Технологические процессы изготовления мсх.

Процесс изготовления полупроводниковых интегральных микросхем состоит из следующих основных этапов: диффузии, эпитаксиального выращивания, оксидирования, фотолитографии, селективного травления и осаждения тонких плёнок. Некоторые из них повторяются несколько раз. В основе изготовления тонкоплёночных микросхем лежат процессы последовательного нанесения тонких плёнок. Диффузия – это процесс переноса атомов или молекул происходящий в результате хаотического теплового движения. Эпитаксия – это процесс, в результате которого можно расположить атомы на монокристаллической подложке так, что структура решётки полученного слоя является точной копией структуры кристалла подложки. Механизм эпитаксиального процесса заключается в том, что атомы в газообразной фазе движутся к поверхности раздела, на которой выращивается слой, и перемещаются вблизи неё, пока не приобретут устойчивое состояние и не образуют жёсткую структуру. Так же получают микросхемы путём окисления. Применяется двуокись кремния. Плёнка очень прочна, не имеет пор, химически инертна и может применяться для защиты поверхности микросхемы от воздействия окружающей среды. Плёнка используется для маскирования поверхности при проведении диффузии. Она может быть наращена на кремний или нанесена химическим путём. Фотолитография – удаление окисла этим способом. Наносят тонкую плёнку фотолитографического вещества (фоторезиста). Затем пластина накрывается стеклянной маской (фотошаблон) с прозрачными и не прозрачными областями и облучается УФ лучами. Под прозрачными УФ излучение полимеризует фоторезист. Помещают в трихлорэтилен, затем в плавиковую кислоту и потом кипящую серную кислоту. Для изготовления микросхем надо иметь несколько фотошаблонов. Осаждение тонких плёнок.

Элементы.	Метод получения тонкой плёнки.
RC-схемы, резисторы, конденсаторы.	Вакуумное напыление.
Резисторы, изоляция, диэлектрики для C.	Катодное распыление.
Диэлектрики, резисторы.	Осаждение ионным пучком.
Конденсатры, резисторы, коммутация.	Химическое осаждение из газовой фазы.
Защитные покрытия, диэлектрики для кон.	Анодирование.
Резисторы, изоляция, проводники.	Мех. Нанесение.

Виды изоляции элементов.

В се способы изоляции элементов МСХ, восновном делятся на 2 вида: изоляция обратносмещённым "p-n" переходом и изоляция диэлектриком. Обеднённый слой при обратном смещении имеет очень высокое удельное сопротивление, близкое к удельному сопротивлению диэлектрика. 1)Изоляция "p-n" переходом сводится к созданию двух встречно включённых диодов, между изолирующими элементами. Этот вид изоляции хорошо сочетается с технологическим процессом изготовления МСХ. Основным недостатком является наличие обратных токов и барьерных емкостей. 2)Изоляция диэлектриком более совершенна, токи утечки в диэлектриках на 3-5порядков меньше, чем обратные токи "p-n" переходов. Паразитные ёмкости также значительно меньше. Недостатки: Основным недостатком является относительная сложность технологического процесс. Кроме этих способов также существуют методы высокоомной подложки и тройной диффузии и т.д.