Динамический режим работы транзистора.

Э то режим работы транзистора с нагрузкой. Схема работы: Напряжение источника коллекторного питания в этой схеме распределяется между сопротивлением нагрузки находящимся в коллекторной цепи и участком схемы коллектор-эммитер, поэтому U_кэ=E_к-I_кR_н – это уравнение динамического режима для выходной цепи. Изменение входного напряжения вызывает соответствующее изменение тока эммитера, а изменение тока эммитера вызывает изменение тока коллектора, что в свою очередь приводит к изменению падения напряжения на сопротивлении нагрузки. В результате, изменение напряжения на коллекторном переходе. Характеристики транзистора находящимся в динамичесокм режиме отличаются от характеристик в статическом режиме т.к. параметры этих характеристик будут зависить не только от параметров транзистора, но и от параметров схемы.

Составной транзистор.

Д ля того, чтобы повысит β, можно уменьшить толщину базы, но это граничивается техническими трудностями, но соединив 2 транзистора определённым образом, можно резко повысить коофициент усиления по току такой комбинации, которая рассматривется как единое целое. Такая комбинация называется составным транзистором или схемой Дарлингтона. Покажем, что составной транзистор имеет коофициент β во много раз больший чем у обоих транзисторов. ∆I_б=∆I_б1. Приращение тока базы первого транзистора = приращению тока базы второго, следовательно, приращение тока эммитера ∆I_э1=(1+β₁)∆I_б=∆I_б2. ∆I_к=∆I_к1+∆I_к2. β₁∆I_б2+β₂[(1+β₁)∆I_б]. Разделим I_к на I_б, получим β_∑=β₁+β₂+β₁β₂ (суммарное). β_∑≈β₁β₂≈10000.

Высоковольтные транзисторы.

Высоковольтные транзисторы применяются для строчной развёртки телевизоров. Они имеют допустимое напряжение дл 1,5кВ и токи до 5А с временем включения 0,7мкС и мощностью рассеивания 60Вт при 100⁰С. Так же применяются в выходных каскадах схем зажигания автомобильных двигателей в источниках питания с последовательным регулированием и в других схемах для переключения индуктивной нагрузки. Эти транзисторы имеют предельное напряжение 400-600В и токи от 5А до 10А. Основное требование к этим транзисторам-как можно большее значение допустимого напряжения. Пробивное напряжение можно повысить за счёт роста глубины диффузии. В конструировании высоковольтных планарных транзисторв существует 2 основных направления: 1)Использование конструкций, в котрых снижено влеяние кривизны переферийной области на пробой. Для транзисторов малой и средней мощности наилучшими комбинациями являются: каплевидная, звёздчатая, полосковая. В мощных транзисторах, где используются гребенчатые и многоэммитерные структуры, углы прямоугольной базовой области округлены радиусом, в несколько раз большем, чем глубина залегания коллекторного "p-n" перехода. Наиболее эффективен метод охранного кольца, при котором создаётся дополнительная диффузионная область, имеющая значительно меньшую кривизну. Пробивное напряжение возрастает по мере углубления охранного кольца. Частотные свойства незначительно ухудшаются за счёт увеличения ёмкости коллекторного "p-n" перехода. 2)Устранение пробоя в приповерхностных слоях. Метод расширенного базового контакта. Пробивное напряжение заначительно повышается за счёт расширения области базового контакта. Метод делительного кольца. Каждое делительное кольцо в оптимальнах условиях может приблизительно удвоить пробивное напряжение по сравнению с обычным "p-n" переходом, имеющем такую же глубину залегания.