- •Строение атома.
- •Собственный полупроводник.
- •Примесный полупроводник n-типа.
- •Примесный полупроводник p-типа.
- •Германий.
- •Кремний.
- •Арсенид Галия.
- •Кристаллическая решётка.
- •Диффекты кристаллических решёток.
- •Вырожденный и компенсированный полупроводник.
- •Движение зарядов в полупроводниках.
- •Образование “p-n” перехода.
- •История создания "p-n" перехода.
- •Прямое и обратное включение p-n перехода.
- •Вольтамперная характеристика “p-n” перехода (вах).
- •Пробои “p-n” перехода.
- •Температурные и частотные свойства “p-n” перехода.
- •Контакт металл – полупроводник. Омический не выпрямляющий контакт.
- •Гиперпереходы.
- •Полупроводниковые приборы. Классификация и системы обозначений.
- •Выпрямительный диод. Vd.
- •В ах выпрямительного диода.
- •Варикап.
- •Стабилитрон.
- •Т уннельный диод.
- •Диод Ганна.
- •Лавинно-пролётные диоды.
- •Обращённый диод.
- •Транзисторы. Vt.
- •4 Режима работы транзистора.
- •Принцип работы транзистора.
- •Схемы включения транзистора.
- •Статические характеристики транзистора.
- •Транзистор, как активный четырёхполюсник.
- •Частотные свойства транзистора.
- •Температурные свойства транзисторов.
- •Динамический режим работы транзистора.
- •Составной транзистор.
- •Высоковольтные транзисторы.
- •Мощные транзисторы.
- •Собственные шумы транзистора.
- •Эксплуатационные параметры транзистора.
- •П олевые транзисторы.
- •Полевой транзистор с "p-n" переходом.
- •Полевой транзистор с изолированным затвором.
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Основные параметры полевых транзисторв.
- •Однопереходные транзисторы.
- •Тиристоры.
- •Семисторы.
- •Оптоэлектронные приборы.
- •Светоизлучающие диоды (светодиоды).
- •Фотоприёмник.
- •Фоторезистор.
- •Фотодиод.
- •Фототранзистор.
- •Фототиристоры.
- •Оптрон (vu).
- •Резисторный оптрон.
- •Диодный оптрон.
- •Транзисторные оптопары.
- •Тиристорные оптопары.
- •Оптоэлектронные интегральные микросхемы.
- •Когерентная оптоэлектроника. Принцип работы лазера.
- •Свойства лазерного излучения.
- •Основные типы лазеров.
- •Области применения лазера.
- •Микроэлектронника. Виды интегральных схем.
- •Технологические процессы изготовления мсх.
- •Виды изоляции элементов.
- •Полупроводниковые интегральные схемы.
- •Интегральный “n-p-n” транзистор.
- •Разновидности “n-p-n” транзистора.
- •Интегральный “p-n-p” транзистор.
- •Интегральные диоды.
- •Электровакуумные приборы.
- •Виды электронной эмиссии.
- •Вакуумный диод.
- •Усилитель нч на триоде.
- •Паразитные ёмкости триода.
- •Тетрод и пентод.
- •Осцилографическая трубка.
- •И ндикаторные трубки.
- •Кинескоп.
- •Получение цветного изображения.
Виды электронной эмиссии.
В лампах, для осуществления электронной эмиссии служит К т.к. при нагреве создаётся поток свободных електронов. Виды электронной эмиссии различаются по способу сообщения этой дополнительной энергии. 1)Термоэлектронная эмиссия, при которой дополнительная энергия сообщается в результате нагрева К, 2)Фотоэлектронная эмиссия, при которой на поверхность К воздействует электромагнитное излучение, 3)Вторичная электронная эмиссия, которая является результатом бомбардировки К потоком электронов или ионов движущихся с большой скоростью, 4)Электростатическая, при которой сильное электрическое поле у поверхности К создаёт силы, способствующие выходу электронов.
Вакуумный диод.
О н представляет собой простейшую электронную лампу, имеющую 2 электрода А и К, которые располагаются внутри балона, где создаётся вакуум. К бывают прямого (пропускают через него ток) и косвенного (под ним ставят подогревающий элемент) накала. А служит для управления электронами. Диод имеет 2 цепи: цепь А и цепь накала. Цепь А: +Eа, А, К, -Еа. При таком включении между А и К образуется электрическое поле, которое называется анодным. Разность потенциалов между А и К называется анодным напряжением и обозначается Uа, ток, протекающий в выходной цепи называется анодным и обозначается Iа. В электроннике условно принято, что направление тока от + к -, поэтому ток в лампе принято считать направленным от А к К, хотя электроны в лампе текут в противоположенном направлении. ВАХ выпрямительного диода имеет вид: Из характеристики видно, что анодный ток появляется даже при небольшом отрицательном напряжении на аноде.
Триод.
Трёхэлектродная лампа в которой между А и К располагается С. Она называется управляющей и действие её следующее: при подаче напряжения на С, между С и К создаётся поле, которое регулирует т.е. управляет потоком электронов летящих из К в А. Если на С подать отрицательное напряжение, то электрическое поле СК будет достаточно сильным, чтобы электроны не смогли его преодолеть. При подаче положительного напряжения на С, электроны вылетевшие из К, будут оседать на ней и анодного тока не будет, а появится сеточный ток, понижающий мощность входного сигнала. Поэтому на сетку подаётся напряжение от +4 до -24В.
Усилитель нч на триоде.
К участку СК подводится 2 напряжения: Напряжение входа, которое необходимо усилить и отрицательное напряжение смещения, подаваемое на управляющую сетку. Это напряжение формируется с помощью цепочки автоматического смещения RкCк. Через резистор Rк протекает постоянная составляющая анодного тока, которая создаёт на резисторе Rк падение напряжения, причём К оказывается под положительным потенциалом, а сетка через резистор Rc под отрицательным потенциалом. Переменная составляющая анодного тока отводится через конденсатор Ск. Изменение напряжения на сетке приводит к изменению анодного тока, т.е. анодный ток будет изменятся строго пропорционально колебаниям сеточного напряжения. Для соблюдения строгой пропорциональности между анодным током и входным напрядением, нужно выбрать рабочую точку на середине прямолинейного участка характеристики с помощью напряжения смещения. В результате величина выходного сигнала будет во много раз больше велечины входного. Во внешнюю цепь выходной сигнал передаётся через разделительный конденсатор, который не пропускает постоянное напряжение на следующий каскад. Cф и Rф являются элементами развязывающего фильтра, который устраняет паразитные связи при питании элементов схемы от 1 источника питания.