3.Оптимизация тп по производительности и себестоимости. Определение размера критической партии.
Оптимизация по себестоимости:
Где А-текущие затраты на 1 изделие; N-число партий; В-единовременные затраты на всю партию.
Где М-затраты на материалы; З-з/п производственных рабочих; П-расходы на эксплуатацию,оснастку оборудования.
М
Где
n-число
сортаментов;
-
масса и стоимость i-го
материала;
-стоимость
и масса реализуемых отходов.
Где
-коэфициент
з/п;
-время
выполнения i-й
операции;
-часовая
тарифная ставка рабочего; М-общее число
операций необходимых для выполнения
изделия.
,
Где
-
коэфициент многостаночного обслуживания;
P-число
рабочих; Q-число
станков.
,
Где
-коэфициент
учитывающий перевыполнение нормы
,
Где
-коэфициент
включаемый доп. з/п(отпуска,страховка)
Где П-единовременные затраты на партию; (5-20%) от зарплаты.
Где
-з/п
наладчиков;
-затраты
на основное тех. оборуд.
Где
к-число оборудования;
-коэфициент
амортизации;
-стоимость
1 оборудования;
1,0-1,2
–простое оборудование;0,7-0,8 –средней
сложности;0,1-0,5 – сложное
Где
-коэфициент
з/п;
-з/п
наладчиков;
-подготовительно-заключительное
время;
-часовая
тариф ставка наладч; n-число
переналадок в год; m-число
наладчиков.
– число
1 изделия
Размер
критической партии:
Билет 11
2.Технологический процесс изготовления односторонних пп
ОПП изготавливаются либо негативным, либо позитивным методом.
Для заготовки ПП используется чаще всего фольгированный односторонний диэлектрик.
Негативный метод:1.подг-ка пов-ти заготовки - механич. и химич. очистка пов-ти от оксидов, остатков смазки и др.загрязнений; 2.обезжиривание при t=60-650С в растворах определённого состава; 3.промывка в проточной воде; 4.активирование – удал-е окисных пленок в 20-25% растворе HCl при комн.t в теч. 20-30 сек; 5.промывка в хол. и горячей воде; 6.сушка пов-ти заготовки; 7.нанесение защитного рисунка схемы; 8.травление незащищённых участков металлич. Фольги; 9.удаление резиста химическим путём; 10.пробивка или сверление отверстий; 11.нанесение защитного покрытия на ПП.
Для монтажа отверстий на ПП наносят маркировку, а для ограничения растекания припоя по печатным проводникам используется позитивная маска.
Позитивный метод: Последовательность схожая, но после нанесения защитного рисунка схемы идет: 1. гальваническое осаждение покрытия, устойчивого к травлению ( припой = олово + медь ) 2. сверление отверстий 3.удаление защитного рисунка 4. травление рисунка (остаются те места, кот.защищены припоем) 5. оплавление припоя
6. нанесение защит. Покрытия
При комбинированном негативном методе экспонирование осуществляют с фотонегатива, проводящий рисунок схемы получают травлением меди с пробельных мест, сверлят отверстия, затем выполняют металлизацию отверстий электрохимическим методом.
Технологический процесс включает следующие операции:1получ-е контура загот-ки (штамповка, резка роликовыми ножницами);2подгот-ка пов-ти заготовки;3нанесение негативного рисунка схемы, ретуширование;4травление металл. фольги с пробельных мест;5нанесение защитной пленки лака для защиты всей пов-ти платы от химического меднения краскораспылителем и подсушивание при температуре 50—60 С (цапонлак, бакелитовый лак, клей АК-20);6сверление отверстий;7химическое меднение;8снятие защитного слоя лака;9гальваническое меднение отверстий;10снятие фоторезиста;11покрытие проводников припоем ПОСВ 33 для обеспечения их паяемости.
+: освоенность процесса производства, широкая номенклатура травителей.
-: возм-ть срыва конт. площадок при сверлении, необх-ть спец. контактирующих приспос-й при металлизации отверстий, вредное воздействие хим. растворов на платы, большая величина подтравливания.
При комбинированном позитивном методе выполняются следующие операции: 1получение контура загот-ки и подг-ка ее пов-ти;2нанесение позитивного рисунка схемы;3нанесение защитного слоя лака для предохранения от воздействия хим-ки активных растворов при хим. металлизации (количество слоев 2—3, нанесение окунанием, поливом или с помощью краскораспылителей, сушка в сушильных печах в течение 20—40 мин при температуре 60—80 С);4сверление отверстий в плате;5химическое меднение отверстий слоем толщиной 1—2 мкм со скоростью 20—30 мкм/ч;6гальваническое меднение толщиной 25—30 мкм;7удаление защитного слоя лака;8нанесение металлического резиста для защиты проводников и отверстий от травления (серебрение толщиной 10—12 мкм, гальваническое покрытие сплавами Sn—Pb, Sn—Bi, ПОСВ33 толщиной 20—25 мкм);9удаление фоторезиста;10травление пробельных мест;11оплавление металлического резиста (необх-мо для удаления припоя из отверстий и улучшения паяемости покрытия);12контроль платы, маркировка.
Гальванически нанесенный металлический резист из сплава Sn—Pb имеет пористую структуру, быстро окисляется, теряет способность к пайке. Для устранения этих недостатков проводят оплавление резиста либо с помощью ИК-излучения, либо в нагретой жидкости (глицерине) или газе. В результате покрытие приобретает структуру металлургического сплава и хорошую паяемость.