- •Строение атома.
- •Собственный полупроводник.
- •Примесный полупроводник n-типа.
- •Примесный полупроводник p-типа.
- •Германий.
- •Кремний.
- •Арсенид Галия.
- •Кристаллическая решётка.
- •Диффекты кристаллических решёток.
- •Вырожденный и компенсированный полупроводник.
- •Движение зарядов в полупроводниках.
- •Образование “p-n” перехода.
- •История создания "p-n" перехода.
- •Прямое и обратное включение p-n перехода.
- •Вольтамперная характеристика “p-n” перехода (вах).
- •Пробои “p-n” перехода.
- •Температурные и частотные свойства “p-n” перехода.
- •Контакт металл – полупроводник. Омический не выпрямляющий контакт.
- •Гиперпереходы.
- •Полупроводниковые приборы. Классификация и системы обозначений.
- •Выпрямительный диод. Vd.
- •В ах выпрямительного диода.
- •Варикап.
- •Стабилитрон.
- •Т уннельный диод.
- •Диод Ганна.
- •Лавинно-пролётные диоды.
- •Обращённый диод.
- •Транзисторы. Vt.
- •4 Режима работы транзистора.
- •Принцип работы транзистора.
- •Схемы включения транзистора.
- •Статические характеристики транзистора.
- •Транзистор, как активный четырёхполюсник.
- •Частотные свойства транзистора.
- •Температурные свойства транзисторов.
- •Динамический режим работы транзистора.
- •Составной транзистор.
- •Высоковольтные транзисторы.
- •Мощные транзисторы.
- •Собственные шумы транзистора.
- •Эксплуатационные параметры транзистора.
- •П олевые транзисторы.
- •Полевой транзистор с "p-n" переходом.
- •Полевой транзистор с изолированным затвором.
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Основные параметры полевых транзисторв.
- •Однопереходные транзисторы.
- •Тиристоры.
- •Семисторы.
- •Оптоэлектронные приборы.
- •Светоизлучающие диоды (светодиоды).
- •Фотоприёмник.
- •Фоторезистор.
- •Фотодиод.
- •Фототранзистор.
- •Фототиристоры.
- •Оптрон (vu).
- •Резисторный оптрон.
- •Диодный оптрон.
- •Транзисторные оптопары.
- •Тиристорные оптопары.
- •Оптоэлектронные интегральные микросхемы.
- •Когерентная оптоэлектроника. Принцип работы лазера.
- •Свойства лазерного излучения.
- •Основные типы лазеров.
- •Области применения лазера.
- •Микроэлектронника. Виды интегральных схем.
- •Технологические процессы изготовления мсх.
- •Виды изоляции элементов.
- •Полупроводниковые интегральные схемы.
- •Интегральный “n-p-n” транзистор.
- •Разновидности “n-p-n” транзистора.
- •Интегральный “p-n-p” транзистор.
- •Интегральные диоды.
- •Электровакуумные приборы.
- •Виды электронной эмиссии.
- •Вакуумный диод.
- •Усилитель нч на триоде.
- •Паразитные ёмкости триода.
- •Тетрод и пентод.
- •Осцилографическая трубка.
- •И ндикаторные трубки.
- •Кинескоп.
- •Получение цветного изображения.
Статические характеристики транзистора.
Д ля всех схем включения существуют входные и выходные статические характеристики, которые описывают зависимость входных или выходных параметров. Для схемы включения транзистора с общей базой входной характеристикой является зависимость Iэ=f(Uэб), при Uкб=const. Входные характеристики в схеме с общей базой практически имеют вид почти прямой ветви ВАХ выпрямительного диода. Из характеристик видно, что коллекторное поле практически не влияет на эммитерный переход. Выходные характеристики представляют собой зависимость Iк=f(Uкб), при Iэ=const. Выходные характеристики имеют вид почти параллельных линий идущих с не большим наклоном к оси напряжений и значение тока коллектора в основном определяется значением ток эммитера. Для схемы включения транзистора с общим эммитером входная характеристика представляет собой зависимость Iб=f(Uэб), при Uкэ=const. Из входных характеристик видно, что ток базы в большей степени зависит от напряжения эммитер база. Выходная характеристика представляет собой зависимость Iк=f(Uкэ), при Iб=const. Из рисунка видно, что ток коллектора практически не зависит от напряжения коллектор эммитер, а зависит от величины тока базы.
Транзистор, как активный четырёхполюсник.
П ри любой схеме включения, транзистор можно рассматривать, как устройство, имеющее 2 входных и 2 выходных зажима, которой способно усиливать мощность подаваемых к нему колебаний. Такое устройство получило название четырёхполюсник. Т.к каждая область транзистора имеет своё сопротивление, то эквивалентная схема транзистора может быть изображена с помощью этих сопротивлений. В современных транзисторах сопротивление эммитера десятки Ом, базы сотни Ом, коллектора сотни тысяч Ом. Поэтому, если на вход такой системы подать напряжение, то напряжение выхода будет меньше напряжения тока. Поэтому, эквивалентная схема полностью отражающая принцып работы транзистора должна иметь в коллекторной цепи генератор тока. Ir=αIэ, Rэбк, коофициенты усиления являются первичными параметрами четырёхполюсника. Эти параметры характеризуют свойства четырёхполюсника, не зависимо от его схемы включения. Кроме первичных параметров, существуют вторичные, которые характеризуют связь между переменными составляющими напряжений и токов при ХХ и КЗ. Из теории электрических цепей известно, что любой четырёхполюсник можно описать следующими уравнениями.
u1 = z11i1 + z 12i2; i1 = y11u1 + y12u2; u1 = h11i1 + h12u2;
u2 = z21i1 + z22i2; i2= y21u1 + y22u2; i2 = h21i1 + h22u2.
y,z,h – параметры характеризуют электрические свойства четырёхполюсника. Система z параметров предусматривает определение величины z из опытов ХХ на входе и выходе четырёхполюсника. Параметры z-смешенные, имеют размерность сопротивлений и каждый из них имеет определённый физический смысл. Z11=u1\i1 при i2=0 – это входное сопротивление при ХХ на выходе. Z12=u1\i2 при i1=0 – это сопротивление обратной передачи т.е. величина, показывающая воздействие выходного тока на входное напряжение при ХХ на входе. Z21=u2\i1 при i2=0 – это сопротивление прямой передачи, т.е. величина, показывающая воздействие входного тока на выходное напряжение при ХХ на выходе. Z22=u2\i2 при i1=0 – это выходное сопротивление при ХХ на входе. Система y параметров характеризует свойства четырёхполюсника с помощью четырёх проводимостей определяемых из опытов КЗ. y11=i1\u1 при u2=0 - это входная проводимость при КЗ на выходе. y12=i1\u2 при u1=0 – это проводимость обратной передачи, характеризующая воздействие выходного напряжения на входной ток при КЗ на входе. y21=i2\u1 при u2=0 –это проводимость прямой передачи (крутизна), величина характеризующая воздействие входного напряжения на выходной ток при КЗ на выходе. y22=i2\u2 при u1=0 – это выходная проводимость при КЗ на входе. Система h зараметров смешанная и h параметры определяются из опытов ХХ на входе и КЗ на выходе. h11=u1\i1 при u2=0 – это входное сопротивление при КЗ на выходе. h12=u1\u2 при i1=0 – это коофициент обратной передачи по напряжению при ХХ на входе. h21=i2\i1 при u2=0 – это коофициент усиления по току при КЗ на выходе. h22=i2\u2 при i1=0 – это выходная проводимость при ХХ на входе. Получила более широкое распространение, т.к. между h параметрами и первичными параметрами транзистора существует определённая связь.