- •Строение атома.
- •Собственный полупроводник.
- •Примесный полупроводник n-типа.
- •Примесный полупроводник p-типа.
- •Германий.
- •Кремний.
- •Арсенид Галия.
- •Кристаллическая решётка.
- •Диффекты кристаллических решёток.
- •Вырожденный и компенсированный полупроводник.
- •Движение зарядов в полупроводниках.
- •Образование “p-n” перехода.
- •История создания "p-n" перехода.
- •Прямое и обратное включение p-n перехода.
- •Вольтамперная характеристика “p-n” перехода (вах).
- •Пробои “p-n” перехода.
- •Температурные и частотные свойства “p-n” перехода.
- •Контакт металл – полупроводник. Омический не выпрямляющий контакт.
- •Гиперпереходы.
- •Полупроводниковые приборы. Классификация и системы обозначений.
- •Выпрямительный диод. Vd.
- •В ах выпрямительного диода.
- •Варикап.
- •Стабилитрон.
- •Т уннельный диод.
- •Диод Ганна.
- •Лавинно-пролётные диоды.
- •Обращённый диод.
- •Транзисторы. Vt.
- •4 Режима работы транзистора.
- •Принцип работы транзистора.
- •Схемы включения транзистора.
- •Статические характеристики транзистора.
- •Транзистор, как активный четырёхполюсник.
- •Частотные свойства транзистора.
- •Температурные свойства транзисторов.
- •Динамический режим работы транзистора.
- •Составной транзистор.
- •Высоковольтные транзисторы.
- •Мощные транзисторы.
- •Собственные шумы транзистора.
- •Эксплуатационные параметры транзистора.
- •П олевые транзисторы.
- •Полевой транзистор с "p-n" переходом.
- •Полевой транзистор с изолированным затвором.
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Основные параметры полевых транзисторв.
- •Однопереходные транзисторы.
- •Тиристоры.
- •Семисторы.
- •Оптоэлектронные приборы.
- •Светоизлучающие диоды (светодиоды).
- •Фотоприёмник.
- •Фоторезистор.
- •Фотодиод.
- •Фототранзистор.
- •Фототиристоры.
- •Оптрон (vu).
- •Резисторный оптрон.
- •Диодный оптрон.
- •Транзисторные оптопары.
- •Тиристорные оптопары.
- •Оптоэлектронные интегральные микросхемы.
- •Когерентная оптоэлектроника. Принцип работы лазера.
- •Свойства лазерного излучения.
- •Основные типы лазеров.
- •Области применения лазера.
- •Микроэлектронника. Виды интегральных схем.
- •Технологические процессы изготовления мсх.
- •Виды изоляции элементов.
- •Полупроводниковые интегральные схемы.
- •Интегральный “n-p-n” транзистор.
- •Разновидности “n-p-n” транзистора.
- •Интегральный “p-n-p” транзистор.
- •Интегральные диоды.
- •Электровакуумные приборы.
- •Виды электронной эмиссии.
- •Вакуумный диод.
- •Усилитель нч на триоде.
- •Паразитные ёмкости триода.
- •Тетрод и пентод.
- •Осцилографическая трубка.
- •И ндикаторные трубки.
- •Кинескоп.
- •Получение цветного изображения.
Резисторный оптрон.
В качестве излучателя используется светодиод, сверхминиатюрная лампочка накаливания, дающая видимое или ИК излучение. Приёмником излучения является фоторезистор, который изготавливается из селенида или сульфида кадмия, для видимого излучения, а для ИК излучения из селенида или сульфида свинца. Для хорошей работы резисторного оптрона необходимо согласование излучателя и фоторезистора по спектральным характеристикам. В состав этого оптрона входит фоторезистор и светодиод. Выходная цепь питается от постоянного или переменного напряжения источника. Напряжение управления, подаваемое на светодиод, управляет током в цепи нагрузки. Основные параметры: 1)Максимальные токи и напряжения на входе и выходе, 2)Выходное сопротивление, 3)Темновое сопротивление, измеряемое при темновом токе в несколько мкА, 4)Сопротивление изоляции, 5)Время включения и выключения. ВАХ: Rвых=f(Iвх). Применяются для коммутации больших мощных источников, автоматической регулировки усиления, управления безконтактным делителем напряжения и т.д.
Диодный оптрон.
В этих оптронах обычно используется кремниевый фотодиод и ИК арсенида – галиевый светодиод. Фотодиод может работать в фотогенеративном режиме, создавая фото ЭДС доя 0,5В или в фотодиодном режиме. Изготавливаются по планарной технологии. Для повышения быстродействия в фотодиодах используется “p-i-n” переход. Основные параметры: 1)Входные и выходные токи и напряжения для непрерывного и импульсного режима, 2)Коофициент передачи тока, 3)Время нарастания и спада входного сигнала. Существуют конструкции многоканальных диодных оптронов, когда в 1 корпусе используется несколько оптопар. Применяются # на основе диодных оптронов изготавливаются импульсные трансформаторы, не имеющие обмоток. Разновидностью диодных оптронов, является оптрон, в котором в качестве фотоприёмнка используется фотоварикап.
Транзисторные оптопары.
В качестве излучателя обычно используется арсенидогалиевый светодиод, а в качестве приёмника биполярный, кремниевый фото транзистор, типа “n-p-n”. Основные параметры аналогичны диодным оптронам. Дополнительно указываются максимальные токи, напряжения, мощности, относящиеся к выходной цепи, а так же темновой ток и времы включения и выключения. Оптопары этого типа работают главным образом в ключевых режимах и применяются в коммутаторных схемах, устройствах связи, в качестве различных датчиков и измерительных блоков и т.д. Для увеличения чувствительности в оптопаре используются составной транзистор или диод с транзистором. Наибольшее быстродействие имеют оптопары, где используется сочетание диода и транзистора. Также в качестве приёмника используются однопереходные транзисторы и полевые фототранзисторы.
Тиристорные оптопары.
В качестве приёмника используется фототиристор. Применяются в схемах для формирования мощных импульсов, в схемах управления мощными тиристорами, а так же для коммутации различных устройств обладающих большими мощностями.
Оптоэлектронные интегральные микросхемы.
Имеют оптическую связь между отдельными узлами и компанентами микросхемы. Эти микросхемы изготавливаются на основе транзисторов и кроме излучателя и приёмника содержат устройства для обработки сигналов, полученных от излучателя. Особенностью фотомикросхем является то, что происходит однонаправленная передача сигнала и отсутствие обратной связи.