Семисторы.

Э то полупроводниковый прибор, имеющий структуру p-n-p-n-p или n-p-n-p-n. Т.е это 2 тиристора включённые навстречу друг другу. Семистора отпираются при любой полярности напяржения и проводят ток в обоих напрявлениях. Из рисунка видно, что при полярности показанной юез скобок работает левая половина семистора, а при обратной полярности правая половина. Направление движения электронов показано стрелочкой. Роль семистора могут выполнять 2 динистора, включённые паралельно навстечу друг другу. Иногда, от 1 из базовых областей делают управляющий вывод. а)динистор, б)в) незапираемые тиристоры с выводами от р или n областей, г)д) запираемые тиристоры с выводами от р или n областей, е)симметричные тиристоры. Тиристоры нашли широкое применение в различных схемах автоматики, промышленной электронники и т.д. ВАХ семистора:

Оптоэлектронные приборы.

Основаны на использовании явления излучения, передачи, поглощения световой энергии в различных областях спектра. Применяются в быстродействующих устройствах, предназначенных для передачи и преобразования информации. В элементную базы ОЭП входят: светоизлучающие диоды (светодиоды), фотоприёмники (фото-резисторы, транзисторы, диоды и т.д.) и оптопары (оптроны). Оптическое излучение – это электромагнитное излучение, длина волны которого находится в интервале от 10нМ до 1мм. К оптическому излучению относят: ИК, видимое, УФ излучение. Когерентность – это согласованное протекание во времени нескольких колебаний или волновых процессов проявляющихся при их сложении. Когерентное колебание – это колебание, согласованное протекающее во времени (т.е. 2 колебания когерентны, если их частоты одинаковы). Поляризация волн – это нарушение осевой симметрии поперечной волны, относительно направления распространения этой волны. Поляризация света – это выделение из не поляризованного (естественного) света, плоскополяризованного. Плоскополяризованой или линейнополяризованной, называют волну с неизменным направлением колебаний. Принцип действия источника светового излучения основан на излучательной рекомбинации пар электрон-дырка. Существует 2 механизма рекомбинации: 1)Представляет собой непосредственный захват электрона из ЗП в ВВ. В результате чего возникает валентная связь. Эту рекомбинацию называют межзонной. 2)Захват электрона из ЗП и последующая рекомбинация пар электрон-дырка на промежуточных энергетических уровнях, которые называются ловушками и располагаются в ЗЗ. Такая рекомбинация называется рекомбиназией с помощью ловушек. Рекомбинация носителей заряда осуществляет перераспределение энергии в полупроводнике. Излучательная рекомбинация характеризуется изменением высвобождающейся энергии в виде светового кванта. Кроме излучательной рекомбинации есть и безизлучательная, которая характеризуется высвобождением энергии в виде тепла.

Светоизлучающие диоды (светодиоды).

Это полупроводниковый прибор, имеющий 1 "p-n" переход и предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию не когерентного светового излучения. При подаче на "p-n" переход прямого напряжения наблюдается интенсивная инжекция не основных носителей заряда электронов в р область, дырок в n область. Инжектированные, не основные носители зарядов рекомбинируют с основными носителями данной области полупроводинка и их концентрация быстро падает, по мере удаления от "p-n" перехода. При рекомбинации выделяется энергия. У многоих полупроводниковых приборов рекомбинация носит безизлучающий характер, энергия выдеяемая при рекомюинации отдаётся кристаллической решётке и превращается в конечном итоге в тепло. Но у полупроводинковых прборов, выполненных на основе корбида кремния, галия, мышьяка, а также арсенида гилия рекомбинация является излучательной. При которой выделяется энергия в виде увантов излучения – фотонов. Поэтому, у этих полупроводников прохождение черех "p-n" переход тока в прямом направлении сопровождается не когерентным оптическим излучением определённого спектрального состава. Это явление используется для создания светодиодов. Ширина ЗЗ в светодиодах должна превышать 1,7эВ. Наиболее перспективным материалом является нитрат галия, который имеет ширину ЗЗ 3,4эВ. Поэтому энергия квантов света, возникающая в этом материале при рекомбинации может перекрыть всю видимую область спектра. Для повышения внешнего квантового выхода применяют различный просветвляющие покрытия поверхности светодиодов, которы позволяют увеличит внешний квантовый выход в 1,5 раз, независимо от его структуры. Но количество просветвляющих покрытий ограничено. Цвет свечения светодиода зависит от длины воны, т.е. от ширины "p-n" перехода. Применяются светодиоды в приборах индикации, так же их можно применять, как обыкновенные выпрямительные диоды. Основны параметры: 1)Яркость свечения, 2)Постоянное прямое напряжение, 3)Полная мощность излучения, 4)Максимально допустимое обратное напряжение. Обозначаются эти диоды буквой Л. # КЛ101А.