Контакт металл – полупроводник. Омический не выпрямляющий контакт.

Все полупроводниковые приборы связаны с внешней цепью через контакты, в которых могут возникнуть контактные явления, искажающие ВАХ перехода. Эти контакты называются омическими, т.к. характеристика этого контакта соответствует закону Ома. Омический контакт обладает следующими свойствами: 1) Падение напряжения на нём не зависит от направления тока, 2) Величина сопротивления контакта не большая, 3) Падение напряжения на контакте пропорционально протекающему через него току. Характеристика контакта не линейная и к этим контактам предъявляются особые требования: 1) Механическая прочность, 2) Высокая теплопроводность, 3) Отсутствие инжекции. Идеальный омический контакт получить трудно, но при его изготовлении стремятся выполнить следующие требования: 1) Как можно больше уменьшить контактный потенциальный барьер, 2) Уменьшить влияние инжекции.

Гиперпереходы.

Применяются в микроэлектронике для создания быстродействующих приборов. Эти переходы могут создаваться как при помощи полупроводников с разным типом проводимости, так и с 1 типом, но с разной шириной запрещённой зоны или между полупроводниками разных типов проводимости и разных материалов. (# переход n-n, или Ge-n типа, а Si-p типа). Все физические процессы в гиперпереходах при изменении полярности приложенного напряжения протекают намного быстрее, чем в обычных "p-n" переходах. Это объясняется тем, что в проводимости принимают участие только основные носители заряда и отсутствуют процессы рассасывания не основных носителей. Эти процессы относятся к разряду инерционных процессов. Время переключения в приборах, где используются гиперпереходы находится в пределах от 0,3 до 1 наноСек (10^-9).

Полупроводниковые приборы. Классификация и системы обозначений.

Полупроводниковым диодом называется прибор, имеющий 2 вывода и 1 "p-n" переход. Полупроводниковые диоды изготавливаются из Германия, Кремния, Арсенида Галия. В зависимости от способа получения "p-n" перехода диоды бывают плоскосные и точечные. В соответствии с ГОСТом 10862-72 условное обозначение диодов состоит из следующих элементов: 1) Буква (работает в обычных условиях) или цифра (работает в особых условиях) указывает материал изготовления диода: 1) 1 или Г – Германие, 2 или К – Кремний, 3 ил А – Арсенид Галия; 2) Буква, указывающая тип полупроводникового диода: Д-выпрямительные, универсальные, импульсные; Ц – выпрямительные столбы и блоки; А-СВЧ диоды (СверхВысокоЧастотные); С-стабилитроны, стабисторы; И-тунельные, обращённые; В-варикапы; Г-генераторы шума; Л-излучающие диоды; Б-диоды Гана; К-стабилизаторы тока; 3) Цифра, определяющая назначение и качественные свойства диода; 4 и 5) Число от 01 до 99, указывающее порядковый номер разработки; 6) Буква, определяющая разновидность по техническим признакам. (#ГД412А – полупроводниковый диод, германиевый, работает в обычных условиях, универсальный, номер разработки 12, группа А). ГОСТом от 1964г. Полупроводниковые диоды имеют следующие обозначения: 1)Буква Д, 2) Число обозначающее: 01-100 точечные германиевые диоды, 101-200 точечные кремниевые диоды, 201-300 плоскостные кремниевые диоды, 301-400 плоскостные германиевые диоды, 401-500 СВЧ смесительные диоды, 601-700 видеодетекторы, 701-749 параметрические германиевые диоды, 750-800 параметрические кремниевые диоды, 801-900 стабилитроны, 901-1000 туннельные диоды, 1001-1100 выпрямительные столбы.