напряжении, 2-область с отрицательным сопротивлением, в которой при уменьшении напряжения ток растёт, что противоречит закону Ома.3-область перехода из открытого состояния в закрытое, 4-закрытое состояние, характеризуется маленьким током при большом напряжении, 5-область обратных токов, 6-область пробоя. Из ВАХ видно, что тиристоры имеют 2 устойчивых состояния, открытое (1) и закрытое (4), это позволяет использовать тиристоры в переключающих устройствах. Тиристоры обладают высоким коофициентом усиления по току т.к. любой тиристор можно рассматривать как 2 транзистора включённых по схеме с общим эммитером. Для анализа работы тиристора, четырёхслойную структуру целесообразно представить в виде 2 транзисторов (n-p-n и p-n-p). Таким образом, что I_бVT2=I_кVT1, т.е. I_б2=I_к1, I_б1=I_к2. При увеличении питания источника Е, основные носители, инжектированные одним из эммитеров, попадают в базу, где они являются не основными носителями, частично рекомбинируют в ней. Не рекомбинированные носители проходя через коллекторный переход попадают в область, в которой они являются основными носителями и одновременно в базу сопряжённого транзистора, понижая при этом высоту потенциального барьера, улучшая тем самым инжекцию носителей в сопряжённом транзисторе. Это приводит к увеличению общего тока тиристора. β_∑=β₁β₂≈10000 (т.к.β до100). Основные параметры: 1)Напряжение включения – это основное напряжение, при котором ток в приборе резко возрастает, 2)Ток включения – это значение тока в точке напряжения включения, 3)Ток удержания – основной ток, необходимый для поддерживания тиристора в открытом сотстоянии, 4)Время включения – интервал времени между моментом в начале отпирающего импульса, который составляет 0,1 его амплитуды и моментом, когда основное напряжение падает до одной десятой значения разности напряжений в закрытом и открытом состоянии тиристора, 5)Время выключения – время в течении которого основной ток уменьшиться до 0, при переходе тиристора из открытого состояния в закрытое. Обозначаются тиристоры буквой Н (неупр.электрод), буквой У (упр.электрод). Применяются в усилительных схемах и автогенераторах релаксационных колебаний.