- •М инистерство образования российской федерации
- •Глава 1. Введение в электронную теорию твердого тела 5
- •Глава 2. Теория и практика эмиссионных процессов. 21
- •Глава 3. Электронно-вакуумные приборы с электростатическими полями 69
- •Глава 4. Теория и практика фокусировки и управления электронными пучками в электромагнитных полях 95
- •Глава 5. Электронно-лучевые приборы 133
- •Глава 6. Газоразрядная и плазменная электроника 158
- •Глава 1.
- •1.1.Энергия связи в твердом теле.
- •2.1. Металлическое состояние.
- •3.1. Состояние электрона в кристаллической решетке
- •4.1.Статистика электронов в кристаллической решетке металла.
- •5.1.Энергия Ферми.
- •6.1. Плотность электронных состояний.
- •7.1. Особенности зонной структуры ионных и ковалентных кристаллов.
- •8.1.Особенности положения уровня Ферми в полупроводниках.
- •Глава 2.
- •1.2. Работа выхода электрона из твердых тел.
- •2.2. Термоэлектронная эмиссия
- •1.3. Термоэлектронные катоды.
- •1.1.3. Металлические катоды.
- •2.1.3. Пленочные катоды
- •3.1.3. Оксидные катоды.
- •4.1.3. Способы нагрева катодов.
- •4.2. Закон Лэнгмюра-Богуславского.
- •4.2. Эффект Шоттки.
- •6.2. Автоэлектронная эмиссия.
- •6.2. Взрывная эмиссия.
- •8.2 Автоэмиссионные катоды.
- •7.2. Вторичная электронная эмиссия
- •8.2. Фотоэлектронная эмиссия.
- •10.2 Фотокатоды.
- •1.10.2. Фотокатоды для видимой области спектра.
- •2.10.2 Фотокатоды для ультрафиолетовой области.
- •3.10.2. Фотокатоды для инфракрасной области.
- •11.2 Аноды электронно-вакуумных приборов.
- •12.2 Управление электронным потоком
- •Глава 3.
- •1.3.Рентгеновские трубки.
- •Длина волны характеристических линий и потенциал возбуждения к-серии ряда элементов.
- •1.1.3 Области применения и конструктивные
- •2.1.3. Двухэлектродные трубки для просвечивания.
- •3.1.3. Импульсные рентгеновские трубки.
- •4.1.3. Трубки для диагностики биологических объектов.
- •5.1.3. Трубки для рентгенотерапии.
- •6.1.3. Рентгеновские трубки для радиационной химии
- •7.1.3. Рентгеноструктурный анализ.
- •8.1.3. Рентгеноспектральный анализ
- •9.1.3. Бескристальные спектрометры
- •2.3. Электронно-ионный микроскоп.
- •3.3. Фотоэлектронный умножитель.
- •Глава 4
- •1.4.Силы, действующие на заряженную частицу в электромагнитном поле. Уравнения движения.
- •2.4. Аналогия между движением заряженных частиц в электростатическом поле и распространением световых лучей в прозрачной среде.
- •3.4. Центрированные электронно-оптические системы.
- •4.4. Фокусировка электронных пучков в аксиально-симметричных
- •1.4.4. Катодная линза.
- •2.4.4. Электронные пушки.
- •3.4.4. Автоэмиссионные пушки.
- •4.4.4. Электронный прожектор.
- •5.4.4. Электростатические системы управления электронным лучом.
- •6.4.4. Анализатор скорости заряженных частиц.
- •7.4.4. Осциллографическая трубка.
- •5.4. Фокусировка и управление потоком заряженных частиц в постоянных магнитных полях.
- •1.5.4. Конструкции магнитных линз.
- •2.5. 4. Дефекты электронно-оптических линз.
- •3.5.4. Отклонение заряженных частиц магнитным полем.
- •Глава 5
- •1.5. Кинескопы.
- •2.5 Электронно-оптический преобразователь.
- •3.5. Электронные микроскопы.
- •1.3.5. Принцип работы электронных микроскопов.
- •2.3.5. Просвечивающие электронные микроскопы.
- •3.3.5. Рентгеновские микроанализаторы.
- •4.3.5. Растровые электронные микроскопы.
- •Глава 6.
- •1.6. Слабоионизированные газы.
- •2.6. Ионизация газа, находящегося в термодинамическом равновесии.
- •3.6. Диффузионный ток.
- •4.6. Проводимость
- •5.6. Ударная ионизация
- •6.6. Вольтамперная характеристики газового разряда.
- •1.6.6. Несамостоятельный газовый разряд.
- •2.6.6. Самостоятельный газовый разряд.
- •7.6. Газоразрядные приборы с холодным катодом
- •1.7.6. Дуговые разрядники.
- •2.7.6. Газоразрядные источники света.
- •3.7.6. Лампы тлеющего свечения (лтс).
- •4.7.6. Стабилитрон тлеющего разряда.
- •5.7.6. Многоэлектродные газоразрядные приборы тлеющего разряда.
- •6.7.6. Тиратрон тлеющего разряда.
- •7.7.6. Тиратроны дугового разряда.
- •8.6. Дисплеи с плазменной панелью.
- •1.8.6.Структура ячейки
2.10.2 Фотокатоды для ультрафиолетовой области.
Все фотокатоды, чувствительные в видимой области спектра, чувствительны и к ультрафиолетовому излучению. Практическое использование таких фотокатодов в приёмниках ультрафиолетового излучения связано с необходимостью их защиты от засветки светом видимой области. В связи с этим для приборов, работающих в ультрафиолетовой области, целесообразнее использовать солнечно - слепые фотокатоды (не чувствительные к видимому свету, а реагирующие только на ультрафиолетовое излучение с длиной волны ≤290 нм). Солнечно - слепые фотокатоды не нуждаются в защите от естественного дневного освещения.
Высокой чувствительностью в области среднего ультрафиолета (200 ≤ ≤ 300) нм обладают полупроводниковые соединения на основе элементов первой и шестой группы (А1 В6). Из данной группы соединений, как фотокатоды, наиболее эффективны теллуриды: цезия (Cs2Te) и рубидия (Rb2Te). Эти полупроводники с большой шириной запрещенной зоны (Δ≥2,7 эВ) имеют высокое сопротивление (109-1010) Ом см, совершенно прозрачны в видимой области спектра и характеризуются чрезвычайно малой величиной плотности тока (j≈10-17-10-18 А/см2) термоэлектронной эмиссии при комнатной температуре.
Рис. 20.2. Спектральные характеристики полупроводниковых материалов в ультрафиолетовой области: а) Cs2Te (1) Rb2Te (2); б) CsJ (1); RbJ (2); KBr (4).
Высокое продольное сопротивление фотокатодов, изготовленных в виде тонкой пленки, затрудняет их использование, поскольку падение напряжения на фотослое при протекании по нему эмиссионного тока делает катод неэквипотенциальным. Для снижения продольного сопротивления используют проводящие подложки, например, в виде тонкой пленки металла, наносимой перед изготовлением фотокатода.
Спектральная чувствительность цезиевого и рубидиевого теллуридов (рис. 20.2) при длине волны ≈250 нм достигает (40-50) мА/Вт, что соответствует квантовому выходу Y≈0,2-0,25. Характеристика Rb2Te (рис. 20.2) по сравнению с таковой для Cs2Te несколько сдвинута в область более коротких длин волн и отличается очень высокой крутизной спада вблизи порога фотоэффекта при изменении длины волны в интервале (250-300) нм квантовый выход снижается на два порядка величины. Это характеризует очень низкую чувствительность фотокатода к солнечному излучению за пределами полосы поглощения света земной атмосферой.
В группу эффективных фотокатодов, чувствительных в ультрафиолетовом диапазоне, входят и двущелочные теллуриды, из которых наибольшее применение получил солнечно – слепой фотокатод на основе соединения KRbTe, спектральная характеристика которого ещё более сдвинута в коротковолновую область спектра, чем у Rb2Te катода. В более далекой ультрафиолетовой области спектра (≤200 нм) высокой квантовой эффективностью обладают соединения на основе элементов первой и шестой группы (А1В6) – галоидные соединения: щелочных металлов, меди, серебра и ряда других соединений (рис. 20.2,б).
Качество солнечно - слепых фотокатодов оценивается по величине эквивалентного солнечного входа [величине лучистого потока монохроматического излучения с длиной волны max, соответствующей максимуму спектральной чувствительности приёмника (например, для Cs2Te и Rb2Te max≈250 нм) рис. 20.2], которое создаёт такой же фототок, что и прямая солнечная засветка. У теллурида рубидия величина эквивалентного солнечного входа достаточно мала (3-6)10-6 Вт, а у теллурида цезия она примерно на порядок выше. Для обеспечения этого параметра необходимо при изготовлении катодов принимать меры по исключению избытка щелочного металла, присутствие которого создает длинноволновый хвост на спектральной характеристике (результат примесного эффекта), повышая чувствительность к видимому свету.